电沉积Ni-P非晶合金的研究

研究了以NaH_2PO_2为磷的供给剂的Watts电解溶液在电沉积Ni-P合金时,温度和NaH_2PO_2含量对镀层含磷量和沉积速度的影响;非晶镀层在热处理时结构的变化和硬度变化受热处理温度的影响;以及镀层结合力和针孔度随膜厚的变化,Ni-P非晶合金的良好耐蚀性能。     

H3PO3体系中镍磷非晶态合金及其耐蚀性能

用恒电流沉积、腐蚀电位和极化电阻等方法研究了H3PO3体系中Ni-P合金的电沉积及其镀层的腐蚀性能,用XRD、XPS、SEM检测了镀层的晶形、组成和表面形貌,探讨了沉积条件对镀层耐蚀性能的影响。研究结果表明：在H3PO3体系中得到的Ni-P合金镀层同样具有较强的耐蚀性,当镀层中磷的含量达7％时,晶形转为非晶态,镀层中含磷量越大,耐蚀性越好。     

H_3PO_3体系中镍磷非晶态合金及其耐蚀性能

用恒电流沉积、腐蚀电位和极化电阻等方法研究了 H3PO3体系中 Ni-P合金的电沉积及其镀层的耐蚀性能 ,用 XRD、 XPS、 SEM检测了镀层的晶形、组成和表面形貌 ,探讨了沉积条件对镀层耐蚀性能的影响 .研究结果表明 :在 H3PO3体系中得到的 Ni-P合金镀层同样具有较强的耐蚀性 ,当镀层中磷的含量达7%时 ,晶形转为非晶态 ,镀层中含磷量越大 ,耐蚀性越好     

正电子在非晶态Ni-P合金镀层中的注入与湮没

测量了正电子在化学沉积的非晶态Ni-P合金镀层中的透射强度,借此求得正电子在该镀层中的有效质量吸收系数和注入剖面。研究了磷含量和热处理对化学沉积和电沉积的非晶态Ni-P合金结构缺陷的影响。     

非晶态合金镀层的耐蚀性能

电沉积Ｎｉ－Ｗ－Ｐ非晶合金中Ｗ含量可高达５５．２％,硬度为７００～１１００Ｈｖ,经５５０℃热处理,可达１３００～１４００Ｈｖ,镀层硬度和耐蚀性优于Ｎｉ－Ｐ非晶镀层,非晶镀层中的类金属元素Ｐ可使腐蚀电位正移,高熔点元素Ｗ可使合金镀层在酸溶液中发生钝化,有Ｗ含量越高维钝化电流密度越低;金属Ｃｒ元素除降低维钝电流密度外,还使钝化区范围加宽,孔蚀电位显著变正,浸泡实验结果表明,在３０℃,１ｍｏｌ／Ｌ的ＨＣ     

电沉积镍-磷-纳米金刚石纳米复合镀层性能研究

利用电沉积法制备了镍-磷复合镀层和镍-磷-纳米金刚石纳米复合镀层,对镀层的结构和形貌进行了表征,研究了热处理温度对复合镀层硬度、摩擦性能的影响．研究发现,与电沉积Ni-P合金镀层相比,镍-磷-纳米金刚石复合镀层具有较高的酎磨性和较低的摩擦系数,硬化峰值出现在673K左右．另外,对纳米复合镀层性能改善的机理进行了讨论．     

Cu-Ni-P合金镀层的制备及性能

在柠檬酸盐溶液中电沉积制备了Cu-Ni-P合金镀层.采用能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对合金的成分、结构、形貌进行了分析.用交流阻抗(EIS)和动电位极化曲线法研究了镀层的腐蚀性能.结果表明,电沉积方法制备的Cu-Ni-P合金镀层具有纳米晶结构,镀层表面平整、光亮.P的加入使Cu-Ni合金镀层的硬度和耐腐蚀性能得到提高.     

