二维层状In_2Se_3铁电材料的光敏传感性能研究

α-In_2Se_3是一种同时具有稳定面内和面外极化的窄禁带二维铁电材料,探究其铁电极化与光电导性能关联对促进其光敏传感器的应用具有重要意义.该文采用微机械剥离法获得了平面尺寸在50μm以上的α-In_2Se_3纳米片,利用原子力显微镜研究了其自发极化特性.制备了Pt/α-In_2Se_3/Pt光敏器件单元,研究了明暗条件下Pt/α-In_2Se_3/Pt器件单元I-V特性以及高压极化对光敏性能的影响.结果表明:二维层状α-In_2Se_3具有较好的光敏性能,且高压极化将大幅优化器件的光敏特性.高压极化使器件的响应时间明显缩短, 1 V电压明暗条件开关比提高至10~3以上.可见,铁电极化对于α-In_2Se_3纳米片的光电导效应具有重要影响,高压极化操作能够有效地提高其光敏性能.     

吸附Pb原子的Bi_2Se_3薄膜的能带结构

基于考虑自旋轨道耦合的第一性原理方法,研究了Bi_2Se_3薄膜和吸附铅原子的Bi_2Se_3薄膜的能带结构.计算发现铅原子在Bi_2Se_3薄膜能带中Γ点附近的量子阱态中引起了大的Rashba自旋劈裂.另外,在Bi_2Se_3薄膜能带中Μ点附近也引起了明显Rashba自旋劈裂.吸附铅原子的覆盖率会对以上的Rashba劈裂产生比较大的影响.     

二维Bi_2Se_3薄膜的制备及光电性能研究

二维材料由于其优异的电学和光学性能使其在光电器件领域得到了广泛关注.Bi_2Se_3是一种基于强自旋轨道耦合作用形成的拓扑绝缘体,具有高热电系数,一个相互交错的Dirac表面态,且只存在一个Dirac点,是一种理想的拓扑绝缘体材料,有潜力成为室温低能耗的自旋电子器件.该文使用气相沉积法分别在SiO_2/Si基底和柔性PI基底上生长出了连续、高质量的Bi_2Se_3薄膜,在此基础上构建了Bi_2Se_3光电探测器,测试结果表明Bi_2Se_3薄膜材料具有优越的宽波段光谱响应性能,并在柔性PI基底上表现出优异的抗疲劳性能,在新一代柔性光电器件领域有着非常大的应用潜力.     

二维铁电材料In2Se3的研究进展

近年来,二维材料以其丰富的物性吸引着众多科研工作者的兴趣铁电性是指材料内部自发且可以通过外加电场进行调控的电极化的一种物理特性,在众多实际应用中发挥着不可替代的重要作用然而,在二维材料体系中,垂直于二维面的面外极化铁电性相对来说鲜有发现该文着重介绍近年来所发现的一类同时具有面内和面外极化且相互耦合的二维铁电材料In2Se3的研究进展,包括最初的理论预言,随后的实验验证,及近期在其器件应用方面的探索     

几种薄膜太阳电池开发的现状及进展

本文综述了α-Si、Cu In Se_2/CdS、CdS/CdTe和T_iO_2/Se等薄膜电池的研制现状及进展,并讨论了其发展前景。     

二维α In2Se3的物理性质及其应用

二维（2D）材料是一类具有原子级别厚度的层状材料,其物理性质包括了绝缘、超导、金属、光电、压电、铁电和磁性等.α In2Se3是一种特殊的2D材料,因其面内 面外耦合室温铁电性的发现掀起了科研人员对它的新一轮研究热潮.α In2Se3作为铁电体本身具有压电性和铁电性,另外,α In2Se3还具有良好的光电响应,故2D α In2Se3在微型压电马达、非易失性铁电存储器、光电探测器等领域有丰富的应用价值.该文首先回顾了2D α In2Se3材料物理性质研究的相关背景,并针对α In2Se3在技术应用上较为重要的光电性、压电性以及铁电性做了详细介绍,最后总结了2D α In2Se3的研究和应用进展.     

