非晶半导体超晶格研究进展

自从江崎和朱兆祥1970年发表了他们对晶态GaAs/GaAlAs周期性多层叠合结构的研究工作以来,半导体超晶格的研究已取得了长足的进步。但是,最初10余年间的工作仅限于结晶半导体。至于非晶(或称无定形),或许是由于这种材料本身的研究历史还不够长,人们在那期间的认识还欠充分。非晶半导体超晶格这个术语出现在科学文献上,还仅仅是最近     

化合物半导体超晶格

1973年美国的江畸与张立纲等采用分子束外延的技术研制成功了一种新型结构的化合物半导体.它不是一种均匀的单一合金成份的晶体,而是由二种极薄的不同合金成份的半导体单晶薄膜周期性地交替迭合在一起而成的多层异质结构.每层薄膜的厚度一般在数十埃至一百埃.人们称做超晶格.最初研制成的样品是由GaAs与Al_(0.5)Ga_(0.5)As交替迭合而成的,如图1所示,共包含几十个周期至一百个周期.     

半导体超晶格与量子阱及其研究进展

70年代初期发展起来的半导体超晶格与量子阱的研究正在深刻地改变着固体物理学和半导体物理学的研究面貌,并且正在对低维物理学、材料科学和微电子科学的研究产生着重要而深远的影响。     

半导体超晶格与微结构的发展模式浅析：纪念半导体超晶格与微结构？…

半导体超晶格与微结构是半导体科学技术发展史上的一颗璀璨明珠。它的确立与发展不仅对现代信息科学技术,而且对低维物理,材料科学和纳米技术的发展,都产生了重要而深远的影响。今天,在崭新的２１世纪来临之际,通过重温它的历史沿革和分析它的发展模式,进而揭示安的内在规律性,以此纪念半导体超晶格与微结构研究发展３０年。     

超晶格密码的研究进展

<正>现代密码学通过密码算法和密码协议将密码系统的安全性归结为密钥体系的安全性,因此密钥管理是信息安全的基础工程,其技术水平决定了整个密码系统的安全性和效益.密钥的产生和分配一直是密钥管理中的瓶颈难题[1](文献[1]中总结真实系统的十大安全威胁时说,密钥无处可存,现代计算装置不能安全地存储哪怕是非常小的     

半导体超晶格与微结构的发展模式浅析——纪念半导体超晶格与微结构研究30年

半导体超晶格与微结构是半导体科学技术发展史上的一颗璀璨明珠。它的确立与发展不仅对现代信息科学技术,而且对低维物理、材料科学和纳米技术的发展,都产生了重要而深远的影响。今天,在崭新的21世纪来临之际,通过重温它的历史沿革和分析它的发展模式,进而揭示它的内在规律性,以此纪念半导体超晶格与微结构研究发展30年。     

半导体超晶格与量子微结构研究30年

半导体超晶格与量子阱系指对电子具有一维量子限制作用的多层超薄异质结人工材料,量子微结构泛指对电子具有二维和三维量子约束性质的量子线与量子点介观系统.这类低维体系的研究是近30年来半导体科学技术中,尤其是半导体物理学领域内一个发展最迅速的活跃前沿.它的研究兴起,不仅对信息科学技术,而且对低维物理、材料科学以及纳米技术的发展,正在产生着革命牲的影响.本文着重回顾与评述了30年来半导体超晶格与量子微结构在材料生长工艺、体系维度变化、物理效应产生以及新型器件应用等方面所取得的一系列重大进展,并对其在21世纪的发展作了初步展望.     

Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体应变层超晶格的折射率测量

ZnS、ZnSe、ZnTe等宽禁带半导体材料构成的超晶格和量子阱结构可望在可见光光电子器件领域发挥重要作用,特别是它们可制成600—700nm光电子器件,在高密度光学信息系统中的应用,前景非常诱人。因此人们正加紧努力研制基于这种材料的光波导、激光器及光学     

超晶格正长石的首次发现

正长石是一种结构上不均匀的晶体,由一系列呈三斜对称的晶畴彼此成超显微或超X射线双晶所构成。三斜晶畴本身的空间群为C(?),但由X射线衍射给出的平均结构则表现为单斜晶系C2/m空间群的对称。从Si-Al有序-无序的角度而言,正长石是介于透长石与微斜长石之间的中间准稳定态变体。     

