遗传算法研究贵金属团簇的基态结构

在遗传算法的选择规则中加入配位数分析的方法 ,并应用基于紧束缚模型的二级矩近似势计算得到了含 38、5 5和 75个原子的铜和金团簇的基态结构 .运用共同近邻分析等方法比较了两种团簇基态原子排列方式的显著差异 ,并认为由于金原子间作用的短程特性使得含幻数原子数 (N =38、5 5 )的金团簇倾向于无序的内部排列方式     

第一性原理计算Mg_n（n≤11）团簇的基态结构及稳定性

本文应用第一性原理平面波模守恒赝势方法研究了中性Mgn和一价阴离子Mgn（n=2～11）团簇的几何结构,稳定性和电子性质。结合能计算表明,中性Mgn团簇尺寸依赖的稳定性与电子壳层闭合和几何结构＂闭合＂密切相关。     

基于遗传算法的全局优化及在团簇结构搜索中的应用

遗传算法是研究复杂体系特性时经常采用的一种高效的全局优化方法.以开发出的程序为基础,介绍了遗传算法的基本特征、操作步骤、技术细节及在团簇结构优化中的运用.通过在富勒烯和铋团簇两类代表性团簇结构优化问题中的具体应用,所得结果与已有的理论和实验数据符合较好,印证了所提出的操作方案的有效性、高效性和通用性.     

用遗传算法研究复合团簇（Ag）x（Rh）n—x的基态能和结构

应用遗传算法并结合紧束缚二级矩近似势对复合团簇（Ａｇ）ｘ（Ｒｈ）ｎ－ｘ的基态能和基态结构进行了研究,计算结果显示：随着Ｒｈ原子掺杂比例的增大,复合团簇（Ａｇ）ｘ（Ｒｈ）ｎ－ｘ的基态能量呈现上升趋势,并且其基态结构都是二十面体基础上的微扰。     

应用第一性原理计算Mg_n（n≤11）团簇的基态结构及稳定性

应用第一性原理平面波模守恒赝势方法研究了中性Mgn和一价阴离子Mgn-(n=2～11)团簇的几何结构、稳定性和电子性质。结合能计算表明,中性团簇尺寸依赖的稳定性与电子壳层闭合和几何结构"闭合"密切相关,对中性团簇,增加一个成键电子会使团簇的稳定性增强。     

NinC（n=1-6）掺杂团簇基态的密度泛函研究

采用密度泛函理论,通过几何构型优化和振动频率计算,得到了NinC（n=1-6）团簇的基态几何结构和多重态。NinC基态团簇构型并不都具有最高对称性,可以由前一NinC构型结合一个镍原子并经过形变得到;自然电子组态分析表明团簇中镍碳原子结合较镍原子间结合稳定;同时对镍团簇磁矩进行了分析。     

Gupta势结合多种算法求解Con（n=2-6O）团簇基态的效率

采用Gupta势结合完全随机数方法、无规网格点随机数方法、分子动力学模拟淬火法、分子动力学模拟退火法和遗传算法分别求解了Con（n=2-60）团簇的基态几何结构与能量，通过与标准数据库结果对比分析，结果表明：在所讨论的尺寸范围内，遗传算法的求解效率最好，能找到全部的基态结构，分子动力学模拟退火法效率次之，只在个别团簇尺寸时没找到基态结构；而对于含原子数在35以下的中小团簇，随机数方法、无规网格点随机数法也都有很好的效率；同时，文中也讨论了运用不同随机数、不同网格点及不同淬火温度对结果的影响．     

Al_（13）中性正负离子团簇的理论研究

采用第一性原理的全势能线性Muffin-Tin轨道组合分子动力学方法对Al13,Al13＋,Al13-团簇进行了理论计算。得到了Al13,Al13＋,Al13-团簇的基态结构及其一系列的亚稳态结构。Al13和Al13-的基态结构是略有畸变的二十面体,而Al13＋的基态结构是Al13的一个亚稳态结构。发现Al13-基态结构的态密度与试验的结果符合的很好。对这些结构的能量,键长和最高占据态与最低占据态的能量间隔做了讨论。     

密度泛函理论研究Nin团簇的基态结构和性质

使用密度泛函理论,计算得到了Nin(n=2~8)团簇的基态几何结构。结果表明,团簇的结构与块体不同,随尺寸变化较大;由于Jahn-Teller效应的存在,团簇的基态结构采取对称性较低的构型;每原子平均束缚能、配位数均随尺寸单调增长;Nin(n=4,5)团簇的分裂以失去Ni2方式进行,其余以失去镍原子方式进行;电离势随尺寸的振荡趋势与实验一致。     

AlmWn（m＋n=2-6）团簇结构与稳定性的研究

采用密度泛函理论的B3LYP方法,优化了AlmWn（m＋n=2-6）团簇的稳定结构,计算了团簇的电离势,电子亲和能,最高占据轨道能级（HUMO）和最低空轨道能级（LUMO）及二者间的能隙。得出了团簇均为空间立体结构,Al4W2团簇较其他团簇的稳定的结论。     

