CIGS薄膜太阳能电池用背电极性能研究

CIGS薄膜太阳能电池的传统背电极中的导电层为了满足电阻要求,必须使用较厚的Mo薄膜作为电子传导层进行电流传输,同时作为电子触头与CIS半导体接触.但较厚的Mo薄膜导致背电极内部应力较大、薄膜制备速度慢且成本高,因此,需开发厚度小、应力小、成本低的新型背电极.新型背电极需要具有较高的电流传输能力,并且经过高温硒化处理后...     

SED平板显示薄膜电极的工艺研究

表面传导电子显示（SED）的关键部分是下基板（即阴极板）的制作,而阴极板上薄膜电极的质量直接影响了阴极电子发射的性能。本文研究了采用剥离技术来制备SED平板显示器阴极板上薄膜电极的工艺,实验表明,利用剥离工艺所镀制的铬铜铬金属薄膜厚度为123.93nm,电极条的平均阻值为12.26Ω,通过显微镜放大1000倍可以看到电极裂缝宽度为10μm,阵列精细整齐,无翘边、连线情况出现,并且附着力、热稳定性和厚度性能也达到了后续工艺的要求。     

非晶硅薄膜电池AZO背反射电极的制备

采用直流脉冲磁控溅射方法在非晶硅薄膜上制备AZO背反电极,比较不同制备参数对透过率及效率的影响。采用优化参数,得到效率增加了0.8%的非晶硅薄膜电池。根据实验结果,证明背反电极增反机理不是薄膜干涉增强原理,而是因为界面共振吸收减少,而导致光的吸收增强的机理。     

柔性衬底上铝背电极制备及相关特性研究

采用射频磁控溅射技术在聚酰亚胺柔性衬底上制备硅基薄膜太阳能电池用铝背电板,研究了不同溅射功率和工作气压条件对铝电极薄膜性能的影响.利用原子力显微镜分析表征了薄膜的表面形貌和粗糙度,薄膜的电学性能和光学性能分别采用四探针测量仪和紫外可见近红外分光光度计进行分析表征.测试结果表明:随着溅射功率的增加,薄膜表面均方根粗糙度迅...     

电子束蒸发a—Si1—xCrx薄膜的电导特性研究

本研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ１－ｘＣｒｘ的变温电导特性。实验结果表明，Ｘ≤１０ａｔ％的组分范围内，室温电导率由８．７×１０＾－６增大到７．２×１０＾－１Ω＾－１，ｃｍ＾－１，在２９０Ｋ到５００Ｋ的范围内，薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和ＥＦ附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电。Ｃｒ＾３＋离子在非晶薄膜中的存在形式，它对硅悬挂键的补偿以及掺Ｃｒ     

ITO电极方阻对有机太阳能电池性能的影响

研究了氧化铟锡(ITO)电极方阻对有机太阳能电池性能的影响.通过分析采用不同方阻的ITO作为阳极的有机太阳能电池电阻特性和光学特性,探讨了影响器件性能的原因.ITO电极方阻影响器件的串联电阻和并联电阻,从而对器件的短路电流和功率转换效率有显著影响.不同ITO玻璃的透过率以及电磁场在电池器件内部的分布表明,ITO玻璃的光学特性差异不大,对器件性能影响较小.器件效率的差别主要是由于不同ITO方阻对器件电阻特性的影响导致.     

n型Si接触电极系统研究

用电子束蒸发方法，在ｎ型硅上制作不同的复合金属－ｎ型硅接触系统。对接触系统的接触电阻、机械牢固度、稳定性进行了试验，实验结果表明，Ｍｇ／Ａｌ－ｎＳｉ接触系统具有很低的接触电阻，其比电阻为１．４×１０－６Ω·ｃｍ￣２，并且有良好的机械牢固度，耐高温冲击和高温环境的侵蚀。     

射频磁控溅射和电子束蒸发制备ZnO薄膜特性的比较

利用射频磁控溅射(Radio frequency-magnetro sputtering,RF-MS)和电子束蒸发(Electron beam evaporation,E-BE)方法制备ZnO薄膜,并对两种方法制备的薄膜在400、450和500℃退火后的微观结构、光学与电学性能进行比较.结果表明,RF-MS比E-BE制备的ZnO薄膜的晶粒细小且均匀,表面粗糙度小.两种方法制备的ZnO薄膜的平均透光率均大于80%,且随温度升高均表现出禁带宽度变小以及在380 nm附近出现近带边发射和绿光发射现象.此外,E-BE比RF-MS制备的ZnO薄膜的电阻率小.     

TiO2薄膜折射率的调控方法

采用电子束蒸发技术及其辅助工艺制备了TiO2薄膜,利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的组织结构进行了表征,采用紫外可见分光光度计研究了TiO2薄膜的折射率变化.结果表明:传统电子束蒸发镀制的TiO2薄膜的折射率低于块体值,通过调节氧气压、沉积速率和衬底温度可在1.97～2...     

