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利用有机物真空沉积技术制备了8-羟基喹啉铝和叔丁基联苯基苯基恶二唑交替生长的多层结构薄膜。低角X射线衍射测量表明,样品具有良好的层状结构;光吸收及光致发光测量结果表明,随着PBD层厚度的减薄,激发成能量发生了从PBD向Alq层中转称的现象。 相似文献
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氧化铪基薄膜与金属氧化物半导体(CMOS)工艺高度兼容,具有良好的可微缩性和保持性能,其铁电性的发现引起了科学家们的广泛关注.该文通过化学溶液法在铂(Pt)衬底上制备5 mol%和10 mol%的铈掺杂氧化铪基(Ce:HfO_2)薄膜,并在不同的退火温度条件下对薄膜进行处理.分别利用电滞回线,掠入射X射线衍射(GIXRD)对薄膜的铁电性能和结构进行了测试和表征.研究发现:5 mol%的铈掺杂氧化铪薄膜具有铁电性,铈掺杂在氧化铪中诱导了铁电正交相;10 mol%的铈掺杂氧化铪薄膜则表现出了反铁电性,最大剩余极化(P_r)为21.02μC/cm~2.实验结果表明,通过调控掺杂浓度,铈元素能诱导出氧化铪薄膜中的铁电相. 相似文献
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该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器掠入射X射线衍射测试表明,TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜都具有明显的正交相系统比较研究了Cu和TiN盖层对HZO薄膜的铁电、漏电和可靠性的影响极化 电压测试表明,TiN和Cu为盖层的HZO薄膜在±4 V扫描电压下,剩余极化强度 (2Pr) 值分别为40.4 μC/cm2和21.2 μC/cm2相应的矫顽电压分别为+1.7 V和+2.0 V极化疲劳与保持特性测试表明,在经过2.3×108循环次数后,以TiN和Cu为盖层的HZO薄膜的2Pr值分别衰减了39.7%和45.6%经过1.3×104 s保持测试,TiN和Cu盖层的HZO薄膜的2Pr值从初始34.4 μC/cm2和17.1 μC/cm2分别下降到了22.6 μC/cm2和1.6 μC/cm2上述结果说明,金属盖层是影响HZO铁电性的一个非常重要的因素盖层的功函数、热膨胀系数、界面缺陷和界面介电层都是导致HZO薄膜铁电性差异的可能机制该文工作对于进一步理解HZO铁电性起源和影响机制提供了有意义的借鉴,将有助于发展未来高性能的HZO铁电存储器和负电容晶体管 相似文献
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通过反胶束法制备掺铁(1%)的TiO2纳米溶胶,用浸渍提拉法在洁净的玻璃基底上形成不同条件下铁掺杂的TiO2(Fe-TiO2)纳米薄膜,分别在500℃和700℃温度下对陈化干燥的铁掺杂的TiO2凝胶进行热处理,得到不同粒径和不同堆积的铁掺杂TiO2纳米晶体.将不同制备条件下得到的(Fe-TiO2)纳米膜进行UV-可见光谱、SEM图像进行研究.实验表明:经过700℃热处理的铁掺杂的TiO2纳米晶粒比500℃铁掺杂的TiO2纳米晶粒大,且薄膜不同涂覆次数对TiO2纳米晶粒的大小与堆积均产生一定的影响;随着膜涂覆层数的增加,掺Fe-TiO2纳米薄膜的紫外可见吸收光谱出现明显红移,吸光度也大大增加。 相似文献
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电沉积方法制备银纳米薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对甲磺酸银体系和硝酸银体系中电沉积制备银纳米膜时的电沉积速率的比较及对所得纳米膜形貌的分析发现,在相同工艺条件下,硝酸银体系中得到的银纳米膜晶粒粒径比较小,膜的生长速率较快。选定硝酸银体系为电沉积体系,考察了槽压、电解液的浓度和温度及电解液的pH值对电沉积制备纳米膜的影响,确立了电沉积制备银纳米膜的最佳电解液组成及工艺条件。 相似文献
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利用共沉淀法制备了纳米ZrO2粉体,观测到样品晶相随煅烧温度升高逐渐由四方相转化为单斜相.在室温观察到纳米ZrO2有较强的峰值分别位于380 nm和470 nm的蓝紫、近紫外发射.同时观测到随着煅烧温度的升高和颗粒尺寸的增大,两个发射谱带的强度变化明显不同. 相似文献
