二水硫酸钙成核及生长现象的研究

研究了过饱和溶褐蠧aSO4*2H2O晶体成核及生长现象,同时对垢的形成机理进行了探讨.实验表明,成核延迟时间随溶液过饱和度增大而减小;CaSO4*2H2O晶体生长属于表面反应控制,且与粒径相关,晶体生长速度在(0.5×108～5.8×108)m/s之间(30℃,粒径(28～67)μm,Ca2+浓度0.035mol/L).乙     

气体水合物晶体成核与生长机理研究

气体水合物的形成要经历溶解、成核、生长阶段，通过对均相成核和异相成核的理论研究，确定了晶核形成所需的的条件。根据对气体水合物晶体生长速率的影响因素分析，从理论上明确了生长速率与传热、传质以及动力学特性之间的规律。     

对向靶溅射法成核机理的研究

本文研究了对向靶溅射薄膜的成核机理。给出了在薄膜的生长初期基板上的岛密度随生长条件(如沉积时间、基板温度)的变化。提出了溅射成膜的成核和生长动力学的简单模型,并用此模型对实验结果进行了处理。     

电结晶成核—生长模型的三角波电位扫描响应

本文用半球形模型,考虑了晶核间的重叠,推导出了界面动力学控制下的成核—生长过程的三角波电位扫描的伏安响应。取理想的成核适度和生长速度表达式并设计了计算机程序得出数值解。这些数据表明在阳极反向扫描过程中有电流最大值出现。     

金刚石薄膜在Si(100)上的偏压成核与织构生长的研究

通过微波等离子化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）在镜面抛光Ｓｉ（１００）上生长出高品质的具有（１００）织构的金刚石薄膜．列举了最佳成核与生长条件．ＳＥＭ和Ｒａｍａｎ光谱对所得样品进行了表征,并对偏压的影响及成核生长机制进行了讨论．     

碳纳米管生长机理研究现状及固-液界面生长模型探索

分析讨论了电弧法、激光蒸发法、CVD法制备碳纳米管的生长模型,结合催化剂的熔点,尝试性提出了CVD法制备碳纳米管的固-液界面生长模型.     

GaN生长工艺流程实时监控系统

分析了在ECR-MOCVD装置上外延长生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素，在此基础上，设计了一套由80C31单片机为核心的光电隔离电路和PC机组成的两级系统，用于GaN薄膜外延生长的工艺流程监控，并提出了一种合适的工艺流程监控策略，阐述了如何从软件上确保工艺流程的连续可靠运行。实践证明，轮硬件系统设计合理、抗干扰措施完善，很好地保证了工艺流程的连续可靠运行，实验数据的可靠性和工艺流程的可重复性也大大提高，并以类似系统的工艺过程自动化设计具有一定的指导借鉴意义。     

铜阳极(I)价成相层成核生长机理研究

采用快速小三角波法和电流换向阶跃技术研究了碱性溶液中铜阳极亚铜成相层的物理状况和生长过程，对其成核生长机理进行了探讨。     

硫酸铅基底表面性质对铁矾异相成核生长的影响

选用不同表面特征(粗糙度、表面亲疏水性、比表面积和暴露晶面)的硫酸铅加入铁矾结晶体系中,通过分析反应过程中溶液电导率以及沉淀物形貌、物相、铁含量等性质的变化,考察硫酸铅表面性质对铁矾异相成核的影响规律。研究结果表明：虽然硫酸铅的表面性质不同,但铁矾均会在其表面发生异相成核,而不同表面性质会显著影响铁矾的成核和生长速率;若硫酸铅表面粗糙且亲水性较强,则铁矾的异相成核速率可显著提高,这是因为该表面性质可降低铁矾异相成核的能垒;铁矾的生长速率主要受到硫酸铅表面溶解的影响,当硫酸铅比表面积较大、晶面溶解释放铁矾构晶离子(如Pb²⁺和SO₄^2-)较多时,其表面过饱和度较高,可以提高铁矾的生长速率。     

Si纳米线的气-液-固生长与结构表征

以Au膜作金属催化剂、SiH4作为源气体,基于气-液-固(VLS)生长机制在n-Si(111)单晶衬底上制备出了Si纳米线.利用扫描电子显微镜对样品进行了结构表征,Si纳米线的直径为20～200 nm、长度为数微米到数十微米,X射线能量损失谱分析表明所制备的Si纳米线中含有少量的Au元素.讨论了生长温度、SiH_4流量、Au膜层厚度和生长时间对Si纳米线的形成与结构的影响.     

