共查询到18条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
基于化学浴沉积法,采用硫酸锌、硫脲、水合肼和氨水混合溶液于适当温度下在玻璃衬底上沉积得到表面均匀的ZnS薄膜.对在不同沉积时间以及退火时间下得到的ZnS薄膜运用X射线衍射法观测其晶型结构,发现较长的沉积时间(5 h)和退火时间(3 h)制得的薄膜结晶度好,且检测出为闪锌矿晶型.并对其透光性能做了检测,发现pH值对透光度有显著影响. 相似文献
2.
化学浴沉积法制备纳米氧化亚铜薄膜 总被引:7,自引:0,他引:7
用改进后的化学浴沉积法制备了纳米Cu2O薄膜,并对成膜条件及膜的性能进行了研究.结果表明:化学浴沉积法改进后有利于制备高质量的纳米Cu2O薄膜;最佳反应温度为60~70C,此温度范围内Cu2O薄膜的膜厚随着循环次数线性增加.制备的薄膜纯度较高.表面较平整和致密,Cu2O粒径为14~22nm,其禁带宽度为2.01eV. 相似文献
3.
以五水硫代硫酸钠和五水硫酸铜配制冷溶液,氢氧化钠配制热溶液,利用氧化铟锡导电玻璃基底在两种溶液中循环浸泡的化学浴沉积法制备氧化亚铜薄膜。对沉积过程中所发生的化学反应进行了讨论,并将制成的薄膜样品分别利用X射线衍射仪、扫描电镜、场发射扫描电镜和紫外-可见分光光度计进行表征,表征结果从多方面证实了合成的材料为纳米量级的氧化亚铜薄膜。构成薄膜的颗粒粒径约为十几纳米,每经过一次循环,薄膜厚度增加11~12nm.氧化亚铜对波长在200nm到500nm范围内的光有较高吸收率,禁带宽度计算值约为2.18eV. 相似文献
4.
5.
为制备高化学计量比的SnS薄膜,使用一种简单的旋涂热解法,在空气中以载玻片和FTO为衬底,在热解温度分别为280℃、320℃和360℃条件下制备了系列SnS薄膜,并采用EDS、XRD、Raman、SEM、UV-Vis-NIR等手段研究了热解温度对SnS薄膜元素组成、晶相、形貌、光学吸收等的影响。结果表明,在热解温度为320℃热解10min时,获得的SnS薄膜Sn/S的原子比为1/0.99,直接禁带宽度为1.46eV,十分接近太阳能电池吸收层的最佳禁带宽度1.50eV,在太阳能电池吸收层材料领域具有重要潜在应用价值。 相似文献
6.
7.
8.
在络合剂EDTA存在且溶液的pH=2.1,沉积电位E=-1.0 V,离子浓度比Sn2+/S2O32-=1/4的条件下,通过改变EDTA的浓度,用阴极恒电位电沉积法在ITO导电玻璃基片上沉积SnS薄膜.结合X射线衍射和表面形貌分析,表明它们是具有正交结构的SnS多晶薄膜,且薄膜的颗粒小、致密性和均匀度较好;对其Ram an光谱研究也进一步说明了薄膜中的主要成分是SnS. 相似文献
9.
10.
化学沉积法制备CdS纳米薄膜及成膜机理 总被引:2,自引:0,他引:2
分别以Cd(NO3)2和(NH2)2CS作为镉源和硫源, 用化学沉积法(CBD)在ITO玻璃上生长CdS半导体纳米薄膜. 考察了Cd2+浓度、 沉积温度、 沉积时间和后处理温度对CdS成膜的影响. 紫外 可见吸收谱和原子力显微镜结果表明, 改变溶液浓度和后处理温度都能有效调节CdS的吸收带边, 得到均一致密的CdS纳米薄膜. 探讨了膜形成机理, 给出了成核过程模型, 进一步修正了传统成膜机制. 认为ITO玻璃基片表面活性位和晶核的形成是均一致密CdS纳米膜形成的关键. 晶核的形成是电学、 热学、 力学和化学等因素共同作用的结果. 相似文献
11.
