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以ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ为例,在有效质量的近似下,讨论了双抛量了阱吕类氢杂质的结合能,结果表明：（１）双方量子阱中类氢杂质的结合能是双抛阱中杂质结合能的１．３倍;（２）无论杂质在阱中还是垒中,不仅垒宽和阱宽影响其结合能,而且Ａｌ的掺杂度ｘ也是影响结合能的一个重要因素。 相似文献
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在有效质量近似下，利用变分方法研究了像势对量子阱中类氢杂质结合能的影响。计算中考虑到了阱和垒中电子有效质量的不同。数值计算结果表明：阱和垒中质量的不连续只对阱宽较窄的区域有影响，而像势则在整个区域都有影响．对于阱和垒中介电常数之比较大和阱宽较小的量子阱，考虑像势对阱中杂质结合能的修正是非常必要的 相似文献
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采用无限深势阱模型,变分法计算了磁场对截面为方形的一维量子阱线中类氢杂质基态束缚能的影响,同时还讨论了施主离子位置的变化对束缚能的影响。计算结果表明外加磁场使得体吵缚能增加,杂质离子位于阱中心时,束缚能最大,位于正方形的某个角点时,束缚能最小。 相似文献
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在有效质量近似下,采用简单的变分波函数,定量计算了无限深对称GaAs/AlGaAs耦合双量子盘在沿轴向不同强度磁场的作用下,类氢杂质体系的基态束缚能随量子盘的半径、中心垒厚、盘厚度的变化.发现,体系束缚能由空间限制作用和磁场限制作用共同决定:在空间限制比较弱时磁场强度对束缚能的影响变得更加明显,当空间限制强时磁场对束缚能的影响变得微弱.还发现,由于2个量子盘间的耦合作用使耦合双量子盘的结果比单量子盘结果偏小.在耦合双量子阱的极限条件下所得的结果与前人的结果符合得很好. 相似文献
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磁场对正方体量子点中类氢杂质束缚能的影响 总被引：4，自引：0，他引：4
利用有效质量近似，计算了磁场影响下正方体量子点中类氢杂质体系的束缚能，与相同条件下量子线以及球形量子点的束缚能进行了比较，得出合理的结果；并对其物理意义进行了分析。 相似文献
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运用三参数变分法,研究了在垂直于生长方向的磁场作用下抛物量子阱中类氢杂质态的束缚能和1s→2p-态跃迁能.结果表明,束缚能和跃迁能随阱宽变化有一极大值;束缚能随磁场单调增加,而跃迁能随磁场的变化出现了极小值. 相似文献
9.
利用精确对角化方法计算了外加磁场下类氢施主杂质量子点中的激子的束缚能,发现系统的束缚能随着量子点的束缚势的增大而减小,随着外加磁场的增大而减小. 相似文献
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研究了在磁场B中受带电杂质影响的2维2电子量子点的特性。带电杂质被固定在z轴上且与量子点所在的平面的距离为d。 用直接对角化方法获得了2电子量子点的低态能谱,计算了其基态角动量L0和自旋S0随B、d的演化, 归纳结果于(L0,S0)相图中。 (L0,S0)图表明：基态L0和S0跃迁以特殊的方式匹配。 相似文献
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探讨了磁场B和杂质对二维激子低态能谱的效应.杂质被固定在z轴上且与激子所在的平面的距离为d.用直接对角化方法获得了激子低态能量E随B和d的演化.当d一定时,对于中性杂质(或者无杂质) 和带正电杂质,E随B的增加而增加.而对于带负电杂质,激子的角动量L等于0时,能量E曲线上升;L等于1、2、3时,能量E曲线先下降后上升.当B一定时,对于带电杂质,E先随d增加而急剧增加,后随d增加而几乎不变. 相似文献
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研究了各向异性施主杂质态和半导体结构束缚下,各向异性施主杂质态中电子运动的经典行为.研究发现:由于对称性发生了破缺,电子在原子附近的运动呈现了混沌特性.在半导体结构的作用下,原子附近的轨道在很短时间看有近似的规律,但长时间观察,运动仍是混沌的.如果体系的能量很大,电子逃离到离原子很远处,此时半导体结构开始起主导作用,混沌行为逐渐消失.根据计算结果和量子混沌理论可以定性地了解该模型高激发态的一些性质. 相似文献
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使用少体物理方法，计算了在不同的磁场，杂质作用下二维3电子量子点基态的能量和角动量，获得了它们受磁场和杂质影响的结果，并且从动力学和对称性两方面对结果进行了分析。 相似文献
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萨茹拉 《内蒙古师范大学学报(自然科学版)》2005,34(4):430-433
采用变分法,研究了外界磁场对抛物量子阱中基态能量的影响．并给出抛物量子阱CaN／AlxCa1-xN中的数值结果．研究结果表明,基态能量对磁场强度的变化很敏感,并随着外磁场的增加而增加;磁场对基态能量的贡献随着阱宽的增大而增大． 相似文献