四方钨青铜型结构铌酸盐铁电体的低温相变

许多具有四方钨青铜型结构的铌酸盐是铁电体,铌酸锶钡(SBN)和铌酸锶钡钾钠(KNSBN)是其中两个熟知的系列。这些晶体由于具有优良的电光特性,非线性光学特性和热电性而受到人们的重视。关于这两类晶体的高温相变已有不少研究。它们的高温顺电相属     

3BaO·3B_2O_3·2GeO_2的晶体学参数及热学性质的研究

一、引言 随着激光技术的发展,寻找新型非线性光学材料的研究非常活跃。偏硼酸钡低温相(Ba_3(B_3O_6)_2或BaB_2O_4)便是一种理想的新型紫外非线性光学晶体,但它存在两种多型体。若从熔体生长出高温相单晶转变为低温相的相变过程,晶体严重开裂,无法得到完整的低温相单晶体。因此需要选择合适的助熔剂,以降低晶体的生长温度。作为系统寻找Ba_3(B_3O_6)_2助熔     

P2_1ca斜方辉石畴结构的结晶学研究

近来,人们对斜方辉石拓扑结构的研究取得了突破性的进展.研究结果表明,产于自然界中的几乎所有的斜方辉石的空间群均为P2_1ca,而不是长期以来被人们所认为的Pbca~*,并且这种P2_1ca斜方辉石是由Pbca斜方辉石降温相变而成.罗谷风等还从拓扑结构理论和实验观察上证明了因相变而形成的P2_1ca斜方辉石的晶畴结构,即它是由一系列相邻间呈倒反关系的(100)晶畴所组成。     

非晶Bi_4Ge_3O_(12)中原子近邻结构的EXAFS研究

Bi_4Ge_3O_(12)(BGO)晶体是一种理想的闪烁晶体,Bi~(3+)为发光活性剂。铋含量较高的铋锗酸盐玻璃由于其可能存在的闪烁性能引起人们的关注。玻璃光学质量高、能够制成各种复杂的形状,并且价格便宜,因此,除晶体材料外,人们尝试用玻璃作为Bi~(3+)发光活性剂的基质,这     

一种新的热释电晶体——ATGSAs的生长和性质

一、引言 硫酸甘氨酸[(NH_2CH_2COOH)_3·H_2SO_4,简称TGS]是一种优良的铁电晶体,它具有高的热释电系数和低的介电常数,而且易培育出高光学质量的大晶体,它是制造室温下应用的红外摄象管和红外探测器的良好材料。多年来,不少人对TGS晶体进行了广泛的研究,为了克服TGS晶体的缺点,人们通过氘化掺杂和离子取代研制出了ATGS,DTGS,TGFB等     

有机加合物非线性光学新晶体——甘氨酸间硝基苯甲酸

有机非线性光学晶体具有二阶非线性光学系数大、光损伤阈值高和响应速度快等特点,因此受到人们的青睐。目前文献报道的有机非线性光学材料大体上分为4类:1.脲及衍生物;2.芳香族化合物;3.有机盐;4.金属有机化合物。在这几类有机非线性化合物中,除有机盐外,其它3类化合物中绝大多数仅从粉末测试中得知SHG效应,而难于生长出单晶体。     

有限温度静态层子势

在有限温度场论中,层子禁闭(非禁闭相变)和手征对称性破缺(回复相变)的研究,一直是人们所关心的问题。大量的格点近似计算已经表明这两种相变点的存在,但是这两种相变点是否重合?如不重合,哪个大?哪个小?这些问题还不清楚。有限温度场论的解析计算表明,     

掺杂激光晶体Er:KGd(WO_4)_2和KEr(WO_4)_2的配位场理论计算

在掺杂激光晶体的光谱学研究中,一个很重要的工作就是分析发光离子的光谱斯塔克能级结构,根据发光离子在激光晶体中的点群对称性,由实验能级从理论上拟合出它们的配位场参数。掺杂激光晶体Er:KGd(WO_4)_2和KEr(WO_4)_2是70年代末得到的一类激光晶体,     

垂直Bridgman法晶体生长中的非等温相变现象初探

将加扩展项的轴对称双倒易边界元方法拓展应用于数值模拟垂直Bridgman法生长HgCdTe及CdZnTe晶体过程中非等温相变传热传质问题, 印证了轴向溶质浓度的分区分布并且研究了拉晶速度对分区的影响, 同时分析了晶体生长过程中产生的一维瞬态非等温相变现象, 获得了由初始过渡区经稳定生长区, 最后到末端过渡区全过程的非等温相变数值结果. 进一步, 通过数值模拟捕获了拉晶速度为零时, 稳态情况下的二维轴对称相变界面位置和形状, 并得到了熔体和晶体温度场, 最后着重研究了瞬态拉晶过程中的二维轴对称非等温相变现象, 比较了其与等温相变的差异, 并揭示了不同拉晶速度对非等温相变现象的影响.     

Bi_(2-x)A_xTi_4O_(11)(A=Nd,Sb)的“软光学声子”和结构相变研究

Bi_2Ti_4O_(11)在常压高温及常温高压下的拉曼散射结果表明,它的一些物理特性和相变特征与BiVO_4非常相似.这意味着它也很可能成为非常有用的铁弹材料.因此进一步研究Bi_2Ti_4O_(11)在掺杂情况下的物理特性是很有意义的.我们曾首次报道过Bi_(2-x)Nd_xTi_4O_(11)在常温常压下的拉曼光谱,结果表明随着Nd~(3 )离子浓度的增加,Bi_2Ti_4O_(11)从单斜相转化为Nd_2Ti_4O_(11)正交相过程中经过了两次相的转变.在Bi_(2-x)Sb_xTi_4O_(11)体系中也观察到了类似的规律.然而这种掺杂体系发生第一次相变的机制至今并不清楚,本文将对这一问题作出深入的研究.     

