N-乙基壳聚糖的单晶

用光固化法制备N—乙基壳聚糖／聚丙烯酸复合膜．在复合膜中观察到单晶和悬挂着单晶片的微纤．单晶的长和宽约为300-400nm，比常见的品粒尺寸小得多．与通常单晶的极稀溶液制备条件不同，该单晶是在复合膜中形成的．水的诱导结晶作用和体系的高浓度形成了一种几乎是无限缓慢的结晶条件，单晶正是由于这样条件才能得以形成。     

纳米MoS2的制备及应用

综述了纳米二硫化钼常用的几种制备方法:化学气相沉积法、高温硫化法、前驱体分解法、水热法、溶液法及物理方法,阐述了各种制备方法的研究现状及优缺点;介绍了纳米二硫化钼的应用现状及在电学方面的应用进展.     

前驱体溶液浓度对LaNiO3薄膜结构及导电性能的影响

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,使用浓度分别为0.1 M、0.2 M和0.3 M的前驱体溶液,在单晶Si(100)衬底上制备了LaNiO3(LNO)导电薄膜,研究了前驱体溶液浓度对LNO薄膜结构和导电性能的影响.X射线衍射测试表明,三种样品均为纯的钙钛矿相,具有较好的(110)择优取向.扫描电子显微镜截面分析显示,用0.2 M前驱体溶液制备的LNO薄膜样品厚度均匀,与Si衬底间没有明显扩散.采用标准四探针法测试了三种样品的电阻率,当前驱体溶液浓度为0.2 M时,样品电阻率最小,仅为2.08×10-3Ω.cm,具有良好的导电性.     

V型沟槽Si衬底上SrTiO_3薄膜制备

在单晶Si(100)衬底以及经过改型处理的侧壁为Si(110)"V"型沟槽衬底上,分别采用液相沉积(LPD)和射频磁控溅射法(RF magnetron sputtering)制备了SrTiO3(STO)薄膜.通过对沉积溶液的温度、衬底的表面处理方法、衬底的放置方式以及热处理工艺的优化,研究了利用LPD法制备具有较为致密均匀的STO薄膜的条件;通过对溅射功率、溅射气压、衬底温度以及退火温度等具体参数的优化,研究了利用射频磁控溅射法在较低的衬底温度下制备具有一定取向的STO薄膜的条件.结果表明,射频磁控溅射法制备的STO薄膜在结晶状态、择优取向和表面形貌优于液相沉积.     

厘米线度C60单晶生长

控制气相法晶体生长的成核过程可使成核数目较少.在此基础上,通过设法使这少量晶核中只有一个能在随后的生长过程中不断长大,成功制备出厘米线度的C60单晶.X射线衍射谱和Laue像表明单晶具有较好的品质.作为大尺寸C60单晶的应用之一,测量了这种样品上的同步辐射角分辨光电子谱以深入研究C60晶体的价带结构和能量色散.     

溶胶-凝胶法制备镍酸镧薄膜的研究

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,使用浓度分别为0.1 mol/L、0.2 mol/L和0.3 mol/L的前驱体溶液,在单晶Si(100)衬底上制备了镍酸镧[LaNiO3](简称LNO)导电薄膜,研究了前驱体溶液浓度对LNO薄膜结构和导电性能的影响.X射线衍射测试表明,三种样品均为纯的钙钛矿相,具有较好的(110)择优取向.原子力显微镜分析显示,用0.2 mol/L前驱体溶液制备的LNO薄膜样品晶粒明显大于0.1 mol/L的样品.采用标准四探针法测试了三种样品的电阻率,当前驱体溶液浓度为0.2 mol/L时,样品电阻率最小,仅为2.08×10-3Ω.cm,具有良好的导电性.     

两步法制备双钙钛矿Cs2AgBiBr6单晶

铅元素的毒性和有机组分的不稳定性一直是阻碍有机-无机卤化钙钛矿光电器件商业化应用的两大亟待解决的问题.无铅双钙钛矿Cs2AgBiBr6由于其稳定的物理性能,在无铅钙钛矿材料中受到密切的关注.本文探索两步法制备Cs2AgBiBr6单晶,单晶质量良好.两步法不使用高纯溴化盐,合成成本大大降低.以上研究为Cs2AgBiBr6...     

晶圆级二维单晶材料生长的研究进展

低维材料因其原子级的物理尺寸而拥有独特的物理化学性质. 以石墨烯为代表的二维材料具有优越的光学、电学、力学及热学性能,在电子、光电、能源、催化等领域具有巨大的应用潜力. 大尺寸、高质量的单晶材料是大规模高端器件的应用基础. 为此,研究者们致力于实现晶圆级二维单晶材料的制造研究. 利用化学气相沉积法(CVD)制备二维材料具有薄膜质量高、可控性强、均匀性好等优点,因此,CVD成为制备高质量二维单晶材料的首选. 文章从二维导电石墨烯、绝缘氮化硼和半导体过渡金属硫族化合物入手,总结了近年来利用CVD技术外延制造二维单晶薄膜的研究进展,讨论了大面积二维单晶材料的制备策略与生长机理,指出了目前存在的问题,对未来高质量二维单晶薄膜的制备方法进行了展望. 该综述为进一步推动二维单晶材料的规模化应用提供借鉴.     

