量子点层厚度对量子点发光二极管发光特性的影响

采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件(QD-LEDs)。PEDOT作为空穴注入层,TFB作为空穴传输层,量子点作为发光层,采用无机二氧化钛(TiO2)作为电子传输层,在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速(800~1 100r/min),制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件(QD-LEDs)。实验结果表明,当量子点层的旋涂转速为900r/min时,此时的量子点层厚度为30nm,所制备的量子点发光二极管器件(QD-LEDs)的发光性能最好,开启电压最低,只有5.5V。     

掺杂稀土或d区元素的硫化镉量子点发光材料

本文主要介绍了掺杂稀土离子和过渡金属离子的硫化镉量子点材料的合成方法、表征以及发光机理,说明了Cds量子点发光材料的用途、优缺点和应用前景.     

半导体量子点发光特性研究

目的：研究影响半导体量子点发光的主要因素及影响机制。方法：采用激子模型对半导体量子点的发光特性进行了研究。结果：得到了量子点的激子能级随外界条件的变化情况。结论：量子点所处的外部环境会不同程度的影响其发光特性,因此量子点的发光特性还有待进一步研究。     

Al_2O_3: Eu~(3+),Tb~(3+)发光陶瓷的合成及发光行为

首次以异丙醇铝为原料,采用溶胶－凝胶法合成出了Ａｌ２Ｏ３Ｅｕ３＋,Ｔｂ３＋发光陶瓷粉末．利用ＸＲＤ和ＴＧ－ＤＴＡ等实验技术,研究了发光陶瓷的形成过程,找出了最佳合成条件．并对其发光行为进行了研究,在Ａｌ２Ｏ３Ｅｕ３＋,Ｔｂ３＋中观察到了Ｔｂ３＋→Ｅｕ３＋的能量传递．     

微观组织及晶体结构对Y_6WO_(12):Eu~(3+)荧光性能的影响（英文）

本文采用柠檬酸复合物法合成了立方及菱方结构的Y_6WO_(12):Eu~(3+)多晶样品.采用X-射线衍射、拉曼、稳态荧光及瞬态衰减测试手段对样品的晶体结构、荧光性能进行了表征.结果表明立方及菱方结构的荧光粉中的WO_6基团和Eu~(3+)离子分别可被近紫外光和蓝光所激发,但WO_6基团在室温下不产生荧光.荧光粉的光致发光光谱以Eu~(3+)离子的~5D_0-~7F_2 或 ~5D_0-~7F1跃迁所产生的红光发射为主.随着荧光粉焙烧温度及晶体结构的变化,荧光粉的激发、发射和瞬态衰减光谱相应的发生系统变化.本文从W~(6+)and Eu~(3+)离子晶体环境变化的角度对发光性能的变化进行了计论.     

量子点层厚度对量子点发光二极管发光特性的影响简

采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件（QD-LEDs）。PEDOT作为空穴注入层,TFB作为空穴传输层,量子点作为发光层,采用无机二氧化钛（TiO2）作为电子传输层,在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速（800～1100 r/min）,制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件（QD-LEDs）。实验结果表明,当量子点层的旋涂转速为900 r/min时,此时的量子点层厚度为30 nm,所制备的量子点发光二极管器件（QD-LEDs）的发光性能最好,开启电压最低,只有5．5 V。     

Eu~(3+)和Yb~(3+)掺杂的近红外发光材料的制备及荧光性能

采用溶胶-凝胶法制备了系列近红外发光材料Y_(1.98-x)Yb_xEu_(0.02)O_3(其中x=0,0.01,0.02,0.04,0.06,0.10),并采用X射线衍射仪(XRD)、荧光光谱(PL)等测试方法、技术对样品的物相结构和发光特性进行了表征及测试.结果表明:Eu~(3+)和Yb~(3+)掺杂的荧光粉中,Eu~(3+)和Yb~(3+)部分取代了Y~(3+),并占据其晶格位置,而对Y_2O_3的立方相晶体结构未产生显著影响;在466 nm波长(Eu~(3+)的特征激发峰)激发下,在可见光区及近红外光区可观察到较强的发射光谱,其中,Y_(1.94)Yb_(0.04)~(3+)Eu_(0.02)~(3+)O_3在近红外光区发光效率最高.采用溶胶-凝胶法制备出Eu~(3+)和Yb~(3+)掺杂的新型荧光材料,可将硅太阳能电池吸收较弱的高能光子转换成吸收较好的近红外光子,可有效解决太阳光谱与硅太阳能电池光电响应之间存在的光谱失配问题.     

