O~(20)、Ne~(20)能谱的壳模型计算

本文利用过去得到的关于1d5/2、2d5/2壳层等效核力的二体矩阵元,计算了O~(20)的能谱。此外,补充确定了库伦矩阵元并利用这些矩阵元对Ne~(20)的能谱作了计算。计算时考虑到1d5/2、2s1/21壳层全部可能有的组态混合。结果表明:对于O~(20),理论上算出的能级结构与实验相符;对于Ne~(20),基态和实验相符,在能量比较高的地方(8—9MeV处)理论和实验符合得也很好久但对于Ne~(20)的第一激发态(2~+)和第二激发态(4~+),按照此模型完全不能解释。     

A=18、19原子核能谱的壳模型分析

本文采取 Talmi 方法,将核力的二体矩阵元当作参数,用多粒子壳模型理论详细分析了 O~(18)、F~(18)、O~(19)、F~(19)等原子核的能谱。计算时考虑了1d_(5/2)、2S_(1/2)壳层全部组态的混合.结果找到一组比较好的参数,按照这组参数,理论上预言的能级结构和实验很相符合.     

S4+离子3s2-3s3p和S5+离子3s-3p电子碰撞激发截面

利用全相对论扭曲波电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了阈值附近不同入射电子能量下S~(4+)离子基态3s~(21)S_0到激发态3s3p ~3P_(0,1,2)~1P_1和S~(5+)离子基态3s ~2S_(1/2)到激发态3p ~2P_(1/2)~2P_(2/3)精细结构能级的碰撞截面,在两种关联模型下,分析了组态相互作用对碰撞截面的影响.目前的计算结果与Wallbank实验值~([14])相比,得到很好的一致性.     

1d_(3/2)—1d_(3/2)原子核壳层基态结合能的计算

原子核壳层模型现已成为核结构理论的基础,其基本思想在于原子核内存在着一个好的自洽场与弱的剩余相互作用。文献〔1〕、〔2〕用壳层模型计算了一些轻核的结合能,取得了较满意的效果,其工作本身也是对壳层理论的检验。但其共同的特点是用实验值来确定参数,从而躲过了这些参数对自洽场径向波函数以及剩余相互作用的依赖关系,因而对它们的具体形式没有提供多少信息。 本文采用谐振子波函数,假定核子间的剩余相互作用为修正的δ-相互作用,计算了1d_(3/2)—1d_(3/2)壳层原子核的基态结合能,取得了较满意的结果。     

高能中微子在p~(31)上的俘获截面

本文使用V-A型等效费米弱作用哈密顿计算了v_1+P~(31)→S~(31)+1(1=e~-或μ~-)的反应截面。     

热液体系中硫同位素的瑞利分馏

1972年,大本(Ohmoto)定量地估算了成矿热液的物理化学状态对矿物硫同位素組成的影响,这种函数关系可表达为:δS_i~(34)=f(δS_(ΣS)~(34),T,fo_2,pH,I)。式中δS_i~(34)为热液或沉淀矿物中第i类含硫原子团的硫同位素組成;δS_(ΣS)~(34)为热液总硫的平均同位素組成;T,fo_2,pH,I分别为热液的溫度、氧逸度、酸碱度和离子强度胖赜懻摿嗽讦腟_(ΣS)~(34)不变的前提下,T、fo_2、PH、I对硫同位素組成的影响,以及热液总硫浓度m_(ΣS)对矿物稳定場的影响?詍_(ΣS)来說,由于我們必須把δS_i~(34)等值綫位置与矿物稳定場加以对照,才能討論旷物的δS~(34)值。因此,在这个意义上說,m_(ΣS)也能确定矿物的δS~(34)值。但由于δS_(ΣS)~(34)不变这一前提,m_(ΣS)并不影响上述关系式。大本所指的δS_(ΣS)~(34)不变这一前提,意味着两种情况;或者热液与矿物之間不发生同位素分餾;或者虽然发生分餾,但沉淀所带走的硫与剩余硫量相比,可以忽略不計。前一种情况     

单叶函数 GRUNSKY 不等式的积分形式

本文给出了单叶函数就范族∑、∑~(-1)、∑_k、∑_k~(-1)、S、S~(-1)、S_k、S_k~(-1)的 Grunsky 不等式的积分形式。作为初步应用,研究了族 S′_k~(-1)的函数 G(w)在 w=0某邻域的 Tayler 展开式G(w)=w+d_3w_~3+d_4w~4+……的系数估值,并获得:|d_3~|≤k,|d_5|≤2k-1/(3!)k(1-k)(9+3k)≤2k,|d_7~|≤5k-1/(4!)k(1-k)(84+31k+k_~2)≤5k,|d_5|≤14k-1/(5!)k(1-k)(1320+1582k+533k_~2+55k_~2)≤14k。从而推广了文献[3]中的一系列结论。     