纺锤形α—Fe2O3微粒的合成研究

研究了使用NaH_2PO_4作生长助剂,利用Fe(NO_3)_3水溶液强力水解制备纺锤形α-Fe_2O_3微粒的较适宜条件.发现在沸腾回流的动态环境下,可以实现较高Fe(NO_3)_3浓度和较短水解时间内完成纺锤形α-Fe_2O_3粒子的合成.这对实现无极磁粉新的合成方法和均匀胶体粒子制备具有重要意义.     

一步自助熔剂法制备K_xFe_(2-y)Se_2的超导电性研究

本文研究了采用一步自助熔剂法制备K_xFe_(2-y)Se_2单晶样品,其超导转变温度达到32.7K,由于一步自助熔剂法的烧结工艺提高了K、Fe和Se元素的分布均匀性,从而保证了较好的样品品质以及合适的化学计量比。     

一种可以实现线-圆和线-交叉极化转换的反射型超表面

提出了一种可以通过反射同时实现2种不同极化形式的极化转换超表面.仿真结果表明,该超表面在频带范围14.21～16.70 GHz内可以实现比较理想的线-圆极化波的转换,并且可以在近5GHz的频带范围(25.50～30.42GHz)内实现线-交叉极化波的转换,且极化转换率的均值高达97%左右.该极化转换超表面在毫米波雷达、天线设计等军事领域具有广泛的应用价值.     

分圆多项式系数的上限

利用将多项式分项相除的计算分圆多项式系数的简洁算法 ,证明了当p1 ,p2 ,p3(p1 相似文献   

赝三元半导体致冷材料的研究

研究出高优值系数的P型和N型赝三元系Bi_2Te_3-Sb_2Te_3-Sb_2Se_3半导体致冷材料,在室温附近最高优值可达到3.2×10~(-3)/K以上。讨论了晶体结构特点和生长条件对材料温差电特性的影响。     

放大器型双极化有源微带天线阵的理论与实验

基于Green函数法推导出角馈双极化微带天线单元的输入阻抗和互阻抗的闭合表达式,并用腔模理论分析了其阵列的主极化和交叉极化方向图.设计了一副4×4元天线阵与低噪声放大器相接,将天线阵增益提高了12dB.有源器件对天线阵的方向留影响较小,方向图主瓣范围内交叉极化低于-36dB.有源天线阵的VSWR带宽和隔离度均大于无源天线阵.     

α-K_4H_2[SiW_(11)Co(H_2O)O_(39)]·xH_2O的热稳定性及动力学三因素的测定

通过热重-差热分析(TG-DTA)、溶解性实验、变温红外等手段,对K eggin结构杂多化合物α-K4H2[SiW11C o(H2O)O39].xH2O的热稳定性及动力学三因素进行了系统测定,得出热分解反应的积分动力学方程g(α)=[1-(1-α)1/3]1/2、活化能Eα=11.42kJ/m o l、指前因子lnA=13.25~14.26.     

中下颈椎椎弓根通道不同外偏角方向变化规律的数字解剖学研究

应用数字技术探讨中下颈椎椎弓根在头尾偏角不变而不同外偏角方向通道投影的变化规律.原始数据来源于1例健康成人头颈部的CT连续断层扫描数据集,将CT连续断层扫描数据导入Mimics 8.11软件,三维重建颈椎数字解剖模型,然后将重建的结果以.stl格式保存,将椎骨数字模型导入Imageware 10.0软件进一步分析.三维重建得到C3~7数字模型,从不同方向观察各椎骨形态正常;得到C3~7在不同外偏角方向椎弓根通道点云投影及其内边界、内切圆;模拟植入C3~7各个节段不同外偏角方向最大螺钉.     

Keggin结构三取代杂多配合物氧化还原性质的研究

采用电化学方法研究钛和过氧钛三取代 :α -K8H2 [SiW9Ti3 O40 ]·1 5H2 O ,β -K7H3 [SiW9Ti3 O40 ]·1 5H2 O ,α -K9H3 [SiW9(TiO2 ) 3 O3 7]·1 2H2 O ,β -K8H2 [SiW9(TiO2 ) 3 O3 7]·1 0H2 O .K9[PW9Ti3 O40 ]·5H2 O和K9[PW9(TiO2 ) 3 O3 7]·6H2 O的氧化还原性质 .实验结果表明 :过氧型杂多配合物的氧化性大于非过氧型的氧化性 .对Keggin结构的同一类型杂多配合物 ,当中心离子不同时对其氧化性有影响 .当中心离子为P时其氧化性强 .对同一类型杂多酸盐 ,α和β两种异构体时 ,一般 β型的氧化性大于α型的氧化性 .     