化学镀Ni-W-P合金镀层的耐蚀性研究

通过正交实验,以沉积速率和腐蚀速率为指标,获得了优化化学镀Ni-W-P镀液配方。采用扫描电镜、X 射线衍射、能谱分析了镀层的微观形貌、组成及结构,研究了镀层在10%H2SO4＋30%HCl的耐蚀性能。结果表明,化学镀Ni-W-P合金镀层的耐蚀性能与镀层的非晶态结构、P和W的含量以及腐蚀介质的性质等因素有关,W对镀层获得非晶结构的作用要大于P的作用。     

脉冲Ni-P非晶态镀层腐蚀磨损行为的研究

运用旋转式腐蚀磨损试验装置测定了脉冲化学沉积获得的镍磷非晶态镀层在掺有ＳｉＣ颗粒的柠檬酸腐蚀液中的腐蚀磨损行为及规律。讨论了施镀温度对镀层成分、结构和抗腐蚀磨损行为的影响。结果表明：较高的磷含量及较强的钝化膜修复能力使得脉冲化学镀镀层的腐蚀磨损性能优于化学镀的镀层。就腐蚀磨损性能而论，在酸性镀液中脉冲化学镀的施镀温度可降到５０℃，镀层仍保持优良性能和非晶态结构。     

玻璃纤维织物表面Ni-P合金涂层的制备及其导电性能研究

采用化学镀的方法在玻璃纤维织物试样表面制备了Ni-P合金沉积的非晶镀层。利用扫描电子显微镜和X射线观察及分析了镀层的表面形貌与表面结构,研究了硫酸镍的浓度对非晶镀层的沉积速率、沉积量以及导电性能的影响。结果表明,随着硫酸镍浓度的增加,沉积速率和沉积量逐渐升高,而镀层方阻值逐渐降低,导电性增加。当硫酸镍浓度20 g/L时,玻璃纤维织物镀层方阻值为1.35Ω/方,具有良好的导电性。     

非晶态Ni－P合金与TiC微粒复合镀的研究

利用复合电镀技术，制备了非晶态Ｎｉ－Ｐ合金基ＴｉＣ复合镀层．测定了非晶态Ｎｉ－Ｐ合金镀层和（Ｎｉ－Ｐ）－ＴｉＣ复合镀层的表面形貌、结构、硬度以及耐磨性．研究了ＴｉＣ微粒对镀层的弥散强化作用．结果表明，与非晶态Ｎｉ－Ｐ合金镀层相比，（Ｎｉ－Ｐ）－ＴｉＣ复合镀层的硬度和耐磨性均超过了非晶态Ｎｉ－Ｐ合金镀层．     

铝合金表面聚吡咯镀层的制备及其防腐蚀性能

采用恒电位法在铝合金片(Al)上电镀吡咯单体电化学聚合形成聚吡咯(polypyrrde,PPy)镀层,研究其防腐性能。采用扫描电子显微镜(SEM)、红外光谱(FTIR)、拉曼光谱(Raman)以及X射线衍射(XRD)表征样品微观形貌与结构组成,接触角测量仪与热重分析仪分别表征样品的疏水性能与热稳定性,采用腐蚀形貌图、极化曲线以及EIS表征样品的防腐性能。结果表明:聚吡咯镀层均匀、致密展现出良好的机械屏蔽性能。聚吡咯为无定形结构,吡咯单体之间以C—C键连接成链式聚吡咯。聚吡咯镀层表现为疏水性能,且热稳定性良好。浸泡在3. 5%Na Cl溶液中136 h后,铝合金出现大量点蚀现象,而聚吡咯镀层并没有出现严重腐蚀现象。聚吡咯镀层的腐蚀电流密度比铝合金更小,对铝合金保护率达到80. 8%。此外,聚吡咯镀层的溶液电阻与电荷转移电阻比铝合金高很多,表明其对溶液中电解质离子有更强的阻碍作用以及低电荷转移速率,防腐性能优异。     

