高自旋具有单轴各向异性的横向Ising模型基态相变现象的研究

采用平均场理论和相关有效场理论,对高自,旋具有单轴各向异性的横向Ising模型的基态相变现象进行了研究,推导出系统有限温度和基态时磁矩与能量公式.采用数值计算方法得到了平均场理论和相关有效场理论下的蜂窝点阵、平方点阵和简立方点阵晶格的基态相图,重点比较了通过平均场理论和相关有效场理论得到的相交特征的差异.     

晶场中自旋为1的横向伊辛模型的相图

用平均场近似方法研究了纵场中横向伊辛模型的晶场效应，绘出相图，并计算了纵向磁化、横向磁化和四极柜。     

三维横向晶场稀疏Ising模型的相变行为及磁化

在有效场理论和切断近似的框架内,研究自旋S=1横向晶场稀疏Ising模型的相变行为和磁化.研究发现晶场稀疏情况下,相图的负晶场方向存在临界温度的峰值,正晶场方向随晶场浓度的降低出现重入现象,高温和低温下的磁化存在许多差异.     

三亚点阵Ising模型相图

用平均场理论研究三子格Ising模型的磁性质，给出了相变条件公式和相图.     

Sm2Fel7-xGaxCy化合物磁晶各向异性的晶场分析

用单离子模型晶场理论计算了Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘＣｙ化合物的磁晶各向异性场随温度和Ｇａ、Ｃ含量的变化关系,讨论了不同晶位的Ｇａ原子和间隙位Ｃ原子对磁晶各向异性的贡献。从而解释了Ｇａ原子对Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘ和Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘＣｙ化合物磁晶各向异性的影响。     

横向Ising铁磁性薄膜的临界行为

本文采用相关有效场理论和横向Isjng 横型,讨论了简立方结构铁磁性薄膜的临界温度的厚度效应及其与横场的关系,以及横场临界值与薄膜厚度的关系.     

S=1 Ising自旋玻璃的晶场效应

本文应用有效场理论,直接计算了S=1、具有无规交换作用,并包含晶场效应的Ising自旋玻璃的热力学参量。     

高自旋横向Ising模型的基态磁性

采用相关有效场理论,对具有正方点阵结构的S=2横向Ising模型,推导出系统的磁矩公式,并利用数值计算方法得到了基态的磁化曲线。研究发现在基态下,系统随晶场或横场的变化产生了一级有序—有序相变、一级有序—无序相变及二级相变,二级相变普遍存在,一级相变只存在于狭窄的晶场和横场范围内。     

三亚点阵Ising模型相图

用平均场理论研究三子格Ising模型的磁性质，给出了相变条件公式和相图。     

具有单离子各异性场的键稀疏混合横向伊辛自旋系统的相图

本文在有效场理论的框架内研究了具有离子各向异性场稀疏混合横向伊辛自旋系统的相图。重点给出了蜂窝晶格的相图。如果负单离子各向异性场参数不大且横场值较小，我们观察到在目前的系统中重入相变可能发生。横场对重入相变行为的影响在本文中也进行了讨论。     

立方点阵稀磁混自旋模型基态相图

用相关有效场理论研究立方点阵、稀磁混自旋Ising模型的基态性相质。计算了基态相变点和基态补偿点随磁原子浓度的变化规律、给出了基态相图。     

Surface Phase Diagrams of the Site-bond Diluted Surface Ordering an Ising Ferromagnet with a Transverse Field

■i■hin the framework of an effeetive-fieId theory with correlation we diseuss the phase diagrams for surface ordering in a semi-infinite Jsing ferromagnet with a site-bond diluted free surface and a transverse field. A certain characteristic behaviour for the surface ordering is obtained.     

二维稀磁Ising亚铁磁体热力学性质

用相关有效场方法分别计算了具有峰窝点阵和平方点阵的二维稀磁混自旋Ｉｓｉｎｇ系统的内能和比热。结果表明在相同稀磁浓度下，具有平方点阵的系统居里温度高于具有蜂窝点阵的系统的居里温度。二者在居里温度点发生的相变皆为二级相变。平方点阵系统在较大温度范围内呈现亚铁磁性。     

横场下Ising变磁体的基态性质

采用平均场理论研究了横场下双子晶格Ising变磁体的基态磁性质,计算了基态能量、纵向交错磁矩、纵向磁化率、横向磁矩等重要物理量·分别计算了施加不同横向磁场Ω时纵向交错磁矩ms,z0,纵向磁化率χt,z0和横向总磁矩mt,x0随纵向磁场的变化·结果表明,横向磁场的作用使系统的自旋由与平面垂直方向朝着与平面平行方向偏转,从而阻碍了自旋沿与平面垂直方向的反转·给出了纵向磁场h与横向磁场Ω平面的基态相图,确定了三相点的位置为hi=0 3578,Ω=0 7156·计算表明,在横向磁场较小而纵向磁场较大时,系统发生一级相变;在横向磁场较大而纵向磁场较小时,系统发生二级相变;横向磁场对Ising变磁体的基态...     

不同子格随机横场作用的混合伊辛自旋系统补偿行为的研究

在有效场理论的框架内,讨论简立方晶格中不同子格随机横场作用的混合自旋S-1／2和S-1系统的补偿行为。研究发现在两种组合随机浓度下一定的不同横场范围内均存在补偿行为,同时得到补偿行为及P型和Q型磁化曲线存在的区域,但两种情况表现出不同结果,给出了详细描述和解释。     

横向Ising模型性质的理论计算

利用Bethe-Peierls近似,研究了配位数为6(简立方)和4(平面正方)晶格上的横向自旋1／2的Ising模型的磁学性质,在不同横向场参数下,计算了两个系统的自由能、横向和纵向磁化强度、内能和磁比热等物理量,发现横向磁场对系统的物理量有明显影响,并对系统自发磁化有抑制作用．     

二维稀磁Ising亚铁磁体基态性质

用有效场理论研究了二维稀磁Ｉｓｉｎｇ系统的基态磁性质和基态能量，计算了基态时相变补偿点随磁原子浓度的变化情况，得到了基态相图，给出了基态时磁化强度曲线，得到和相图自洽的结果，同时还给出系统基态能量曲线。     

采用横向铁磁交互作用的随机场伊辛模型的量子退火算法

通过数值对角化分析瞬时基态和第一激发态,提出基于横向铁磁交互的量子退火的优势.采用贝特近似作为实际执行的算法,给出相应的模拟结果,并对传统量子退火、基于横向铁磁交互作用的量子退火和模拟退火算法的剩余误差进行比较.结果表明:所提算法能有效提高传统量子退火在随机场伊辛模型中的收敛速度;利用量子波动的选择空间可以有效实现量子退火的最佳性能.