Si~(29)、P~(29)、P~(31)和W~(183)的非轴对称转动能谱

我们分析了Si~(29)、P~(29)、P~(31)和W~(183)的低激发能谱,发现可以用j=1/2粒子和核心的非轴对称转动耦合的能谱来解释。     

Skyrme模型中的拓扑结构

Skyrme模型具有丰富的拓扑结构,包括重子数拓扑π_3(S~3)、磁单极拓扑π_2(S~2)和壳层拓扑(径向激发量子数)π_1(S~1)等.首先讨论QCD与Skyrme模型之间的关系,并通过QCD中的磁单极拓扑性质进一步讨论Skyrme模型中重子数拓扑分解问题.此外还将具体求解Bogomol’nyi-Prasad-Sommerfield(BPS)Skyrme模型中的具有不同磁单极拓扑数和壳层拓扑数的BPS skyrmion解.     

YBCO超导体中化学键与电子结构

本文用半经验CNDO/2量子化学计算方法,对YBCO的结构单元及晶胞作了计算,结果指出:1.采用簇模型不能较好地反映YBCO晶体性质。2.YBCO中Cu(2)的氧化态为( 2),Cu(1)的氧化态为( 1.5),Cu(1)也可能是在( 2)与( 1)两个氧化态之间共振。3.铜的电子组态分别为Cu(2)(d_(xy)~2d_(x2)~2d_(yz)~2d_(x~2-y~2)~1d_z~(2_2)),Cu(1)(d_(xy)~2d_(xz)~2]d_(yz)~2d_(x~2-y~2)~2d_(z~2)~1)。这种组态是YBCO形成层状氧缺位结构的主要原因。4.超交换作用在YBCO中普遍存在,但铜-氧面间这种作用最大,超导电流在其间进行最为有利。5.Y,Ba在YBCO中的主要作用是促成Cu(d_(xy))与O(P)形成最高占领杂化带。     

壳层模型中的两体相互作用矩阵元(一)

本文详细介绍了壳层模型中用谐振子波函数计算各种两体中心力的矩阵元的方法,列出了大量的计算公式。并以|f7/2壳层中的核子为例,具体阐明了这些矩阵元的计算方法。     

类硼S离子高自旋态6Pe-6Po的辐射跃迁

利用Rayleigh-Ritz变分方法计算了类硼S离子内壳层激发高自旋六重态1s2s2p~2np~6 P~o(n=3-9),1s2s2p~2 n′s、1s2s2p~2 n′d ~6 P~e(n′=3-5)的电偶极辐射跃迁振子强度、辐射跃迁率、辐射跃迁波长,讨论了类硼S~(11+)离子1s2s2p~2 np ~6 P~o里德堡系列激发态的辐射跃迁规律.本文的计算结果将为相关实验光谱鉴定提供有价值的理论数据.     

22MeV质子在13C上弹性及非弹性散射微分截面的全微观分析

作者在9°～130°散射角范围,测量了22MeV质子在12C,13C上的弹性散射微分截面以及在13C 核1/2+(3.09MeV),3/2-(3.68MeV)和5/2+(3.85MeV)激发态上的非弹性散射微分截面.对12C,13C弹性散射微分截面进行了微观光学势分析,计算结果能较好地描述实验数据.采用全微观扭曲波玻恩近似(DWBA)理论对非弹性散射实验数据进行了分析.通过小角区实验数据与理论计算结果的比较,进一步证实了13C的1/2+(3.09MeV)激发态存在中子晕结构.根据13C 核1/2+(3.09MeV)激发态的其它实验结果,对1/2+(3.09MeV)态的壳模型单体密度矩阵元(OBDME)进行了修正.修正后的壳模型OBDME能较好地描述从电子散射实验得到的1/2+(3.09MeV)态的纵向和横向形状因子(form factor)以及547MeV质子非弹性散射微分截面.另外,作者在1/2+(3.09MeV)态的质子非弹性散射实验中观察到微分截面位于120°附近的一个宽峰,该峰可能与核的π场效应(pion field effect)有关.全微观DWBA计算结果大体上能给出3/2-(3.68MeV)和5/2+(3.85MeV)激发态实验数据的幅度大小,但对细节的描述还不能令人满意.作者的研究还表明了对13C核作仔细的大规模壳模型计算以及基于现代核子-核子力构造低能区密度依赖的完整的有效相互作用的必要性.     

