高择优取向(100)PZT铁电薄膜的磁控溅射生长

以射频（RF）磁控溅射法分别在Si（111）和Pt（111）／Ti／SiO2／Si基底上溅射沉积LaNiO3（LNO）薄膜电极,沉积过程中基底温度为370℃,然后对沉积的LNO薄膜样品进行快速热退火处理（500℃／10min）。X射线衍射（XRD）分析表明：Si（111）基底上LNO电极表现出高度的（100）取向,而Pt（111）／Ti／SiO2／Si基底上LNO电极则表现较强的（111）择优取向。然后在（100）LNO薄膜电极上生长PZT铁电薄膜,通过合适溅射工艺参数的选择,成功地制备了高度（100）取向的PZT铁电薄膜。     

室温下Ba0.67Sr0.33TiO3薄膜的射频磁控溅射法制备及其电学性能研究

采用磁控溅射技术在室温下制备Ba0.67Sr0.33TiO3薄膜,通过引入LaNiO3作为缓冲层以及对退火工艺的研究,采用两步法快速退火工艺与常规退火工艺结合的方式获得了致密并具有良好电学性能的钛酸锶钡薄膜.X线衍射分析表明室温情况下获得的薄膜是非晶态,需要通过后续的退火处理才能获得晶化的薄膜,采用快速退火与常规退火相结合工艺,即以40℃/s的升温速率,先升温到850℃,再降温到450℃保温180s,然后再在500℃常规退火3h,可使室温下溅射的呈非晶态的BST薄膜晶化形成具有完全钙钛矿结构的BST薄膜,薄膜致密,晶粒大小均匀.室温下所制备的BST薄膜在100Hz时的介电常数约为300,介电损耗约为0.03,具有铁电性.     

氧化锆氧传感器电极电化学性能研究

采用不同的材料和工艺制备氧化锆氧传感器的电极,研究并分析了各种试验条件下电极的电化学阻抗谱.试验结果表明,氧传感器电极材料与处理工艺对电极电化学性能有很大影响,并由此得到合适的电极制备和处理工艺.     

一种用于BIPV的半透明非晶硅薄膜太阳能电池的研究

利用一种半透明非晶硅薄膜太阳能电池采用高导电性能的透明银(Ag)薄膜和TCO薄膜组成透明的背电极代替了普通的不透明铝背电极,通过ZnO/TiO_2薄膜组成复合增透膜提升入射光能,弥补透明背电极的背反射减弱问题。实验采用磁控溅射法制备厚度为10~15 nm的银薄膜与200~300 nm厚度AZO薄膜为透明背电极,采用厚度为65 nm的ZnO薄膜和50 nm的TiO_2薄膜为增透膜,制备的电池样品平均输出功率为39.76 W,透光率为20.17%,对比相同电池工艺的传统半透明非晶硅薄膜太阳能电池组件,有效地减少了光损失,提高了电导率。     

PLD法在透明石英单晶(100)上制备高取向KTN薄膜

Sol-Gel法制备KTN多晶粉末, 在富氧气氛下烧结富钾KTN陶瓷, 代替KTN单晶作为靶材, 用PLD技术在透明石英单晶(100)基片上制备高取向透明KTN薄膜.受石英单晶热应力限制, 沉积时基片温度为300˚C, 远低于在P-Si(100)制备时的基片温度560℃. XRD分析表明, 所制薄膜为非晶态, 通过提高脉冲激光能量密度结合后期退火的方法使非晶态薄膜转化为晶态, 最佳激光能量密度和退火温度分别为2.0J/cm²和600˚C. 探讨了PLD技术在低衬底温度下成膜的机理, 分析退火温度对薄膜钙钛矿相形成和晶粒取向的影响, 给出透明石英单晶(100)基片上制备高取向KTN薄膜的最佳工艺.     