KSrGd(PO_4)_2︰Eu~(2+),Mn~(2+)红色荧光粉的合成和发光性能

采用改进的高温固相法合成了Eu2+/Mn2+掺杂的KSrGd(PO4)2荧光粉.用X射线粉晶衍射仪和荧光光谱仪对样品进行了表征.结果表明:Eu2+离子和Mn2+离子成功掺入了KSrGd(PO4)2晶格中,基质晶体结构未见明显变化.Eu2+的发射峰位于522 nm,Mn2+的发射峰位于618 nm.通过Eu2+和Mn2+之间的能量传递,KSrGd(PO4)2荧光粉在紫外光激发下发出明亮的红光.     

锌基荧光量子点核壳结构材料的制备及发光性能研究

由于半导体纳米材料具有特殊的光电性能,在光致发光、电致发光等方面有着广泛的应用而备受关注。本文主要介绍了利用聚合物、表面活性剂以及无机物包裹锌基荧光量子点,制备核壳结构纳米材料,并讨论了包裹前后量子点发光性能的变化。     

SiO_2@CaF_2:Eu~(3+)核壳纳米球的制备及发光性能研究

以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,采用Stber反应制备了平均粒径为250nm的SiO2纳米球,然后以柠檬酸为表面活性剂和修饰剂,在水醇体系中,利用均相沉淀法制备了SiO2@CaF2:Eu3+核壳纳米球,并对其进行了煅烧处理.运用X-射线粉末衍射(XRD),傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)以及透射电子显微镜(TEM)分别对产物的物相、表面性质及形貌尺寸进行了分析表征.最后,使用荧光分光光度计对样品的激发和发射光谱进行了分析.结果表明,CaF2:Eu3+包覆在非晶态的SiO2表面,该样品具有很好的荧光性能.     

Er离子掺杂ZnS量子点的水相法合成及性能

采用巯基乙酸作为稳定剂,用水相法合成了ZnS:Er量子点。分别利用X射线衍射、透射电镜、荧光光谱对其物相、形貌及光学性能进行了研究。研究结果表明:合成的ZnS:Er量子点形状为球形,粒度约10 nm。ZnS:Er量子点的发射峰为445 nm和470 nm,分别为S空位和Zn空位发光。     

Eu3+掺杂TiO2纳米晶的制备及光学性质研究

采用溶胶-凝胶的方法,通过烷基钛的水解、煅烧,制备了掺杂Eu3 的TiO2纳米晶发光材料.结果表明,稀土掺杂的TiO2纳米晶不仅没有改变在不同温度下TiO2的晶型,而且Eu3 离子发光与TiO2的晶型有密切关系,即Eu3 掺杂在具有锐钛矿晶型的TiO2,在波长为396、464和532 nm光的激发下该材料才能发射单色性较强的红色荧光,并讨论了不同烧结温度对材料发光性能的影响.     

若干稀土钒酸盐中Eu^3＋和Dy^3＋的发光性质

本文报道在酸盐ＬｎＶＮｂ２Ｏ９,Ｂａ２ＬｎＶ３Ｏ１１和ＹＰｘＶ１－ｘＯ４中Ｅｕ＾３＋和Ｄｙ＾３＋的发生性质。实验结果表明,Ｅｕ＾３＋的红橙比和Ｄｙ＾３＋的黄蓝比与钒酸盐中稀土离子的格位对称性,被取代离子Ｌｎ＾３＋的电荷半径比及邻近元素的电负怀有关。     

SiO2@TiO2:Eu3+核壳微球的合成、表征及发光性能研究

本文以钛酸四丁酯(Ti(OBu)₄)为钛源合成了SiO₂@TiO₂:Eu₃₊微米核壳微球,采用XRD、EDX、TG-DTA、SEM、TEM和PL等测试手段对其形貌、晶体结构和发光性质进行了表征,对SiO₂@TiO₂:Eu₃₊微米核壳微球形成过程进行了深入的探讨。结果显示,在溶剂热条件下,TiO₂:Eu₃₊纳米粒子层成功的包覆在了SiO₂球的表面,并且在500℃煅烧的条件下由无定型状态转变成了锐钛矿晶相。此外,在紫外光激发下,SiO₂@TiO₂:Eu₃₊具有非常强的红光(Eu₃₊, ₅D₀ → ₇F₂)发射。     

