阻变随机存储器RRAM专利技术综述

阻变存储器由于其具有高速、高密度、可微缩、低功耗、抗辐射、断电后仍然能够保持数据等诸多优点在存储器的发展当中占据着重要地位。本文从专利的角度出发,研究了阻变存储器领域的专利申请的基本情况和阻变存储器技术的发展脉络,为国内阻变存储器技术的研究和专利的申请与布局提供一定的借鉴。     

阻变存储器阻变层材料专利技术综述

阻变存储器是最具潜力的下一代非易失性存储器之一。本文从专利角度分析了阻变存储器阻变层材料相关专利申请的基本状况,分别对金属氧化物、固态电解质、有机物三种重要阻变层材料技术分支的重点专利进行分析,对各分支的技术内容进行详细梳理,分析其技术演进趋势,探索阻变存储器阻变层材料技术未来的发展方向。     

新型低维铁电材料及其器件

低维铁电薄膜是一种得到广泛研究的铁电存储器的核心材料,其利用自发极化这一本征特性来实现信息存储铁电材料的极化方向在外加电场作用下以超快速度进行切换,切换后的电畴具有保持特性利用该原理的新型存储技术可以实现高速、低功耗、非破坏性读取以及超高密度存储传统铁电材料受到临界尺寸限制,即随厚度减薄到极限尺寸后材料失去铁电特性,为此发展了大量的新型二维铁电薄膜,突破了以上临界尺寸的限制,为未来集成通用存储器带来了希望该文综述了铁电材料相关背景及研究理论;报道了低维铁电钙钛矿薄膜畴壁电流相关研究以及基于第一性原理的二维铁电材料理论研究和实验论证;阐述了基于这些新型低维铁电材料的铁电畴壁存储器,基于氧化铪的铁电场效应晶体管,以及铁电二极管的工作原理;总结了低维铁电材料及其器件这一崭新领域目前所面临的挑战,以及对未来进行了展望     

一类二维抛物型方程的有限差分方法

针对一类二维抛物型方程,建立了一个在空间和时间方向上均具有二阶精度的有限差分格式,并分析其稳定性.比较以往算法,该格式具有精度相对较高,无条件稳定等优点.     

水污染的二维数学模型的数值计算

分析水污染传播问题二维数学模型的两种计算格式：显格式和隐格式;证明其相容性、稳定性和收敛性,并给出数值例子。     

二维均匀分布独立与同分布的判断方法

通过3个例题,总结了二维均匀分布(X,Y)中2个分量X与Y独立与否以及是否同分布的简单判断方法,该方法具有较强的实用性.     

阻变存储单元中元素的三维分布

近年来,人工智能、大数据、物联网等领域的快速发展,使新原理信息存储器件的设计、制造成为半导体等产业的重点发展方向阻变存储器因具有优异的存储特性、良好的尺寸化能力、易于高密度集成等显著优点,被视为下一代非挥发性存储器的理想解决方案但是由于发生电阻转变的区域难以观测,阻变器件的转变机制一直存在争议该文利用飞行时间 二次离子质谱对阻变存储单元中元素的三维分布进行探测,有效地证明了电阻转变机制与金属电极原子的扩散无关,而是由氧化物薄膜本身的电学特性所决定的该文的工作对阻变存储器件的机理探究、设计制备和性能改进具有十分积极的意义     

二维Bi_2Se_3薄膜的制备及光电性能研究

二维材料由于其优异的电学和光学性能使其在光电器件领域得到了广泛关注.Bi_2Se_3是一种基于强自旋轨道耦合作用形成的拓扑绝缘体,具有高热电系数,一个相互交错的Dirac表面态,且只存在一个Dirac点,是一种理想的拓扑绝缘体材料,有潜力成为室温低能耗的自旋电子器件.该文使用气相沉积法分别在SiO_2/Si基底和柔性PI基底上生长出了连续、高质量的Bi_2Se_3薄膜,在此基础上构建了Bi_2Se_3光电探测器,测试结果表明Bi_2Se_3薄膜材料具有优越的宽波段光谱响应性能,并在柔性PI基底上表现出优异的抗疲劳性能,在新一代柔性光电器件领域有着非常大的应用潜力.     

AutoCAD中三维向二维的转换研究

介绍了AutoCAD中将已创建的三维实体生成《机械制图国家标准》规定表达方式的操作方法和技巧.     