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在Drude模型的基础上,计入金属薄膜表面对传导电子弛豫时间的影响,计算了金属的介电函数和光学常数,并利用结构特性矩阵方法计算了金属/电介质多层膜的反射率和吸收率,讨论了金属层厚度、层数对反射率和吸收率的影响 相似文献
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锐钛矿纳米晶粒TiO2薄膜的制备及分析 总被引:1,自引:0,他引:1
以金属钛为靶材,采用射频磁控溅射方法制备纳米晶粒TiO2薄膜.利用扫描电镜、紫外-可见光谱仪、X射线衍射仪研究不同热处理温度下制备的纳米晶粒TiO2薄膜的结构及表面形貌.实验结果显示,用射频磁控溅射得到的纳米晶粒TiO2薄膜与衬底结合紧密,薄膜表面致密、平整,经550℃晶化的纳米晶粒TiO2薄膜为均一的锐钛矿相,具有良好的紫外光吸收率. 相似文献
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采用超声喷雾热角制备技术在Si(Ⅲ)基片上制备了α-Fe2O3纳米薄膜,选用0.01mol/L的Fe(acac)3乙醇/水(1:1)混合液作为前驱液,在衬底温度380℃及载气流量6L/min条件下,制备出平均粒径为4.1nm,具有(104)择优取向的纳米薄膜,并通过XRD,AFM等对其微结构进行了表征。 相似文献
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在应变传感器的使用过程中,通常是将应变片用胶粘到待测的传感元件上,这种结构导致被测的应变片产生温度漂移.同时,胶膜引起的蠕变和滞后,也限制了传感器的准确度和长期稳定性.开发良好的铂薄膜电阻应变式钢杯压力传感器的研究具有重要意义.通过多层介质膜解决金属薄膜衬底和铂薄膜电阻间的隔离层问题,提高了应变式钢杯压力传感器的力学特性和长期稳定性. 相似文献
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通过胶体球混合溶液界面自组装结合液面转移的方法制备单层聚苯乙烯(PS)胶体球阵列,以此为模板,采用离子束溅射沉积金膜,形成Au@PS的球壳结构,PS与二氯甲烷在不同的反应时间下,形成开口大小不同的非对称结构金属纳米球壳,其表面等离共振透射峰的位置随着开口大小的增加产生微弱的红移现象,透射强度随着开口大小变大而不断增强,该结构在生物传感、非线性光学及表面增强拉曼散射方面有潜在的应用. 相似文献
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采用sol-gel法,利用旋转成膜机在石英玻璃上,制成了纳米TiO2掺杂稀土Eu的薄膜(Eu-TiO2).利用扫描电镜观察了Eu-TiO2膜的表面形貌,粒径约40 nm,大小、分布较均匀.并发现膜的表面存在重粒子"涡流"富集现象.提出了制备Eu-TiO2薄膜时需要特别注意的"相溶性"问题.利用UV紫外分光光度计测定了Eu掺杂的TiO2纳米粉的UV漫反射光谱,并与纯TiO2纳米粉进行了对比,实验发现掺杂后可引起吸收带红移20 nm.掺1%Eu后Eu-TiO2凝胶在650 ℃灼烧2 h后,经X射线衍射测定,仍显非晶态,对这一反常现象进行了理论上的初步探讨. 相似文献
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采用溶胶凝胶法(sol-gel)并分别在N2和O2中退火,制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)铁电薄膜.对样品进行X射线衍射(XRD)测试,用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行表征并用铁电分析仪分析其铁电性能(P-E).实验结果显示样品具有纯BTO钙钛矿晶体结构,均匀致密的表面形貌,很好的铁电性能(Pr25 kV/cm2).在O2中退火的BNT薄膜具有更优异的结构和性能,说明O2环境能够有效抑制退火过程中氧空位的产生. 相似文献
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介绍利用激光的光化学反应来分解气体制备α-Si:H/α-SiC:H多层非晶薄膜的方法,并对应用XPS等手段测得的这种非晶薄膜的光学特性进行了讨论. 相似文献