Y2O3掺杂对钛酸锶钡基陶瓷结构及介电性能的影响

采用固相反应方法制备出（1-x）Ba 0.2Sr0.8Ti0.98Zn0.04O3＋xY2O3（x=0,0.02,0.025,0.03）陶瓷材料,并研究Y2O3掺杂对BST-Zn陶瓷样品结构和介电性能的影响,得到以下结论：（1）一定量的Y2O3掺杂,可使BST-Zn陶瓷的晶胞体积增大,晶粒尺寸减小;（2）频率为10Hz时,当掺入2%Y 2 O 3时,ε＆#39;最大值可达到885,此时介电损耗为0.024;（3）Y 2 O 3掺入使得低温的弥散相变转化向极化玻璃化转变,并在250K和350K附近出现新的弛豫过程.     

以SrTiO3为基电容器瓷料的研究

通过对以ＳｒＴｉＯ３为基瓷料配方和制造工艺的改进，得到了在－２５℃－８５℃的温度范围内，介电常数ε大于２２００，介电常数的温度稳定性较好的瓷料。     

CeO2对甲醇水蒸汽重整反应催化剂的影响

研究了Cu/Zn/Ce/Al催化剂上甲醇水蒸汽重整反应，采用X射线衍射分析和程序升温 试验等技术对催化剂的物相结构和还原特性进行了探讨。结果表明：添加CeO2增加CuO的分散性，提高催化剂的稳定性。     

Mn对SrTiO3基电容—压敏陶瓷非线性系数的影响

介绍了ＳｒＴｉＯ３基电容－压敏陶瓷研究的国内外进展，从理论和实验出发研究了Ｍｎ对ＳｒＴｉＯ３基电容－压敏陶瓷非线性系数的影响，并得到了一些有益的结论。     

添加物对SrTiO3基高压电容器陶瓷的改性作用

本文研究了Bi     

WO3/CeO2对溴酚蓝的光催化降解性能

用复相光催化剂WO3/CeO2对含溴酚蓝的水溶液处理进行了研究.探讨了光催化剂作用机理,讨论了光催化剂的配比、溴酚蓝的起始浓度、光催化剂的用量、试液的pH 值、双氧水的用量、光照时间与溴酚蓝溶液脱色率的关系.实验结果表明:催化剂配比WO3:CeO2=3:1,试液溴酚蓝起始浓度为10 mg/L,催化剂用量为0.400 g ,pH =6.3,双氧水的用量为0.20 mL,光照6 h,溴酚蓝溶液的脱色率可以达到95.5%.     

复合掺杂对BaTiO3瓷介电常数温度特性的影响

研究了Ｄｙ－Ｎｂ、Ｃｅ－Ｎｂ氧化物复合掺杂对ＢａＴｉＯ３瓷温度特性的影响。结果表明，能使ＢａＴｉＯ３瓷的介电常数－温度关系曲线变得相当平缓。对造成此结果的原因，进行了理论分析和讨论。     

纳米CeO2催化CO2和CH3OH合成碳酸二甲酯

在常压条件下,采用化学沉淀法制备了纳米二氧化铈(CeO₂)材料,应用其催化CO₂和甲醇(CH₃OH)直接合成碳酸二甲酯(DMC).考察了反应温度、CO₂压力和CeO₂用量对合成DMC收率的影响,结果表明CH₃OH用量为15 mL时,在反应温度140 ℃、CO₂压力4.0 MPa、催化剂用量0.15 g的最优条件下,合成收率可达47.9%.     