Si纳米线的Au催化固-液-固生长与结构表征

为:Au膜层厚度为5～10 nm,温度为1 100 ℃,N2气流量为1.5 L/min.     

热蒸发法制备TeO_2纳米线的生长机理

以金属碲粉为原料,在450℃下采用热蒸发法在镀金玻璃基板上成功合成TeO_2纳米线,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜对TeO_2纳米线的结构和形貌进行表征,并对其生长机理进行探讨.研究结果表明,具有四方相晶体结构的TeO_2纳米线直径在70~200 nm之间,长度在几百微米至2 mm.通过对不同生长时间所获得产物的形貌观察,对TeO_2纳米线的生长过程进行了分析,推断TeO_2纳米线是通过气-固机制进行生长,镀金薄膜可能只是起到诱导和加速TeO_2纳米线生长的作用.     

聚合物熔体在强静电场下成核与长大的理论分析

根据经典热力学和动力学两方面理论,推导出了聚合物熔体在强静电场作用下成核率和晶核长大率的表达式,从理论上解释了聚合物熔体在强静电场作用下的结晶行为。     

不同单体配比下半连续乳液聚合的成核机理和粒径分布

以甲基丙烯酸甲酯(MMA)和丙烯酸丁酯(BA)为反应单体、过硫酸钾(KPS)为引发剂、十二烷基苯磺酸钠(DBS)为乳化剂,研究了半连续乳液聚合中单体配比F(MMA/BA的质量比)对体系成核机理和粒径分布的影响.结果表明:在F较大(≥0.75)时,体系以均相成核与胶束成核两种方式成核,F较小(≤0.5)时,体系主要以胶束成核方式成核;BA、MMA单体均聚合成的乳液粒径小于其共聚时的粒径;成核阶段结束时的转化率突变、颜色突变、粒径突变规律是一一对应的.     

谷氨酸柱撑类水滑石的合成及其生长机制

 以MgCl₂·6H₂O,AlCl₃·6H₂O、谷氨酸为原料,NaOH为沉淀剂,采用乙二醇－水热法合成了六方状谷氨酸柱撑类水滑石,样品采用XRD、SEM、TG－DAT、红外、N2吸附－解吸的表征进行了物相、晶体形貌结构、热分析和比表面分析,结果表明采用乙二醇-水热法可获得晶形好、板层结构显著的谷氨酸柱撑类水滑石。文章运用负离子配位多面体生长模型讨论了谷氨酸柱撑类水滑石生长形态及其生长机制,结果发现谷氨酸柱撑类水滑石生长机制符合该模型机制,其生长形态为生长基元先叠合为金属板层,然后板层再吸附谷氨酸根及H2O组成规整的层状结构化合物,乙二醇在其中起了重要的“桥连”作用。     

超临界水中碳酸钾成核机理的分子动力学模拟

针对超临界水对催化剂成核过程的影响机制问题,采用分子动力学模拟方法系统研究K2,CO3在不同温度和密度的超临界水中的成核过程.通过对体系的相互作用能、径向分布函数、配位数及体系氢键网络结构变化的分析,揭示了在K2,CO3成核过程中K+、CO32-与水分子间的相互作用机理.结果表明:在超临界态下,随着温度的升高、密度的降低,水溶液体系氢键结构破坏,水分子与K+和CO32-的作用急剧降低,K+和CO32-在静电作用下可冲破水分子的静电屏蔽,从而碰撞聚合形成离子对,继而进一步团聚成核;体系温度越高、密度越小,K2,CO3越易形成小而分散的团簇.     

深过冷液态金属中的均匀形核

首先讨论了液态金属和非晶金属在结构方面的相似之处，然后讨论了传统形核理论的一些缺陷以及与之相矛盾的一些实验结果，目的是进一步探讨均匀形核的机理。在此基础上，提出了无扩散形核理论及其形核壁垒的公式，并对均匀形核理论的矛盾进行了数学上的论证。无扩散形核理论有效地解释了晶体形核和非晶形核的过程。     

AP-MOCVDGaN材料生长特性

研究低温生长GaN过渡层（缓冲层）在AP－MOCVD生长GaN材料过程中的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对GaN材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化，获得了X射线双晶衍射半峰宽为6’的GaN外延层．