PbO过量对大各向异性改性PbTiO_3性能的影响

研究了一种新型的具有大各向异性的改性PbTiO3 陶瓷材料的性能随着材料制备中铅过量的变化而变化的关系 ,其中包括材料的机电耦合系数、机械品质因素、介电损耗等 .研究结果表明当铅过量为 1%～ 2 % (摩尔百分比 )时 ,材料的性能达到较佳 .通过分析认为 :当铅不足时 ,主要是由其它的B位掺杂离子取代A位的铅 ,从而造成配方B位离子的重新排列 ,材料的性能因而有所下降 ;当铅过量时 ,铅离子将取代A位的钙 ,部分钙离子将进入晶界 ,从而降低了材料的性能     

B位掺杂对改性PbTiO3陶瓷性能的影响

针对具有大各向异性的钙改性PbTiO3陶瓷材料,研究了在B位用镍铌和锌钨联合取代部分钛对材料性能的影响,研究结果表明：当Pb(Zn1/2W1/2)O3和Pb(Ni1/3Nb2/3)O3的掺杂量为3％（mol/mol）时,样品同时具有较大的压电各向异性和较高的机械品质因素,分析指出适合的B位取代会引起一定的晶格畸变以及较少的晶格缺位,使材料在极化后电畸充分转向,有利于提高压电各向异性和机械品质因素,用XRD和SEM对陶瓷的微观结构进行研究,发现随着镍铌取代量的增加,晶体结构的四方度有减小的趋势,从而导致材料性能相应的变化,利用这种变化可以对材料性能适当地进行调整。     

B位掺杂对改性PbTiO_3陶瓷性能的影响

针对具有大各向异性的钙改性PbTiO3陶瓷材料 ,研究了在B位用镍铌和锌钨联合取代部分钛对材料性能的影响 .研究结果表明 :当Pb(Zn1 2 W1 2 )O3和Pb(Ni1 3Nb2 3)O3的掺杂量为 3 % (mol mol)时 ,样品同时具有较大的压电各向异性和较高的机械品质因素 .分析指出合适的B位取代会引起一定的晶格畸变以及较少的晶格缺位 ,使材料在极化后电畴充分转向 ,有利于提高压电各向异性和机械品质因素 .用XRD和SEM对陶瓷的微观结构进行研究 ,发现随着镍铌取代量的增加 ,晶体结构的四方度有减小的趋势 ,从而导致材料性能相应的变化 ,利用这种变化可以对材料性能适当地进行调整     

硫铁铝酸钡钙水泥的研究

以硫铝酸钡钙水泥为基础,用分析纯化学试剂Fe2O3取代其主矿物C2.75B1.25A3S中的Al,取代质量为1∶1,从而合成一种新型矿物水泥,并研究该水泥的力学性能.水泥的成分采用XRD和SEM进行分析研究,并对其微观结构合水化机理进行了初步分析.结果表明:铁离子可以部分取代铅离子,并有利于降低烧成温度.取代质量为1∶1时,晶形发育良好,晶界清晰,强度较高.     

DFT+U方法研究Ni掺杂对CeO2结构和储放氧性能影响

铈基材料具有优异的储放氧性能和催化活性,在当今催化领域有着广泛的应用.本研究通过DFT+U方法计算了Ni掺杂引起的Ce02局域结构及全局结构扰动.并分析了原子位置排布与储放氧性能之间的构效关系.当Ni以间隙位形式进入CeO2晶胞时,Ni具有四面体配位特征,部分氧离子远离其初始位置.向类间隙位移动;在产生氧空位之后,全局结构弛豫现象明显.当Ni以取代位形式进入CeO2晶胞时,Ni具有八面体配位特征,与纯NiO结构类似;在产生氧空位之后,由Ni及其最近邻氧离子构成的局域空间发生扩张.结合氧空位生成能计算结果,间隙位Ni离子对储放氧性能的促进较小,取代位Ni离子可促进体系自发产生氧空位.     

Ba^2＋,Cu^2＋,W^6＋对PFN瓷的固溶和介电性能的影响

通过Ba~(2+)、Cu~(2+)、W~(6+)离子对PFN的A位或B位取代,研究了BCW在PFN—BCW二元系中的作用。Ba~(2+)离子的A位取代能显著降低系统的Tc,且展峰作用明显。少量Cu~(2+)离子的添加能显著降低PFN的烧结温度。Cu_(2+)、W~(6+)离子的复合B位取代能提高Cu~(2+)在PFN中的固溶量,减少焦绿石相的形成,有利于系统的低温烧结和改性。     

船用、潜水用X-cell充电式电瓶

英国船级社面向船用、潜水用市场研制开发了 x-cell充电式电瓶,从而取代了目前市场上的旧式电瓶。 该电瓶可以最高充电3000余次。并且具有和其它铅蓄电瓶不同的性能。使用时不必担心其漏电、腐蚀、充电过量等问题,     

La-Cu-Mn系钙钛矿型复合氧化物的表面特征

采用以EDTA为配位剂的Sol-gel法制备La-Mn体系钙钛矿型复合氧化物，借助X射线衍射（XRD），X射线光电子能谱（XPS）等手段对其表面的结构和性质进行表征。结果表明，Cu^2 部分取代A位、B位或同时部分取代A位、B位将导致氧化物特征发生变化，部分取代A位的La^3 比部分取代B位的Mn^3 更有利于锰离子在表面富集，更能提高晶格氧的相对含量和阳离子缺陷的浓度，但对Mn^3 含量的影响程度没有明显差异。     

铋层状结构压电材料的掺杂改性研究

作者以CaBi4Ti4O15为研究对象,通过对A位选择Nd3 部分替代Bi3 或者Ca2 ,以及用V5 和W6 取代部分B位的Ti4 的掺杂改性,研究了不同掺杂元素及掺杂位置对材料结构和性能的影响.结果表明,A位和B位均能通过提高剩余极化和降低矫顽场,来改善陶瓷的压电性能;A位比B位有更高的掺杂固溶量,可获得更好的铁电和压电性能,剩余极化2Pr高达20.4μC/cm,压电常数d33高达20pC/N.     

聚合物B位前驱体法制备锆钛酸铅纳米复相陶瓷微观结构

采用前驱体法合成了钙钛矿型B位离子氧化物固溶体,以此作为B位先驱体与碳酸铅通过固相反应在740℃合成A位缺铅的亚稳态钙钛矿型锆钛酸铅(PZT)固溶体.烧结过程中纳米级四方和单斜ZrO2纳米粒子从固溶体中析出.借助X射线衍射仪、扫描电镜和透射电镜对物相、组成和微观结构进行了分析.随ZrO2的加入量增加,断口从沿晶穿晶混合断裂变为穿晶断裂.研究表明,采用聚合物B位前驱体法成功制备出内晶型锆钛酸铅纳米复相陶瓷.