退火温度对Nb掺杂SrTiO3薄膜光电化学性能的影响

研究了Nb掺杂SrTiO3薄膜的光电化学性能及其对储氢合金薄膜的光充电性能。采用射频磁控溅射将SrTiO3薄膜沉积在镍片基体上，在300-600℃退火处理后，采用直流磁控溅射将LaNi3.9Al1．3储氢合金薄膜沉积在镍片基体的背面构成SrTiO3／Ni／储氢合金电极。随着Nb掺杂SrTiO3薄膜热处理温度的升高，阳极光电流和光充电性能先增大后减小。     

工艺对SrTiO3—MgTiO3—Bi2O3·nTiO2系陶瓷结构和性能的影响

研究了ＳｒＴｉＯ３－ＭｇＴｉＯ３－Ｂｉ２Ｏ３ｎＴｉＯ２系陶瓷的初始原料及合成工艺对材料结构和性能的影响．研究表明，采用不同初始原料和合成工艺制成的材料的结构和性能差别很大．以ＳｒＴｉＯ３、碱式碳酸镁、ＴｉＯ２为初始原料以及经过预先合成烧块的工艺，有利于Ｍｇ２＋和Ｂｉ３＋在ＳｒＴｉＯ３晶格中发生电价补偿置换，促进Ｂｉ２Ｏ３ｎＴｉＯ２在ＳｒＴｉＯ３中的固溶，并可获得充分烧结的、电性能优异的高介低损耗瓷料     

Y2O3掺杂对BaZrxTi1-xO3陶瓷介电性能的影响

研究BaZrxTi1-xO3 (x=0,0.1,0.2,0.3)陶瓷中掺杂0.1％(按物质的量计算,下同)Y2O3对铁电-顺电相变温度的影响.发现0.1％Y2O3的掺杂使BaTiO3的铁电-顺电相变的居里温度向高温偏移了约20℃,不同Zr含量的样品也发生了一定程度的高温偏移.在-40℃到140℃的测量温度范围内介电频率弥散现象极弱,峰值介电常数可以达到8000,损耗峰值为0.05以下.随Zr含量的增加,损耗峰快速移向低温.与文献报道的结果比较,证实Y以A位替代Ba为主.     

CeO2掺杂KNN-LiSbO3无铅压电陶瓷的压电性能研究

利用传统固熔烧结法研究了Ce掺杂的95KNN-5LiSbO3无铅压电陶瓷（简称KNN-LS）的微观结构、压电性质、老化率和防潮性能。实验结果显示,掺杂CeO2对KNN-LS陶瓷在烧结温度、质量损耗、压电性质和微观结构有特殊的影响规律,本文从微观反应机理上对其做了解释。成功制备出高压电常数（255pC/N）、高致密度（98.1%）、低老化率和高防潮性能的无铅压电陶瓷样品,表明这是一种很有应用潜力的无铅压电材料。     

液相铌掺杂BaTiO3基PTCR陶瓷材料的研究

目的研究液相掺铌对BaTiO3系PTCR陶瓷材料电性能的影响。方法采用溶胶-凝胶一步法工艺和不同的降温速率。结果获得了室温电阻率2ρ5℃=28.93Ω.cm,升阻比Rmax/Rm in>1×106,阻温系数α30>15.00×10-2/℃,耐压强度Vbr>210V/mm,居里温度Tc=130℃的PTCR陶瓷材料。结论施主元素Nb以液相的形式添加分布更加均匀,材料的室温电阻率随施主元素Nb掺杂量增加呈U形变化,适量掺杂施主元素Nb可明显提高材料的PTCR特性,加快降温速率会明显削弱材料的电性能。     

Nd、Ce掺杂BaTiO3基陶瓷的研制及介电性能研究

本文采用固相法,分别用CeO2和Nd2O3掺杂钛酸钡基陶瓷,对其实验前后进行对比和物相分析,探讨了掺杂比例对其介电性能影响的规律.当w(CeO2)为0.4%时相对介电常数最大(79899),当w(CeO2)为1%时介质损耗最小(0.0223);当Nd摩尔含量为3‰时相对介电常数最大(31309),当Nd摩尔含量为1.5‰时介质损耗最小(0.0457).同时用X衍射法分析了粉体预烧前后的晶相变化和最佳掺杂比例时粉体的晶相变化.在适当条件预烧处理有助于介温谱的变化,介温特性得到改善.本文对所用的掺杂方法的可行性进行了分析.     

高介电常数CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷材料的研究现状

CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料因具有反常的高介电常数以及优异的温度稳定性而显示出广泛的应用前景.介绍了CCTO陶瓷材料的晶体结构、制备方法、介电性能和微观介电机制,综述了CCTO陶瓷材料的介电性能改性方面的研究现状.     