水热法制备ZnS:Mn纳米晶体及其发光特性

研究了水热法(200°C)制备的不同浓度Mn掺杂ZnS纳米晶体发光特性。所合成样品为10～16 nm的立方相纤锌矿结构,随着Mn掺杂浓度的增加,PL光谱峰值产生了红移。在摩尔比为10 ％ Mn掺杂时PL发光最强。讨论了样品的发光机理,计算了晶体场强度,同时观察到摩尔比为10 ％ Mn掺杂样品发出白光,说明其在白光LED及全色荧光粉中具有潜在的应用价值。     

ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶的光学性质

用微乳液法合成了ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶,并通过X射线粉末衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、荧光光谱等手段对产物的结构、尺寸、形貌、荧光特性进行了表征。结果表明,ZnS：Tb纳米晶的粒径为3nm,ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶的粒径为5nm左右,这样就得出壳的厚度约为1nm。在ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶的发射光谱上可以观察到有5个发射峰为460、489、544、584和620nm,分别对应ZnS基质的发光和Tb^3＋离子的^5D4→^7F6、^5D4→^7F5、^5D4→^7F4、^5D4→^7F3跃迁。     

Mn2+/ Eu3+共掺杂Zn2GeO4长余辉基质材料发光机理的研究

本文利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,从理论角度研究了Mn2+/ Eu3+共掺杂对Zn2GeO4长余辉基质材料光学性能调制的机理. 根据相关文献实验结果,我们构建了Mn2+/ Eu3+共掺杂对Zn2GeO4晶体结构模型. 研究结果表明,Mn2+掺杂使Zn2GeO4晶体结构更加稳定,同时会引起晶体中的电荷离域化,从而使Mn2+离子成为发光中心;Eu离子在Zn2GeO4晶体以+3价存在,成为陷阱中心. 在此基础上,我们构建了Mn2+/ Eu3+共掺杂Zn2GeO4晶体长余辉发光机制模型.     

Eu^3＋掺杂二氧化钛纳米粉末的制备及发光性质研究

以钛酸四丁酯为前驱物,利用溶胶一凝胶法制备了Eu3+掺杂TiO2纳米粉末.首先对纳米粉末的发光性质进行了一定的研究,找出了纳米晶发光效率最佳激发波长,然后用最佳激发波长对不同退火温度下摩尔分数为0.5%Eu3+离子掺杂TiO2纳米晶和同一退火温度下不同摩尔分数Eu3+离子掺杂的纳米晶进行激发,对发射光谱进行分析,从而得到制备纳米晶的最佳退火温度和最佳Eu3+离子掺杂的摩尔分数.     

改变Sr3MgSi2O8中Mn2+/Eu2+的比例探讨其发光性能

单掺Mn2+在Sr3MgSi2O8中是不发光的,Mn2+的3d电子组态中的4T1(4G)→6A1(6S)是自旋禁阻的,对紫外光吸收很弱,所以Mn2+的红光发射依赖于Eu2+的激活,存在Eu2+对Mn2+的能量传递作用,改变Mn2+/Eu2+的比例不会使发射峰位发生变化,但Eu2+的460 nm的发光强度会随着Mn2+含量的增加而降低,且寿命会缩短.     

立方相Lu2O3:Eu3+纳米晶的可控合成和发光性质

采用水热方法, 通过调节前驱体的pH值, 得到不同形貌的立方相Lu₂O₃:Eu³⁺纳米棒、纳米片和纳米颗粒。利用粉末X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱、光致发光(PL)谱和荧光寿命(FL)等技术对所制备的纳米晶进行了系列表征。随着纳米晶尺寸的减少, 样品的荧光强度明显减弱, 这是由于吸附在纳米晶表面的OH^-含量逐渐增加, 加速了非辐射弛豫从而降低了发光效率。此外, 也观测到源于纳米晶表面Eu³⁺离子的逐渐加强的624 nm发射以及在长波侧不断延伸的电荷迁移带长激发尾。