温度对等静压诱导的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷铁电-反铁电相变性能的影响

研究了等静压诱导掺镧（La)的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷材料的铁电－反铁电相变和介电压力谱,以及温度对压致相变和介电压力谱的影响,结果发现温度使铁电－反铁电相变压力降低;介电压力谱具有明显的频率弥散和弥散相变的特点,这一现象有利于丰富和拓宽人们对多组元驰豫型铁电体弥散相变行为的认识和理解。     

[C_5HMe_4]_2TiCl_2的合成及结构

有机钛化合物由于其可以作为有机合成中间体和催化剂而引人注重,有机配位体π-环戊二烯基为人们提供了一个广泛的有机钛研究领域。本文应用[C_5HMe_4]K与TiCl_4反应合成了新化合物[C_5HMe_4]_2TiCl_2,并用X射线,核磁共振等方法进行了结构表征。 [C_5HMe_4]_2TiCl_2很难生长出好的晶体,在石油醚或甲苯中生长出的晶体均为双晶或     

ZrO_2超微粒子的湿化学法制备及其相变规律的研究

ZrO_2是相变增韧的关键材料,搞清楚ZrO_2的相变规律,充分认识ZrO_2的各种性状和深入探讨高纯度ZrO_2超微粒子的制备及其均匀分散的方法,这将推动相变增韧陶瓷的研究工作。由于陶瓷的强化与增韧是通过四方相ZrO_2(t-ZrO_2)转变成单斜ZrO_2(m-ZrO_2)的过程来     

1T-TiSe2电荷密度波相变机理研究取得重要进展

中国科学院物理研究所极端条件物理重点实验室王楠林研究小组在电荷密度波材料1T-TiSe2的相变机理研究方面取得重要进展.1T-TiSe2是人们早就知道的电荷密度波材料之一,但关于其相变的机制仍然不清楚.2006年美     

一步合成针状Fe_(3-ω)O_4

尖晶石型Fe_(3-ω)O_4(0<ω<1/3)是磁粉和制备磁粉的中间体,也是钢铁腐蚀后常见的腐蚀产物。在已有一步合成的Fe_3O_4和自然腐蚀产物中,所得Fe_(3-ω)O_4晶体都呈块状,球状或棱锥状,但用作磁记录材料的Fe_(3-ω)O_4,必须具有针状晶体。为此,工业上至今仍不得不采取多步合成来制造磁粉。Formaron曾在脱氧的(NH_3OH)_2SO_4+Fe(NH_4)_2(SO_4)_2溶液中企图通过施加外磁场来获得针状Fe_3O_4晶体,但没有成功。最近作者等采取了新的合成路线,在外加磁场等作用下,首次一步合成Fe_(3-ω)O_4针状晶体,并弄清影响形成针状Fe_(3-ω)O_4晶体的一些主要因素。     

有效势的改进计算和Higgs模型的对称性恢复相变

早在70年代,科学家就提出在高温高密条件下被自发破缺的规范对称性会得到恢复,并给出了研究这类问题的方法.近来弱电相变再次引起人们的极大兴趣,这是由于它对解释宇宙中的重子数不守恒有重要意义,同时宇宙模型也依赖这类相变的具体特性,即到底是一级相变还是二级相变.因此有必要更仔细地研究这类相变.分析相变的基础是有效势,但通常的有效势计算中存在两个困难.本文将利用硬热圈的重求和给出一种有效势的自洽计算途径,并利用它讨论Higgs模型中的对称性恢复相变.     

Bi_2Ti_4O_(11)的软模相变研究

一、引言 1962年,Subbarao等的热膨胀和介电测量表明,Bi_2Ti_4O_(11)在大约250℃处存在一个相变。这一结果首先得到了高温(300℃)下拉曼实验的证实,发现相变与随温度变化的最低频软模有关。在先前的工作中。我们报道了它的静高压下的拉曼振动光谱,实验结果表明,—个压致软模相变发生在3.7GPa处。还发现传压介质的性能对最低频软模的强度、线宽、在     

BaFBr∶Eu~(2+)的高温热释发光

在文献我们报道了BaFCl:Eu~(2+)晶体的高温热释发光,发现了3个新的高温热释峰.通过研究表明这3个高温热释峰是由晶体中F心的缔合中心,即F_2,F_3和F_4心产生的.同样我们也研究了BaFBr:Eu~(2+)晶体的高温热释发光,发现了3个新的热释峰.     

1T-TaS_2相变的磁场效应研究

1T-TaS_2是一种准二维化合物,由于电子-声子的相互作用,在温度600—180K间相继发生金属态-非公度(IC)-近公度(NC)-可公度(CC)电荷密度波态等一系列相变.相变过程中发生了电荷密度波(CDW)的形成及其调制波矢的改变.由于CDW在Fermi面处形成一能隙,构成一近似闭合的电子结构,使1T-TaS_2呈半导体电导特性和抗磁性.在准一维化合物研究中已经观察到:由于磁场与Fermi面附近的电子强烈耦合,导致Fermi面变形和新相变的出     

几种半导体在高压下的状态方程、电阻输运性质与相变

研究半导体在高压下的物理性质,特别是导电性质的变化以及金属化相变,一直是人们很感兴趣的课题。进行这方面的研究对于进一步了解固体中原子间的相互作用、能带变化和导电机理等有重要的理论意义,而且对于探索具有特殊性能的新材料也有重要的指导意义。过去,人们已对固体(包括半导体)在高压下的状态方程、电阻输运性质和相变进行了广泛的理论和实验研究,而且已观测到很多新的现象和相变。