利用电子束蒸发制备高K介质TiO2薄膜

利用电子束蒸发在不同的衬底温度和蒸发束流下制备了TiO2薄膜,利用椭圆偏振仪测出了不同工艺条件下薄膜的厚度和折射率;利用高频CV曲线研究了制备工艺条件对TiO2薄膜的电容特性的影响,发现衬底温度和蒸发束流严重影响TiO2薄膜的CV曲线特性;最后利用XPS（X射线能谱）和FI-IR（傅立叶红外吸收）相结合的方法对TiO2薄膜的成分进行了分析,发现在与硅交界处存在一个亚稳态的过渡层,其成分是低价态的TiOx(x<2)和SiOy(y<2).     

氮化硅薄膜的快速热处理在太阳电池中的应用

研究了低温等离子体增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiNx)薄膜的快速热处理,发现一种能使硅片少子寿命(τ)显著提高的快速热退火工艺并对其机理和应用方法进行初步讨论.硅片在700℃、1 s的快速热处理下,τ提高200%左右,用PC1D--太阳电池模拟软件知其可带来0.54%的效率提高.同样的实验在已经扩磷的硅片上进行,少子寿命亦只提高55%.把上述研究和最新的激光烧穿接触工艺用于太阳电池,可使太阳电池效率有一定提高.     

CuInS2薄膜太阳能电池发展现状

CuInS2是一种最具前景的太阳能电池光吸收材料。介绍了CuInS2(CIS)太阳能电池的研究和发展现状,以及一种低成本的CIS薄膜太阳能电池产业化技术。展望了CIS薄膜太阳能电池在我国的发展前景。     

SSP衬底上多晶硅薄膜电池的研究

从简化步骤、降低成本的角度出发,采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在低纯颗粒带硅(SSP)衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池.测试结果表明,实验室制备的无钝化、无减发射膜的多晶硅薄膜太阳电池获得了3.57%的转换效率.并在此基础上提出采用氢钝化、减反射、快速生长和隔离技术,期待电池效率能有进一步的提高.     

激光刻划制备集成碲化镉薄膜太阳电池的研究

激光刻划是实现薄膜太阳电池集成的廉价、高效手段．使用调Q脉冲Nd：YAG激光刻划碲化镉多晶薄膜,研究了泵浦灯电流、脉冲重复频率、刻划速率与刻痕形貌的关系,优化了刻划的工艺参数,在此基础上制备出转换效率为5．42％的碲化镉薄膜集成电池．     

日本有机薄膜太阳能电池研究进展

通过调查近两年的最新文献资料,综述了有机太阳能电池的优劣和国际研究现状.从多个侧面阐述了日本有机太阳能研究现状,并探讨了今后有机薄膜器件研究的发展趋势和走向.     

基于β-FeSi_2薄膜的太阳能电池研究

介绍了β-FeSi2的结构,β-FeSi2薄膜的光电特性以及β-FeSi2薄膜在太阳能电池方面的应用,指出了需要加强研究的方面.     

薄膜显微结构的研究

采用复型技术,在透射电镜中观察到厚度大于0.5μm的蒸发淀积Al膜的显微结构,实验结果表明,膜的表面呈岛状结构,侧面呈柱状结构,同时也探讨了影响“柱”直径大小的因素。     

薄膜干涉中的半波损失与薄膜厚度

阐述了薄膜干涉中增透膜的增透过程,指出了学生在知识整理中因忽视半波损失而对皂液薄膜厚度产生的错误认识,分析了学生容易出现错误的原因,以引起教学中重视。     

高温后退火对薄膜太阳能电池光电性能的影响

应用SILVACO仿真软件,对N、P区杂质浓度分别为1×1016和1×1017cm-3的非晶硅薄膜太阳能电池进行了后退火工艺仿真研究.结果表明:非晶硅薄膜太阳能电池的光谱响应特性随着后退火温度的升高和退火时间的增加而提高.与未后退火电池相比,保持后退火时间1 min,退火温度分别为900,950和1 000℃时,电池的短路电流(Isc)增加约5.39%;保持后退火温度为950℃,退火时间从1 min增加到5 min,电池的短路电流(Isc)提高约6.37%.但是,电池的光谱响应特性的提高与后退火工艺参数不成正比关系.为了减小后退火对电池杂质再分布的影响,确定最佳后退火工艺参数为950℃和4 min.研究表明在薄膜电池的生产中增加后退火工艺可以有效地提高薄膜太阳能电池的光谱响应性能.     

酞菁铜薄膜的飞秒z-扫描研究

研究了酞菁铜薄膜的吸收光谱和飞秒三阶非线性光学极化率 χ( 3 ) .酞菁铜薄膜吸收光谱Q带的分裂是由于分子间相互作用导致酞菁的大π电子环产生畸变 ,从而使eg(LUMO)轨道的二重简并度解除 .分别采用钛宝石激光器的振荡级和放大级输出 ,用z 扫描方法测量了酞菁铜的三阶非线性光学极化率 .用激光器振荡级测量的 χ( 3 ) 值为 - 4 3× 10 -7esu ,而用激光器放大级测量的结果为 2 6 2× 10 -11esu ,前者比后者大 4个量级 .酞菁铜薄膜对激光束的吸收以及振荡级激光脉冲的高重复频率表明振荡级测量的结果主要来自热致透镜效应的贡献 ,而采用低重复频率的放大级测量得到的值才真正反映酞菁铜薄膜的本征三阶非线性光学特性