应用DSC进行石膏相组成分析的研究

提出一种应用DSC(差示扫描量热法)分析石膏制品相组成的有效方法.该法根据试样DSC曲线上热流峰的特征和峰面积大小,以石膏标准试剂的DSC曲线作参比,可确定石膏试样的相态和相组成.该法还可用于石膏制品质量控制和采用溶液法制备αCaSO     

低品位软锰矿浸出液中铁的去除方法研究

采用两矿酸溶法,将湖南某低品位软锰矿与硫铁矿和浓硫酸共同浸出,得到含铁量高的硫酸锰溶液.对其中Fe杂质的深度净化方法及条件进行了研究.通过对中和水解法、部分水解针铁矿法、黄铵铁矾法、黄铵铁矾-针铁矿联合法等方法进行了深入比较,得出采用黄铵铁矾-针铁矿联合法是最适合该溶液的除铁方法.反应温度为90℃,时间为1h时,采用该法除铁率达到99.96%,而且锰的损失率低,铁渣量少,过滤容易.铁的深度去除为制备高纯硫酸锰溶液打下了良好的基础.     

碘化汞单晶体的生长与品质研究

报道了用温度振荡法(TOM)进行碘化汞(HgI_2)大单晶体的生长过程。并对晶体的形态、结构、化学配比和位错密度等进行了研究,结果表明,TOM是生长大尺寸优质HgI_2单晶体的有效方法。     

晶体CsFeCl_3的自旋极化MS-X_a计算

本文采用自旋极化的MS-X_a方法,在晶体CsFeCl_3的实际的D_3d低对称品场下计算了络离子(FeCl_b)~(4-)的电子结构。给出了单电子本征值和本征函数和自旋极化分裂,用过渡态理论计算了部分光学跃迁和电荷转移跃迁的能量。     

R_3Co单晶制备方法的研究

本文对单晶的生长条件进行了研究，用Ｂｒｉｇｄｍａｎ方法成功地制备了Ｒ３Ｃｏ单晶试料，为进一步研究其物性提供了必要的条件．     

复盐大单晶NaKV_2O_6的水热合成与表征

在ＮａＯＨ－ＮＨ４ＶＯ３－ＫＩ－Ｈ２Ｏ体系中，以水热法合成了无水偏钒酸复盐ＮａＫＶ２Ｏ６晶体，并进行了结构分析．     

用Lang法精确测定单晶晶须的扭变

由于晶须中螺旋位错的存在,在宏观上将使晶须扭转一定的角度。本文提出了两种较精确的晶须扭转角度的测量方法,且所测的都是单晶晶须的局部扭变。其中方法一所测结果的有效位数可达三位。     

液相还原法可控高产率单晶铜纳米线制备方法

通过精减工艺参数,优化工艺流程,对液相还原法制备铜纳米线的工艺进行改进,制备出各种不同长度和直径的铜纳米线。实验结果表明,所制备的铜纳米线为单晶结构,其表面光滑,径向粗细、长度和直径比较均匀,产率可达95%以上。     

CdGeAs2多晶合成研究

以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs_2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs_2多晶锭,经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs_2多晶.用20℃/min的升温和降温速率对合成的CdGeAs_2多晶进行了DTA分析,结果显示CdGeAs_2多晶的熔化温度为669.24℃、结晶温度为615.55℃.根据DTA分析结果设计CdGeAs_2晶体生长温场,采用改进的Bridgman法生长出外观完整、尺寸为φ15 mm×45 mm的CdGeAs_2晶体,并对其进行解理实验,获得了完整、光滑的解理面,经XRD分析结果显示,连扫谱呈现(101)面的四级衍射峰,(101)面回摆谱峰尖锐、对称性好.     

电镀晶种法合成金刚石单晶实验研究

目的寻求一种合成金刚石大单晶的有效方法。方法采用在金刚石单晶上面电镀一层金属镍膜作为触媒,镀有镍膜的金刚石晶种被规则地放在石墨片上预先刻好的洞中,每两个洞之间保持相等的间距,然后与其他石墨片交替组装在高温高压下进行实验合成。结果实验结果表明,在合成压力、温度和时间分别~5.8 GPa、~1 460℃和14 min的条件下,合成后的单晶尺寸约是原晶种的3倍。与传统的合成工艺相比较,合成后的金刚石单晶具有较好的形貌与质量。结论采用电镀晶种法合成对高品级金刚石大单晶的合成具有一定参考意义。     

光子晶体时域有限差分方法并行化研究

光子晶体的设计和模拟所需的计算量非常大,受到现有计算机计算能力的限制,对复杂系统的研究更是无法进行。研究PC-cluster体系结构上的大规模并行计算方法,建立时域有限差分方法光子晶体的并行计算程序,对透射穿过光子带隙材料的电磁波进行计算,这种方法对计算光子带隙和解决杂质问题效果较好。     

InP单晶表面势垒高度与表面态密度的光伏测算

应用变温光伏方法测定了Ｎ型低阻ＩｎＰ单晶的表面势垒高度，进而分析、计算了简并化的ＩｎＰ单晶表面态密度。