GaAs光导开关电极制备工艺及性能测试

为了解决目前GaAs光导开关成品率低、稳定性差和可靠性低等问题,提出了GaAs光导开关的关键电极制备工艺解决方案。该方案首先以半绝缘GaAs材料作为衬底,利用电子束蒸镀机在GaAs衬底上沉积Ni/Ge/Au/Ni/Au金属复合层作为光导开关电极,并对电极进行快速退火使其与GaAs衬底形成欧姆接触;然后,为了隔绝光导开关与外界环境,在GaAs衬底上沉积氮化硅作为钝化保护层;最后,通过在欧姆接触电极上外延场板的工艺,制备出电极间距为4 mm的异面GaAs光导开关。对所制备的GaAs光导开关的测试结果表明：在400℃退火条件下,电极的接触电阻率最低可达到0.019 5Ω·cm²;采用50Ω单脉冲形成线,在工作频率为1 kHz、偏置电压为22 kV时,光导开关的输出电压脉冲为10 kV,脉冲上升时间为亚ns量级。采用该制备方法制备的GaAs光导开关的成品率高达约98%,可稳定工作上万次。     

太阳能电池片上生长ZnO/Al薄膜电极的研究

太阳能电池片上生长ZnO/Al薄膜电极的研究属于新型透明导电材料领域,具体涉及一种在未引入电极的太阳能电池片上制备ZnO/Al薄膜的方法。以未引入电极的太阳能电池片为基片,清洗后送入磁控溅射反应室,以纯Al为靶材进行磁控溅射得到20~300nm厚的Al薄膜,然后将基片置于气相沉积室内同时通入氧气和携带有Zn(CH2CH3)2的氩气,沉积得到50~600nm厚的ZnO薄膜,最后在氧气气氛下,于400~600℃对载有ZnO和Al薄膜的基片退火处理,得到ZnO/Al薄膜。制备工艺简单,沉积过程易于控制,透明导电薄膜的均匀性好,光电性能优异,以此作为太阳能电池的背电极,替代传统的铝金属电极,进一步提高了太阳能电池的转化效率。     

退火温度对TiO2薄膜光学性能的影响

为确定合适的TiO2薄膜退火工艺,研究了退火温度对采用中频交流反应磁控溅射技术制备的TiO2薄膜光学性能的影响.利用分光光度计测得石英玻璃基体TiO2薄膜试样的透射谱和反射谱,用包络线法和经验公式法计算出薄膜的光学常数.结果表明 TiO2薄膜的折射率随退火温度的上升而增加,低温退火时薄膜消光系数略有减小, 500 ℃退火时TiO2薄膜具有最优的光学性能.     

FTO玻璃基底上直接制备ZnO介孔纳米片及表征

以Zn(NO3)2.6H2O和(NH2)2CO为源物质,通过水热法以及退火工艺,在F:SnO2(FTO)导电玻璃表面制备了ZnO介孔纳米片薄膜.XRD表征结果表明,经由水热法直接生长在导电玻璃表面的薄膜为Zn(CO3)x(OH)y.nH2O,属于底心单斜晶体结构;经过退火以后,Zn(CO3)x(OH)y.nH2O转变成六角纤锌矿结构ZnO.能谱测量结果也佐证了这一点.扫描电子显微镜(SEM)图像表明,退火后得到的ZnO薄膜为垂直于导电玻璃表面的纳米片结构,纳米片表面密布着纳米尺度的孔洞.在FTO导电玻璃表面直接制备的ZnO介孔纳米片结构可望提高染敏电池光伏性能,是一种有潜力的工作电极结构材料.     

SED平板显示薄膜电极的工艺研究

表面传导电子显示（SED）的关键部分是下基板（即阴极板）的制作,而阴极板上薄膜电极的质量直接影响了阴极电子发射的性能。本文研究了采用剥离技术来制备SED平板显示器阴极板上薄膜电极的工艺,实验表明,利用剥离工艺所镀制的铬铜铬金属薄膜厚度为123.93nm,电极条的平均阻值为12.26Ω,通过显微镜放大1000倍可以看到电极裂缝宽度为10μm,阵列精细整齐,无翘边、连线情况出现,并且附着力、热稳定性和厚度性能也达到了后续工艺的要求。     

极板材料对三维电极反应器中电极电位分布形式的影响

对废水处理所使用的以颗粒状活性炭为填料的三维电极反应器中电极电位的分布进行了测定，并根据测定结果，将不同极板材料(包括铜、不锈钢、钛、铅、铁、铝、镍、石墨、表层镀有Ir和Ru的钛网)反应器中电极电位的分布状况归为中心对称无极值型、中心对称极值型和非对称无交点型．同时，测定了不同反应器中不同电压下的电流值，发现在个别反应器中电流与电压之间偏离了线性关系。     