点缺陷对微波介质陶瓷介电性能的影响

从理论方面研究点缺陷对微波介质陶瓷材料介电性能的影响,通过实验分析微波介质陶瓷材料的几种改性机理中点缺陷所发挥的作用,以及工艺因素对点缺陷的影响,得出由于点缺陷的作用使得几种改性可能会产生的结果。     

新型复合稀土掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷

采用固相法制备新型复合稀土Sc2O3和Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷,并对其显微组织和电性能进行了分析.结果表明,复合稀土掺杂可提高压敏陶瓷的综合性能,并明显优于单一稀土掺杂,复合稀土掺杂对压敏陶瓷电性能的影响规律仍遵循单一稀土掺杂对压敏陶瓷电性能的影响规律.新型复合稀土Sc2O3和Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷,在相同的Sc2O3掺杂比例下,随Y2O3掺杂量的增加,电位梯度呈增加的趋势;在相同的Y2O3掺杂比例下,随Sc2O3掺杂量的增加,非线性系数呈增加的趋势.当掺杂Sc2O3的摩尔分数为0.12%、Y2O3的摩尔分数为0.20%时,复合稀土掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷的综合电性能最为理想,电位梯度为410V·mm-1非线性系数为38.0,漏电流为0.58 μA.     

Ho掺杂对Ba(Zr0.1Ti0.9)O3基陶瓷介电性能的影响

目的 通过Ho掺杂提高Ba (Zr0.1Ti0.9)O3 (BZT)基Y5V型陶瓷的介电性能.方法 采用Sol-gel一步法研究Ho掺杂对BZT基Y5V型纳米粉体及陶瓷微观形貌及介电性能的影响规律.结果 当Ho含量为0.10 mol％时,陶瓷最大介电常数为19943,容温变化率(TCC)符合Y5V标准.结论 随Ho含量的增加,BZT陶瓷的居里温度向低温方向移动,居里峰展宽,最大介电常数先增大后减小.因此,通过匹配的元素对材料进行掺杂改性,同时辅以优化的制备工艺可以实现陶瓷介电性能的有效提升.     

2F4特性瓷料中SrTiO3的改性作用

研究了２Ｆ４特性瓷料中加入少量ＳｒＴｉＯ３及ＳｒＴｉＯ３的加入方式对材料介电性能和窑业性能的影响．试验表明，在以ＢａＴｉＯ３－ＣａＳｎＯ３为主的２Ｆ４特性瓷料中加入少量的ＳｒＴｉＯ３有明显的改性作用．ＳｒＴｉＯ３的加入使瓷料居里峰展宽、负温度特性变好、介质损耗降低，耐电强度提高．ＳｒＴｉＯ３加入方式明显影响烧结性能．先将ＢａＣＯ３、Ｓｒ－ＣＯ３、ＴｉＯ２共同合成（Ｂａ１－ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３固溶体再进行配料烧结的比用ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３进行配料烧结的有较宽的烧成范围和较好的耐潮性．     

The development of Bi Fe O_3-based ceramics

The multiferroic properties of Bi Fe O3-based ceramics were improved through optimizing their sintering method and doping with certain rare earth elements in pure Bi Fe O3. Some methods, especially liquid-phase sintering method has largely decreased the densities of oxygen vacancies and Fe2in Bi Fe O3-based ceramics, and thus their resistivity became high enough to measure the saturated polarization and the large piezoelectric d33 coefficient under the high electric field of [150 k V/cm. Besides,multiferroic properties were improved through the rare earth elements’ doping in pure Bi Fe O3. Magnetization commonly increases with the proportional increase of Nd,La, Sm and Dy contents up to ＊30 %, while ferroelectric phase can transform to paraelectric phase at a certain proportion. An improved magnetoelectric coupling was often observed at ferroelectric phase with a relatively large proportion. Besides, an enhanced piezoelectric coefficient is expected in Bi Fe O3-based ceramics with morphotropic phase boundaries as they are already observed in thin epitaxial Bi Fe O3 films.