Ga12－nAs n（n＝0～12）系列团簇基态结构及稳定性的研究

在基于第一性原理的ADF程序平台上,对Ga12－n Asn （n＝0～12）系列团簇的基态结构、能量、能隙、电离能和亲和势等物理性质进行了随机筛选和精确计算．对结果的分析表明,随着 n的增加,团簇的总能量几乎呈线性下降,电离能从5．9eV上升到7．3eV,亲和能在2．0～2．7eV之间波动,电离能比亲和能大,HO‐MO‐LUMO能隙从0．6 eV上升到2．2 eV ,并在 n＝4～9之间,呈现明显的奇偶性振荡,与能量的二阶差分所显示的相一致,表明在 n＝3、5、11处团簇将具有较高的稳定性．     

Ni^＋Nen（n=1-7）和Ni^＋Arn（n=1-6）团簇的结构与稳定性

用密度泛函理论(DFT)的杂化密度泛函B3LYP方法在6-311+G(d)基组水平上对Ni+Nen(n=1-7),Ni+Arn(n=1-6)团簇的各种可能构型进行了几何优化,得到了团簇的最稳定结构,并对最稳定构型的电子结构、电荷分布进行了理论分析.结果表明:当团簇离子n≤4时为平面构型,n>4时为立体构型.同时,能量分析和自然键轨道(NBO)分析表明Ni+Nen团簇的稳定性不如Ni+Arn.     

遗传算法研究Ptn(n=2～57)团簇的基态结构特性

采用紧束缚势结合遗传算法系统的研究了Ptn(n=2～57）团簇的基态结构特性.结果表明：在铂团簇的生长中除类二十面体结构外,还存在类十五面体和类fcc构型与之竞争.通过讨论团簇的平均束缚能Eb、二阶差分能Δ2E(n)和剩余能ΔE(n),发现铂团簇平均束缚能随原子数目的增加而增大,n为13、22、24、30、38、48和54为其幻数序列.     

Mgn(n=2～7)团簇的几何结构研究

采用密度泛函DFT中的B3LYP方法,选择sdd和6-311+g基组,对Mgn(n=2～7)小团簇的各种可能结构进行优化,得到了它们的基态平衡结构并计算出其原子化能.研究表明:随着团簇尺寸的增大,单个原子的平均原子化能逐渐增大.同时分析了团簇的最高占据轨道与最低空轨道之间形成的能级间隙.计算出了电子亲和能和电离势.最后分析了费米能级、电子亲和能和电离势的变化规律及其原因.     

带电对Ga7As7团簇基态结构的影响

采用全势能线性Muffin-tin轨道分子动力学计算方法(FP-LMTO-MD),对中性砷化镓Ga7As7团簇基态结构带电后在能量和几何结构上的变化进行研究.计算结果表明,随着电离程度的增加,团簇结构上的畸变更加明显,并且正离子团簇将比负离子团簇更快地失去稳定性.     

Tin（n=2～6）团簇的平衡结构及其热力学性质

用密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)的Slater Vosko Wilk Nisair(SVWN)方法及Becke 3Lee Yang Parr(B3LYP)方法,对Tin(n=2～6)团簇的平衡构型和热力学特性进行了研究.结果表明,团簇的结构为密堆型,它不同于块体且随尺度发生一定的变化,添加一个原子并不显著改变母本团簇的结构.团簇的总能量ET随尺度单调减小,团簇的零点能(Ezp)、热容(cop)和标准熵(So)随尺度单调增加.     

（AgI）6团簇的简正模式及其热熔化性质

计算了(AgI)6团簇的简正模式,以简正模式产生初速度,利用分子动力学模拟方法研究了其熔化行为. 由于简谐振动向非简谐振动的转变,在各简正模式下团簇有相似的熔化过程.由团簇"正面"与"侧面"的不断轮换解释了在中温区键长涨落与热容的不一致性.     

外来吸附原子对Al_(13)团簇的结构影响

应用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对Al13团簇的原子吸附特性(吸附H、Li、Na、K、B、Al、Ga、C、Si、Ge、N、P、As)进行了系统的研究.研究结果表明:第二周期中的原子,随着原子序号的增加对其结构影响逐步增加,第三和第四周期同一族中的原子对Al13团簇的结构影响相似,特别是它们吸附在洞和桥两位置处的优化结构是相同的.Al13团簇结构本身和吸附原子的成键等性质决定了吸附结构的稳定性.     

Ga9-nAsn（n=0-9）系列团簇能量和稳定性的研究

采用基于第一性原理的ADF程序,对Ga9-nAsn（n=0-9）系列团簇的基态结构、能量、稳定性和电离能等物理性质进行了系统的计算和分析．结果表明,随着n的增加,团簇的结合能将呈线性增加,电离能在5．5和7eV左右波动,亲和能在2．5～3eV波动,电离能明显大于亲和能．在n=5和n=6附近,Ga9-nAsn（n=0-9）团簇的稳定性最高．     

简单金属小团簇Aln（n=2～7）的磁性

使用自旋极化的密度泛函理论下的第一原理方法,对简单金属铝的小团簇Aln(n=2～7)的结构特性和磁性进行了理论计算.结果表明:团簇的结合能随着团簇中原子数的增加而增大;虽然Al是简单金属,但是其小团簇Aln(n=2～7)具有磁性,磁矩在1 μB和2 μB间变化;通过能级图分析了Aln团簇磁矩的变化规律.此外,还分析了Aln团簇的磁矩、结合能、能量的一阶和二阶差分随原子数n的变化,讨论了最稳定团簇Al5的电子结构和电荷密度.