3 MeV 金离子辐照Ni60Nb40 非晶合金及Hastelloy-N 合金的辐照损伤研究

使用 3 MeV 金离子对Ni₆₀Nb₄₀ 非晶合金和Hastelloy-N 合金进行剂量为2.3×10¹⁵ cm^–2 和5×10¹⁶ cm^–2 的辐照实验。X 射线衍射(XRD)数据表明, Ni₆₀Nb₄₀ 非晶合金的非晶态在室温辐照下非常稳定, 而Hastelloy- N 合金在辐照后有明显的微观应变增加。同时纳米压痕分析表明, Ni₆₀Nb₄₀ 非晶合金的辐照软化和Hastelloy- N 合金的辐照硬化主要由原子移位损伤造成。使用原子力显微镜(AFM)测量半遮挡的辐照方法制造的肿胀台阶, 发现两种材料的辐照肿胀效应相差不大。扫描电子显微镜(SEM)观察发现, 室温条件下3 MeV 金离子导致Ni₆₀Nb₄₀ 非晶合金表面发生黏性流动的临界剂量大于2.3×10¹⁵ cm^–2, 而且发生线性流动的临界剂量具有不均匀性, 推测是由机械抛光时产生的表面应力造成。由于黏性流动可以有效修补表面缺陷, 所以Ni₆₀Nb₄₀ 非晶合金有希望作为抗腐蚀抗辐照涂层材料。     

pH值对Ni-Fe-P化学镀层结构与磁性质的影响

以硼酸为缓冲剂,柠檬酸钠为络合剂,在弱碱性体系中化学沉积Ni-Fe-P合金.采用电子能谱仪、X射线衍射仪、透射电镜和振动样品磁强计,研究镀液pH值和NiSO4/FeSO4物质量的比等对镀层组成、结构和磁性能的影响.结果表明,在化学沉积Ni-Fe-P合金中,Fe随着Ni被还原而共沉积,但镀层中Fe原子数分数不高,属诱导共沉积机理.镀液pH值的提高有利于Fe的还原沉积,但会使镀层中P原子数分数稍微降低,约为17.81%~22.0%,属于中高磷镀层.沉积条件对Ni-Fe-P镀层的结构影响不大,合金镀态均为非晶态或微晶结构.Ni-Fe-P合金的磁性能与沉积条件密切相关,随着镀层中铁原子数分数的增加,镍原子数分数降低,镀层的饱和磁化强度和剩余磁化强度均增加.     

脉冲镀Ni-Mo-Co合金镀层及其析氢性能

采用脉冲电镀法制备了Ni-Mo-Co合金镀层,考察了电镀条件对Ni-Mo-Co合金镀层的组成、表观形貌及析氢性能的影响.研究表明:随着镀液中钴盐浓度提高,镀层中的Mo含量逐渐降低,Co含量逐渐升高.钴盐质量浓度达到81 g/L时,镀层中各元素含量趋于稳定,该条件下所得Ni-Mo-Co合金镀层均匀致密且析氢性能最佳;Mo质量分数在40%左右时,Co含量越高,镀层的非晶态程度越高,具有更好的催化活性(80℃,η200=56 m V).经长时间电解后,镀层表面结构存在由非晶态向晶态转化的趋势.     

Fe-B-Si非晶合金晶化过程分析

采用DSC法测定了铁基非晶合金Fe_(78)B_(13)Si_9在连续加热条件下的晶化温度。并用透射电镜、X射线衍射仅、俄歇电子谱仪对Fe_(78)B_(13)Si_9非晶合金的淬态组织及晶化过程进行了较深入的研究。在淬态非晶合金中发现了极少量的晶化相FeAl_3。晶化过程中会出现二种形式的亚稳晶化相FeB和Fe_3B。最终得到的稳定晶化相为α-Fe(si)+Fe_2B+FeSi_2。     

电沉积法制备Fe—Cr—P非晶合金

本文中以氨基乙酸为络合剂,在铜基上电沉积制取了光亮的Fe-Cr-P合金镀层。X衍射相分析表明,镀层呈非晶态结构。镀层中的Fe、Cr、P含量分别用比色法测定。在非晶态Fe-Cr-P合金电镀过程中,镀液pH值的变化对镀层组成有较大的影响,适宜的pH值范围为1.2～1.8。提高电镀液温度不利于Cr的析出,电镀时阴极过程处于电化学控制区域。