晶体管超相移因子的精确计算

对晶体管的超相移因子提出一种简单、迅速、精确的计算机计算方法，设计了完整的计算程序。根据决定晶体管性能的关键参数，如：锘区宽度、基区少子扩散系数和基区少子扩散长度等，对晶体管超相移因子进行计算，得到精确的结果。     

一种新型PNP晶体管的数值分析

从基本半导体方程出发，用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布，载流子浓度分布和输出特性．晶体管的有效基区宽度约为50nm．证明了这种晶体管有效基区中的电场是载流子输运的主要机制，它的输出特性与MOS场效应管的输出特性相似．这种晶体管有望用作数字电路中的高速器件．     

低温高速双极晶体管基区的优化设计

本文考虑禁带变窄效应和载流子冻析效应，分析了基区掺杂浓度的分布、基区峰值浓度的大小及位置对基区渡越时间的影响，结合基区电阻的温度模型，对低温度高速双极晶体管的优化设计作了探讨。     

半导体PN结与晶体管中载流子运动形式的讨论

晶体管中ＰＮ结的Ｐ型区和Ｎ型区载流子浓度差别很大，从这一事实出发分析晶体三极管的电流放大作用，提出了载流子在基区的运动是漂移而不是扩散的观点。     

低能量Ar^＋背面轰击对晶体管电流放大系数和特征…

在制造硅ｎｐｎ型高频、超高频小功率晶体管管芯和形成铝电极后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大晶体管的直、交流电放大系数，提高特征频率和使击穿特性变硬。实验结果表明，上述参数的改善，是轰击界面态密度减小和基区少数载流子寿命增长的结果，而且与轰击时间及束流密度有关。     

低能量Ar~+背面轰击对晶体管电流放大系数和特征频率的影响

在制造硅ｎｐｎ型高频、超高频小功率晶体管管芯和形成铝电极后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大晶体管的直、交流电流放大系数，提高特征频率和使击穿特性变硬。实验结果表明，上述参数的改善，是轰击后界面态密度减小和基区少数载流子寿命增长的结果，而且与轰击时间及束流密度有关。     

SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析

对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小.     

一种电流放大型自旋晶体管

该文提出了一种电流放大型自旋晶体管设计思想，并对其电流放大系数作了一定的分析讨论．自旋晶体管中的电流放大系数主要取决于注入基区的自旋极化电子的极化程度，基区中自旋的驰豫时间及基区的宽度．     

硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析

具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管，其能带结构类似于真实异质结双极晶体管的能带结构。本文研究了硅赝质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系。并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。     

放大器的噪声及低噪声电路研究

1 晶体管混合п型噪声模型晶体管混合Л型噪声模型如图1所示.图中略去了 C_(b'c)和 Y_b'c.图中 E_b 是由基区体电阻Y_(bb')产生的热噪声 E_(?)是信号源内阻 R_s 产生的热噪声.I_b、I_c 分别是载流子随机发射引起基极电流 I_B 和集电极电流 I_c 瞬间起伏所产生的散弹噪声.I_f 是基极电流 I_B 流经发射结耗尽时产     

晶体管击穿电压的数值分析

本文从物理概念出发，推导出载流子在集电结空间电街区发生碰撞电离时基极开路晶体管电流的表达式，并由此得到晶体管的雪崩击穿条件及ｐｎ结二极管的雪崩击穿条件。根据数值计算结果找到了快速、精确计算基极开路晶体管击穿电压的经验公式。     

全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究

通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计，初步构造出离子注入的分布图像，通过与实验结果比较，进一步完善模型，选用高斯与半高斯混合模型，得到了与实验结果更吻合的模拟方案，从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管(VDCFET)离子注入的最佳条件，并研制了性能良好的VDCFET。     

nSi／pSi1—xGex／nSi晶体管直流特性数值分析

采用一维有限差分方法,对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变基区异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的直流特性进行了数值分析,给出了高斯掺杂情形下,基区中不同Ｇｅ分布的Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的共射极电流放大系数图、Ｇｕｍ－ｍｅｌ图和平衡能带图;与Ｓｉ双极同质结晶体管（ＢＪＴ）的直流特性作了对比,结果表明基区中Ｇｅ的引入有效地改善了晶体管的直流性能;其次对基区中Ｇｅ分布与ｐ型杂质在基区－集电区交界处的不一致进行了模拟,证实了基区杂质向集电区扩散产生的寄生势垒使集电极电流密度下降这一实验结果．     

空间移相干涉仪的移相误差分析和测试

分析研究了一种基于二维正交光栅分光的空间移相干涉仪的移相性能,指出移相器偏振片组中偏振单元的方位角偏差将直接产生2倍的移相误差,同时干涉图的空间一致性失调也会产生一定的移相误差.在根据原理方案搭建的实验系统中,分别采用测量4幅干涉图的对应消光位置法,以及作出干涉图同一行的光强拟合曲线之间的李萨茹图法,来测量出干涉图之间的实际移相量.结果表明,实验系统中经过空间一致性校准的干涉图之间的移相误差在±1.2°以内.     

基于空间光调制器的相移数字全息实验研究

设计并搭建了基于空间光调制器的相移数字全息实验装置,用计算机控制空间光调制器产生实验所需物体,并且控制相关物体参量,完成了基于空间光调制器的透射式数字物体的全息记录和数字再现．实验结果表明相移数字全息方法优于一般数字全息,基于空间光调制器的相移数字全息方法具有物体数字化、物体参量可调、可实现动态物体等显著特点,为相移数字全息提供了更广阔的应用前景．     

同步移相干涉术的相位测量原理

同步移相干涉测量术是指在瞬间同时采集三幅以上具有一定移相间隔的干涉图的一种干涉测量技术.本文对一种同步移相干涉测量系统进行了琼斯理论分析,推导出该同步移相干涉仪各帧干涉图对应点的光强表达式,从而确定系统所得的相邻干涉图之间的移相步长为π/2,并得出了对应的波面复原算法.     

多晶硅发射极晶体管的数值分析及模拟

通过对多晶硅发射极晶体管（ＰＥＴ）的多晶硅及界面层导电特性的分析， 得到单晶发射区边界上电流密度与少子浓度之间的关系式，并以此为自洽的 边界条件，在单晶区数值求解一组描述晶体管电学特性的微分方程，得到晶 体管内部电势分布和载流子分布以及ＰＥＴ的端电流特性．     

绝缘栅场效应管工作原理的统一表述

关于绝缘栅场效应管的工作原理,现行教材有几种不同的讲解,观点各不相同。结构示意图和特性曲线画法不同。但是,对同一类的场效应管而言,结构示意图和特性曲线只能有一种表述形式是正确的。从场效应管的基本结构出发,用新观点、新方法说明其基本工作原理,击穿的位置,击穿的原因。提出工作原理结构示意图的统一表述方法应当是在源衬、漏衬PN结之间是正负离子对应的耗尽层,在反型层与衬底之间是单一离子层（它不应该与耗尽层混同）。漏极特性曲线的统一表述规律是截止状态时的漏源击穿电压|BV‘DS|是各个不同VGS时,击穿电压的最大值。