不同因素对三维电极体系电极电位的影响

反应器采用颗粒状活性炭为填料，中间位置添加隔膜，研究了不同条件下三维电极体系电极电位的分布规律及其影响因素．结果表明，三维电极阴极和阳极区靠近隔膜处的电极电位绝对值明显高于靠近两极处的电极电位，且阴极和阳极区电极电位绝对值都随外加电压的增大而上升．阴极板材料性质决定了阴极板电极电位的高低：阴极板材料还原性能愈强，其极板电极电位负值绝对值愈大；阴极板材料还原性能愈弱，其极板电极电位负值绝对值愈小．不同厚度隔膜处理不会影响极板电极电位高低，也不会影响阳极反应区电极电位大小，但能提高三维电极体系还原区的还原能力．与低浓度的反应溶液相比不仅提高了阴极反应区电极电位，还能影响极板电极电位的高低．     

玻璃电极作为内导的PVC膜苯海索离子电极研制

以玻璃电极为内参比电极直接涂覆活性材料研制成功PVC膜盐酸苯海索离子选择性电极,盐酸苯海索含量在10^-5～10^-2mol／L时电极有能斯特响应,电极有较好的稳定性与重现性,用校准曲线法测得药片中盐酸苯海索含量为每片1．730mg(n=5),相对标准偏差为4．0％,并以苯海索电极为指示电极,四苯硼钠电位滴定法对同一样品进行了测定,得到了一致的分析结果。     

同轴和平行平板介质阻挡放电特性研究

分别利用同轴和平行平板介质阻挡放电装置,在流动大气压氩气中实现了稳定的放电.利用电学方法对两装置的放电电流进行了比较,研究发现两装置外加电压每半周期都放电1次,但平行平板装置的放电电流脉冲是对称的,而同轴装置外加电压正负半周的放电电流幅度和宽度明显不对称.通过分析放电动力学过程,对这一实验现象进行了定性解释.该结果对介质阻挡放电动力学过程的研究具有重要价值.     

铅汞齐电极标准电极电势的确定

本文测定了不同含铅量的液态铅汞齐电极在298K对饱和硝酸铅溶液的电极电势，并用作图外推法求得ΦPb^02 Pb(Hg)(aPb=1)的值。     

多电极对激光器电极形状及预电离结构的选择

在多电极对激光器中，电极对形状直接影响到激光器的性能。现有的各种电极面型各有其利弊。该文分析了各种形状的电极面型的优缺点，给出了结构简单、对提高多光脉冲输出稳定性有利的电极形状。此外，为获得大体积均匀辉光放电和提高输出稳定性，选择出适宜于多电极对ＴＥＡＣＯ２；激光器中使用的预电离结构。这为正确选择ＴＥＡＣＯ２激光器中的电极形状及预电离结构提供了基础。     

氟离子选择性电极的再生利用

提出了一种利用ＮａＯＨ深液再生旧氟离子选择电极的方法。适宜的ＮａＯＨ浓度为０．００１－０．０５ｍｏｌ／Ｌ，浸泡时间为３０－４０ｍｉｎ。     

聚苯胺修饰电极研究

本文研究了苯胺电化学聚合时溶液介质种类和pH的影响,表明在中性溶液中电聚合得的循环伏安图与酸性溶液申明显不同,无还原峰出现,且峰电流随扫描次数增加而下降。报道了氯离子掺杂的聚苯胺膜对一些阴离子均有电位响应,测定了一些阴离子的选择性系数。同时研究了聚苯胺-GOD和聚苯胺-二茂铁甲酸-GOD修饰膜电极的制备条件和性能。     

乙酰胆碱酯酶电极反应机理

在研究酶电极基础上探讨了电极上的反应机理。以乙酰胆碱酯酶催化活性为基础的抑制型酶电极的电极反应是:1)催化底物水解;2)底物中的I-被氧化为I2;3)底物氯化硫代乙酰胆碱分解产生的硫代胆碱含有的-SH基在银基汞膜电极上与汞生成硫醇汞盐。硫代胆碱在玻碳电极表面的氧化,为具有吸附性的不可逆过程,电极反应的电子转移数n=2,反应速率常数k=0.29s-1。