多硫化钠浸金研究

本文中研究了用多硫化钠作浸出剂浸出锑锍中的金。根据实验和理论分析,认为多硫化物浸金具有如下反应: 6Au 2S~(2-) S_4~(2-)=6AuS~- 8Au 3S~(2-) S_5~(2-)=8AuS~- 6Au 2HS~- 2OH~- S_4~(2-)=6AuS~- 2H_2O 8Au 3HS~- 3OH~- S_5~(2-)=8AuS~- 3H_2O考察了粒度、温度、硫化钠用量、加硫量、氢氧化钠浓度、液固比、时间等因素对金浸出率的影响。在研究所得的最佳条件下,金的浸出率稳定在93％以上。     

ON THE DISCRETE APPROXIMATE SOLUTION AND ESTIMATION OF ITS ERROR OF THE NONLINEAR SINGULAR INTGRAL EQUATIONS

With the help of discrete singular operator S this paper deals with the discretization of the equationsWe divide interval [a , b] into 2N parts: [t_i, t_(i+1)], with i=1 ,2 ,… ,2N, where t_1 =a, t_(2N+1)=b,t_(i+1)-t_i=(b-a)/2N=h_N, i=1,2,…,2N.From [1], linear operator S(N): E_(2N-3)→E_(2v-3), for all Z=(z_3,z_4…,z_(2N-1))∈E_(2n-3),S~(N)Z=(S_2~(N)Z,S_4~(N)Z,…,S_((2N-1)~(N)) Z), there will be     

萤火虫图距离矩阵的两个最大特征值和的下界

令n=2r+2t+s+1(r,s≥1,t≥0),Sn-t是一个n-t阶的星,将S_(n-t)中的r对不同的点分别用r条边连接,在另外的t条悬挂边上分别接上一条边,得到的图叫作萤火虫图.令图G是n个点的萤火虫图,主要确定了图G的距离矩阵D(G)=(d_(ij))_(n×n),距离拉普拉斯矩阵L_D(G)与距离无符号拉普拉斯矩阵Q_D(G)的两个最大特征值和的下界.     

快度分布的中心密度

本文在ρ_n(0)是n和S~(1/2)的函数的假定下,找到了赝快度分布的无标度性成立的条件。从多火球独立产生模型出发,计算了ρ(0)及ρ_n(0)/ρ(0),其结果与实验是一致的。预言了S~(1/2)=2TeV和40TeV的ρ(0)和ρ_n(0)/ρ(0),给出了ρ_n(0)/ρ(0)的极限。     

新稀土—硅—硫三元化合物RE_6Si_(10/3)S_(14)(RE=Y和Gd)的合成及其晶胞参数的测定

利用双层石英管法对RE—Si—S三元体系进行了研究(RE=Y和Gd),发现在1200℃时生成了黑色柱状新化合物单晶,经电子探针分析和结构解析表明,此三元化合物为RE_6Si_(10)/_3S_(14),属于六方晶系,空间群为P6_3,Z=1。用RU—200型四园衍射仪收集到1025个独立衍射点,取3σ以上可观测点727个,结构参数精算至R=0.052,该化合物具有Ce_6Al_(10/3)S_(14)构型,晶胞参数分别为(1)Y_6Si_(10/3)S_(14),a=9.756(2),c=5.659(2)A;(2)Gd_6Si_(10/_3)S_(14),a=9.852(1),c=5.652(4)A。     

硫离子注入制备N.GaAs薄层

本文讨论了用S~ 注入掺铬的半绝缘GaAs衬底以制备N—GaAs薄层。目的是代替微波低噪声砷化镓肖特基势垒场效应管(SBFET)所需要的GaAs薄外延层。注入条件:能量100Kev,剂量1.5×10~(13)/cm~2,退火温度为825℃,退火时间15分钟。已经做出0.2～0.3μm厚的N型薄层,平均载流子浓度为5×10~(16)～1×10~(17)/cm~3。。载流子迁移率在2600～3400cm~2/V.S的范围。薄层厚度和载流子浓度的均匀性是好的。采用双注入即注入S~ 之后,再注入P~ 可以改善注入层的电特性。利用S~ 注入制备的N—GaAs薄层,已制出SBFET,其跨导和夹断电压可与气相外延薄层制备的SBFET相比拟。     

关于遍历随机矩阵族的遍历指数的上确界

本文提出并证明了S×S遍历随机矩阵族的遍历指数之上确界r_s=s~2-3s+3,发展了原有的r_s≤S~2的结果。对任意给出的S×S随机矩阵P,r_s可用作判断P是否为遍历矩阵。在实用中利用(6)式r(P)≤ls-l+2-g(1),可进一步减少求P的遍历指数r(P)的计算量。