具有随机扰动强度的冲击预测模型

基于历史数据信息,提出了具有随机扰动强度的冲击预测模型.在预测步长大于和小于给定模型阶数的情况下,分别给出了冲击强度未来n步的估计值Y_(t+n)|Y_t,Y_(t-1),….在正态假设下,推导出预测值置信水平为1-α的置信区间.     

模拟酸雨对20钢腐蚀行为的影响

20钢由于其适中的强度硬度,良好的塑性、韧性和可焊性,在现代工业中应用极为广泛。针对20钢在模拟酸雨中的研究较少的情况,以20钢为研究对象,借助CS系列电化学工作站,首先考察了其极化曲线特点,其次通过改变模拟酸雨pH值、阴离子和浸泡时间,考察其对电化学腐蚀参数和腐蚀速率的影响。结果表明：(1)阴极极化率大于阳极极化率,属于阴极控制过程,腐蚀速率主要受阴极过程的影响;(2)随着模拟酸雨pH值的增加,腐蚀电流密度逐渐减小,腐蚀速率呈减小的趋势,临界点pH值为3;(3)不论是哪种阴离子模拟酸雨溶液,其阴极极化率均大于阳极极化率,属于阴极控制过程,NO^-₃腐蚀速率最大,Cl^-腐蚀速率最小;(4)随着浸泡时间的增加,腐蚀电流密度逐渐减小,腐蚀速率呈减小的趋势,临界值为8 h。研究所得结论对20钢的腐蚀与防护具有重要意义。     

用酵母双杂交筛选与AP-2α相互作用的因子

AP—2α是重要的转录因子家族AP—2α的成员之一，为了研究AP—2α在体内的转录调控方式及与其直接相互作用的蛋白因子，用AP—2α作为饵蛋白通过酵母双杂交系统筛选HeLa细胞的cDNA库，筛选得到的一个阳性克隆中，经鉴定含有人TESTIN基因cDNA片段自5876bp起始的完整3′端序列，将此TESTIN片段引入GST基因融合系统成功的进行了表达，得到大小约45kD的GST—TESTIN融合蛋白，用于多克隆抗体的制备，用Western—blot检测TES—TIN和AP—2α在HeLa细胞中的表达和定位，结果表明：TESTIN的表达主要在细胞质中，细胞核内也有少量表达；而AP—2α表达主要集中于细胞核内，它们的相互作用可能与AP—2α在细胞内分布及其调控基因转录的方式有关。     

Fe75Nb8B15Zr2非晶合金的晶化过程研究

采用单辊快淬法制备Fe75Nb8B15Zr2非晶合金,对该非晶合金进行不同温度的等温退火,研究其晶化过程及结构变化.利用示差热分析仪(DTA)确定样品的退火温度,利用X射线衍射(XRD)测试其相结构.结果表明:Fe75Nb8B15Zr2合金在快淬速率为38 m/s时呈完全非晶状态,随着退火温度的升高,α-Fe相逐渐析出,并伴随有硼化物(Fe3B和Fe2B)析出.Fe75Nb8B15Zr2非晶合金的晶化过程:非晶→非晶+α-Fe→α-Fe+Fe3B→α-Fe+Fe3B+Fe2B.     

转录因子AP-2α与ACTN1、TES的相互作用

AP-2α是转录因子AP-2家族中的重要一员,与发育和细胞生长、分化和凋亡都有密切的联系.本文用酵母双杂交的方法筛选得到两个与转录因子AP-2α相互作用的蛋白,经测序鉴定分别为ACTN1与TES基因.在先前对AP-2α与TES基因分别克隆并在表达的基础上,进一步克隆并表达了ACTN1基因,并证实了ACTN1蛋白与AP-2α能够在体外相互作用.而且免疫共沉淀的结果表明在HeLa细胞系中过表达的AP-2α与TES蛋白能够处于同一复合体中.同时发现HeLa细胞系中,内源表达的ACTN1蛋白与GFP-TES有明显的共定位.结果提示这3种蛋白可能存在于同一个大的复合体中,通过这样的结合完成复杂的调节功能.