Self-cleaning surfaces have received a great deal of attention recently,both in theoretical studies and commercial applications.The self-cleaning surface of lotus leaf is hydrophobic and rough,showing a micro-and nano-scale morphology.The micro-reliefs of lotus leaf were mimicked using polyvinylidene fluoride(PVDF)film and nano-scale peaks on the top of the micro-reliefs were implemented by the reaction between methyltrichlorosilane and the reactive groups of PVDF film treated by oxygen plasma.A lotus-leaf-like surface of the PVDF film was clearly observed by scanning electronic microscopy(SEM)and atomic force microscope(AFM).Elemental composition analysis by X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)revealed that the material of the nanostructure of PVDF film was polymethylsiloxane.The superhydrophobic property of the mimicked self-cleaning surface was validated by the water contact angle and sliding angle on the lotus-leaf-like PVDF film,which were 156.6° and 4°,respectively.In this case,water droplets can easily move across the PVDF film surface,carrying dirt particles away,leaving no contamination. 相似文献
12.
把CO2激光聚焦在玻璃基底上的小区域内,热解SnCl4·5H2O来实现SnO2薄膜的沉积。用X-Y扫描获得了选择性薄膜图形。薄膜的电阻率约为1×10(-2)Ω·m,可见光谱区透射率为75%~80%.用X射线衍射对膜层进行了物相分析,判定SnO2薄膜基本为多晶结构,其最优方向为(110)。此外,还用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌。 相似文献
13.
本文研究了以SiH_4为气源,常压下化学气相淀积(APCVD)非晶态硅薄膜的光电特性及工艺参数的影响。通过与辉光放电a-Si:H膜的光电特性的比较,分析了APCVD a-Si膜的带隙结构和导电机理。 相似文献
14.
15.
采用化学沉积法在导电玻璃上制备了ZnS及其La掺杂薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行表征,并用CHI660B电化学综合分析测试仪对ZnS和La掺杂ZnS薄膜的沉积过程进行分析.结果表明,化学沉积法制备了致密的、由球状颗粒组成的ZnS薄膜,掺杂La后,由于电负性较低的La在电极表面的吸附,电位负移,沉积速率下降,薄膜颗粒尺寸增大.电化学方法为研究ZnS的化学沉积提供了有效的分析技术. 相似文献
16.
室温射频磁控溅射沉积ITO薄膜的研究 总被引:4,自引:1,他引:4
报道透明导电膜不加衬底温度、无需沉积后的退火工艺、用射频磁控溅射沉积氧化铟、锡(ITO)薄膜获得电阻率3×10-4Ω·cm,在可见光区平均透光率84%的优良性能.用扫描电子显微镜和X射线衍射法研究了ITO薄膜的结晶形貌和晶体结构 相似文献
17.
CdTe薄膜的微观结构分析 总被引:3,自引:0,他引:3
应用真空蒸发技术制备CdTe薄膜,并借助于扫描电子显微镜(SEM)、扫描俄歇谱仪(AES)和X射线衍射仪(XRD)对其微观结构进行分析。主要研究了不同工艺条件、不同原子配比、以及不同掺杂浓度下制得的CdTe薄膜的结构、物相,研究结果表明:以Cd:Te=0.9:1原子配比制得的CdTe薄膜具有最佳的结晶度和组分计量比;掺杂会使CdTe薄膜的结构、物相有所改变。 相似文献
18.
对靶磁控溅射FeCoN薄膜的结构与磁性 总被引:1,自引:0,他引:1
利用改进后的对靶磁控溅射系统, 以N2/Ar混合气体为溅射气体, 在未加热的Si(111)衬底上沉积FeCoN薄膜. 采用X射线衍射仪(XRD)、 透射电子显微镜(TEM)、 扫描电子显微镜(SEM)和超导量子干涉仪(SQUID)研究不同Co靶溅射功率对FeCoN薄膜样品的结构、 形貌和磁性性能的影响. 结果表明: 固定Fe靶功率为160 W(电流I=0.4 A), 当Co靶功率为2.4 W(I=0.04 A)时, 薄膜由Co溶入ε-Fe3N中形成的ε-(Fe,Co)3N化合物相构成; 当Co靶功率为58 W(I=0.2 A)时, 获得了Fe3N/Co3N化合物相, 薄膜的饱和磁化强度(Ms)为151.47 A·m2/kg, 矫顽力(Hc)为3.68 kA/m; 当Co靶功率为11.9 W(I=0.07 A)时, 制备出具有高饱和磁化强度的α″-(Fe,Co)16N2化合物相, 薄膜的Ms=265.08 A·m2/kg, Hc=8.24 kA/m. 相似文献