一种高灵敏度氧化石墨烯气敏传感器的构造方法及性能研究

采用紫外光与臭氧(UVO)法原位制备氧化石墨烯薄膜,以氧化石墨烯薄膜结合二端电子器件构造高性能气敏传感器。测试了氧化石墨烯气敏传感器对NH3的灵敏度、时间响应、选择性、保持率等特性,测试结果表明:由UVO法获得的氧化石墨烯气敏传感器的时间响应速度快、恢复性能好、稳定性强;UVO法的处理时间等工艺参数对氧化石墨烯气敏传感器的性能有很大影响,当处理时间为7min时,氧化石墨烯气敏传感器对NH3的灵敏度达到最高值,功耗低(测试功率≤1mW)且长期保持率好;以丙酮和无水乙醇为对比气体,该传感器对NH3表现出明显的选择性。UVO法制备的氧化石墨烯比化学法制备对器件的污染更少,且可实现氧化石墨烯薄膜图形化工艺与集成电路制造工艺相兼容。     

一种基于开关逻辑结构的低功耗SAR ADC的设计

设计并实现了一款10位逐次逼近型模数转换器,该电路采用了改进型开关逻辑结构降低了开关的动作频率,提高了数模转换器的线性度,同时降低了模数转换器的功耗.仿真结果表明,该模数转换器在Chartered 0.35μm 2P4M工艺下实现了10位精度,转换速率为250 kHz,信噪比大于60 dB,功耗小于2 mW.流片后测试结果显示芯片达到设计指标要求,平均功耗为1.97 mW.     

10位100MHz采样保持电路设计

设计了一种适用于10位100MHz的流水线模数转换器的采样保持电路.利用SMIC0.13μmCMOS工艺,设计了一个直流增益为87.6dB的全差分自举增益放大器,其功耗仅7.2mW,且达到0.05%精度的响应时间小于4ns.在采样时钟频率为100MHz,输入信号频率为10MHz时,该采样保持电路的无杂散动态范围(SFDR)为80.7dB.     

一种1.8 V 10/100 Mb/s以太网物理层发送电路

根据IEEE 802.3协议的指标要求,设计了一种采用0.18μm 1.8 V CMOS工艺的10/100 Mb/s以太网物理层发送电路.电路的实质是一个分辨率为5 bit,采样速率为125 MHz,上升下降时间为4 ns的电流驱动型数模转换器.芯片面积0.865 mm2,100 Mb/s时功耗为83.37 mW,10 Mb/s时功耗为109.6 mW.     

用于微悬臂梁红外焦平面读出电路的片上ADC设计

设计了一种用于微悬臂梁红外焦平面读出电路的片上 ADC。该 ADC 采用流水线结构实现, 采用带溢出检测的多位第一级和后级功耗逐级缩减的方案优化系统功耗, 提高线性度。该设计采用 0.35 μm 的 CMOS 工艺流片验证。测试结果表明: 5V 电源电压、10M 采样率时电路总功耗为98 mW, 微分非线性和积分非线性分别为 -0.8/0. 836 LSB 和 - 0. 9 / 1. 6 LSB; 输入频率为 1 MHz 时, SFDR 和 SNDR 分别为82 和 67 dB。     

CMOS工艺实现的热风速传感器及其封装

给出了一种完全基于CMOS工艺的热风速传感器及其封装的结构、工作原理以及测试结果.该传感器由加热元件和测温元件构成,多晶硅加热电阻元件产生一定的温度分布,CMOS纵向衬底晶体管实现由风速导致的温度变化的测量.传感器的封装采用导热胶在背面贴陶瓷的方式进行.该传感器采用恒温差工作模式,风速测量采用热损失型原理,测试电路是由仪器放大器组成的控制和测试系统.经过风洞测试,风速的测量可以达到30 m/s,风速分辨率达到0.5 m/s.传感器的功耗最大值小于100 mW.     

基于0.13 μm CMOS工艺的6.25 Gb/s高速串行数据接收器的设计

基于1.2 V 0.13 μm CMOS工艺, 设计一种数据率为6.25 Gb/s的高速串行数据接收器。该接收器采用半速结构降低系统工作频率, 其中: 均衡电路利用一种低功耗小面积的差分有源电感, 使RC负反馈均衡电路的高频增益增加50%; 采样电路为半速时钟驱动2-way交织结构, 同时实现1:2串并转换功能; DEMUX采用树型(tree-type)结构, 并使用一种新的1:2 DEMUX单元, 较传统单元电路节省40%的晶体管数量。HSPICE仿真结果显示, 该接收器在?55~125℃温度范围、各主要工艺角及电源电压波动10%的条件下, 均能正确工作, 核心电路平均功耗为3.6 mW。     

一种基于CMOS工艺的大范围可调宽带低通滤波器

设计了一款适用于高速硬盘读取通道模拟前端,具有大带宽和大截止频率可调范围的低通滤波器.提出了具有高低带宽两种工作模式的滤波器架构.在高带宽和低带宽两种工作模式之间切换可以提供超过100倍的截止频率变化范围.该低通滤波器采用SMIC 0.13μm CMOS工艺进行设计,仿真结果表明滤波器带宽为30 MHz~3.1 GHz可调,最大功耗为35 mW,信噪比为56.5 dB.     

CdIn_2O_4纳米氧化物制备及氯气敏感特性分析

以In(NO3)3和Cd(NO3)2为原料,采用Sol-Gel法合成N型CdIn2O4半导体氧化物纳米材料,通过500~800℃退火处理得到4种温度参数的纳米氧化物材料粉体,按照陶瓷半导体气体传感器工艺制成厚膜气敏元件.利用SEM对材料进行形貌表征,和XRD对材料的晶体结构进行分析,材料粒径尺寸在50 nm左右.测试结果表明,600℃退火烧结的纳米材料性能良好,元件在加热电压为3V时性能稳定,加热功耗约为200 mW;在50×10-6时灵敏度为32倍,响应恢复时间分别为90 s和180 s,最低可检测到1×106.     

烧结式微热管的吸液芯成型机理及其制造工艺

目前电子芯片对散热要求的越来越高,烧结式微热管已经成为其理想的散热元件。本文分析了铜粉颗粒在吸液芯中的成型机理,探讨了烧结式微热管吸液芯毛细结构的制造工艺,主要解决了吸液芯成型温度与成型时间的确定,以及烧结时芯棒的固定、抽出与铜粉颗粒的填充等相关问题。结果表明,采用本研究中的制造工艺和在900℃～950℃、30min～60min所烧结出来的吸液芯具有铜粉颗粒分布均匀、对称性好,生产效率高,成本低等优点,并且制成的微热管具有很好的传热性能。