基于二维小波变换的图像边缘检测方法

在不同尺度下图像突变点可以通过它的小波变换局部极大值为检测。该文给出了一种基于二维二进小波变换的图像边缘提取方法。这种方法通过对二进尺度下二维小波变换图像局部极大值的检测得到图像的边缘信息,文中给出的实验结果表明该检测方法是十分有效的。     

一种改进的二维Otsu图像分割算法研究

对当前的二维Otsu阈值分割算法进行了改进,降低了计算的复杂度使用两个一维的Otsu算法来求出二维Otsu算法所需要的阈值,并在算法中引入了最小类内离散度的概念,利用遗传算法寻找出最优的阈值,以消除二维算法需要在整个图像内搜索的弊端,促进了算法的整体性能的提升与其他文献中算法相比,证明了该文算法的可行性,在时间上要大大优于其他算法,并且分割效果也相对理想     

铈调变锰基钙钛矿化合物的制备及性能研究

通过柠檬酸法制备了La_(1-x)Ce_xMn_(0.6)Fe_(0.4)O_3(x=0-0.5)系列化合物,采用XRD、IR、BET进行了分析和表征。XRD、IR分析表明:铈的调变量对钙钛矿结构有一定的影响,x=0.2时,为单一钙钛矿结构,调变量增大时,为钙钛矿和CeO_2相。比表面测定结果表明:x=0.2时比表面积最大。负载到载体上活性测试结果为x=0.2的催化效果最佳。     

与CMOS工艺兼容的氧化铪基铁电材料的亚稳相及其存储器器件力学

该文对新型的氧化铪基铁电晶体管存储器的巨大优势及其面临的工程和科学问题进行了详细评述,提出了存储器"器件力学"的概念.作为电子信息技术最核心的存储器是衡量国家综合实力和关系国家安全的战略性技术,我国全部依赖进口,几乎不能做到自主可控.新型存储器是我们"变轨超车"的绝佳机会.氧化铪基铁电晶体管(FeFET)存储器与CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺完全兼容,这就为其产业化创造了得天独厚的先天条件.HfO_2基铁电薄膜的FeFET存储器与CMOS兼容,可以实现FinFET(鱼鳍3D架构),可以突破后摩尔时代、有望填补"存储鸿沟",具有超高抗辐射能力、能耗低等突出优点,将引领新型存储器的发展方向.疲劳性能不是很好、存储器存储窗口的均匀性欠佳是限制氧化铪基FeFET存储器产业化的技术瓶颈,即工程问题.亚稳相、复杂界面效应、存储器"器件力学"的理论基础不清楚是限制与CMOS工艺兼容的氧化铪基铁电存储器产业化的关键科学问题.需要从氧化铪基FeFET存储器面临的工程问题提炼出基础科学问题,通过氧化铪基材料的铁电物理本质、亚稳相及其本构关系的研究,将界面的物理力学性能研究作为一个桥梁,提出栅极电压V_G即"场效应"和"铁电性"双控制因素下的存储器"器件力学"理论模型和实验研究方法,从而为解决氧化铪基FeFET存储器的技术瓶颈提供理论和实验支撑.     

于频变负阻的无源梯形网络的有源模拟

提出了一个用频变负阻作为有源元件实现的无源梯形低通网络结构,而频变负阻只需要两个第二代电流传送器和三个无源元件.该有源RC低通网络具有无源低通原型的低灵敏度特性.     

二维七参数坐标转换的实验研究

本文对二维七参数模型的精准度进行实验证实,并且将二维七参数的模型与标准七参数的模型进行比较研究。实例验证表明,二维七参数与标准七参数相差甚大,二维七参数模型精度不高。因此,坐标转换不应该通过二维七参数模型的方式测试进行,在勘察工程的实际应用中,尽量不要使用二维七参数模型。     

基于差分进化的二维熵图像分割

二维熵图像分割方法利用图像的局部空间信息,分割结果优于一维熵分割法,但计算效率较低.遗传算法和粒子群算法等最优化算法能提高二维熵图像分割方法的效率,却不能保证获得全局最优阈值.为此,提出一种基于差分进化算法的二维熵图像阈值分割法,用局部搜索策略提高搜索最优阈值的精度.实验表明,所提出的方法有良好的鲁棒性,能保证获得最优阈值.与基本的二维熵图像分割法相比,分割速度有很大的提高.     

二维经典气体的热力学性质

利用正则系统理论推导了二维的单原子分子经典气体的物态方程的表达式,对结果作出了理论分析,利用统计表达式计算了二维气体的内能和热容量.根据气体速率分布函数,计算出了常见的3种速率.     

一类二维抛物型方程的有限差分方法

针对一类二维抛物型方程,建立了一个在空间和时间方向上均具有二阶精度的有限差分格式,并分析其稳定性.比较以往算法,该格式具有精度相对较高,无条件稳定等优点.     

基于频变负阻的无源梯形网络的有源模拟

提出了一个用频变负阻作为有源元件实现的无源梯形低通网络结构，而频变负阻只需要两个第二代电流传送器和三个无源元件。该有源RC低通网络具有无源低通原型的低灵敏度特性。     

域上二维线性半群的同态

在域上二维线性群同态已被[1]刻画的基础上,全面描绘了域上两个独立的域上二维线性半群之间的同态形式.