半导体超导的研究进展

美国加州大学伯克利分校的物理学家声称,他们在观察了用于许多半导体器件中的砷化镓的超导性数据后,发现一种超导半导体。与此同时,美国的几位物理学家试图模拟这一实验。但并未成功。据美国电话电报公司贝尔实验室的一位超导体研究员鲍勃·卡瓦称(Bob Cava),科学家     

上海超硅半导体有限公司简介

上海超硅半导体有限公司成立于2008年7月31日,目前已经发展为拥有上海超硅半导体有限公司、苏州君耀光电有限公司以及重庆超硅光电技术有限公司的高技术企业集团。公司业务涉及先进材料、LED应用与晶体生长设备与系统等三大方面。公司已经通过了质量管理体系ISO9001、环境管理体系ISO14001、职业健康安     

ZnS-ZnSe应变层超晶格远红外反射谱研究

Ⅱ—Ⅵ族宽禁带化合物超晶格是最有潜力的制做短波长光电器件的半导体材料.ZnS-ZnSe、ZnSe-ZnTe应变层超晶格由于每层中含有较大的应力,因此有许多特殊的性质,已有许多人用Raman光谱法、光致荧光法研究这种超晶格.我们用远红外反射光谱方法研究这种超晶格材料的声子模.这种方法不仅可以方便地通过声子模的测量来检测微结构的质     

InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜导热系数测试

采用3ω方法在100~320 K温度范围内测试了不同周期长度的InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜的导热系数. 结果表明对于周期性超晶格结构, 随着温度的升高, 热传导能力下降; 比较周期长度不同的超晶格结构的测试结果, 发现导热系数会随着周期长度的增大而减小, 并在某一周期长度取得最小值, 但随着周期长度的进一步增大, 导热系数又出现上升趋势, 表明在长周期超晶格结构中界面热阻是影响声子传输的主要因素. 理论计算表明, 对于短周期的超晶格结构, Bragg反射是造成产生最小值的原因之一, 由于声子穿透率的下降, 造成导热系数随着周期长度的增大而减小. 理论与实验研究结果表明, 随着周期长度的增大, 声子的传输规律由声子的波动性过渡到粒子性, 这对实现声子的剪裁具有重要意义, 为设计超晶格结构提供理论基础.     

纳米粒子超晶格的非经典晶化路径

<正>有关晶化路径的研究一直在材料学中占据着重要地位,它广泛影响着晶体材料的性质和功能^[1].在传统的晶化路径(classical crystallization pathway)中,单体会在局域聚集并转化为另外一个相,伴随着密度和结构有序度的增加.近期的实验和理论指出,很多晶化过程并不像传统的晶化路径那么简单,而是经过了两个或者多个步骤才转化为最终的结晶态.如何从实验上观测和理解这些过渡态的     

宽禁带半导体掺杂机制研究进展

随着电子信息技术进入后摩尔时代,人们期望探寻一些新材料、新技术以推进半导体科学技术的发展.作为新一代战略电子材料,宽禁带半导体的技术应用近年来取得了飞速发展.宽禁带半导体的掺杂与缺陷调控是实现其重要应用价值的关键科学基础.本文主要介绍了我们和合作者近期围绕碳化物、氧化物、氮化物宽禁带半导体中掺杂与缺陷机理及性能调控展开的研究工作,具体包括:(1)探究4H-SiC中本征缺陷的电学和动力学性质,解释了实验上4H-SiC的有效氢钝化现象的内在物理机制;(2)研究In₂O₃中过渡金属元素的掺杂物理性质,提出了过渡金属掺杂的设计原则,并预测过渡金属Zr、Hf和Ta在In₂O₃中具有优异的n型特性;(3)采用轻合金化法调控Ga₂O₃材料的价带顶位置,并通过选取合适的受主杂质(如Cu_Ga),有望使(Bi_xGa_1–x)₂O₃合金成为高效的p型掺杂宽禁带半导体(4)...     

二维半导体光催化材料研究进展

光催化技术可以直接利用低能量密度的太阳光驱动化学反应,实现用太阳能-高密度化学能直接转化来生产清洁能源和工业原料,也可以驱动污染物和有毒物质降解来治理环境污染,具有巨大的应用潜力。尽管光催化材料的研究开发已有越来越多的报道,但在催化活性、选择性、稳定性等方面还远不能满足大规模应用的要求。近年来,在众多被报道的光催化剂中,二维半导体材料表现出优异的催化性能和应用潜力,文章系统性总结了二维半导体光催化材料的研究现状,并对未来的研究方向进行了展望。