N_2O氮化n-MOSFET's低温可靠性研究

通过与热氧化ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 比较,调查了Ｎ２ Ｏ氮化 （Ｎ２ＯＮ） ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 在最大衬底电流ＩＢ ｍ ａｘ和最大栅电流ＩＧ ｍ ａｘ 应力下的低温热载流子效应．结果表明,Ｎ２ＯＮ 器件在低温就像在室温一样呈现出大大抑制的热载流子应力感应退化的特性;低温下产生的浅能级陷阱增强了器件的退化,Ｎ２ Ｏ 的氮化也大大减少了浅能级陷阱的产生．     

N2O氮化LPCVD氧化物可靠性的改进

通过与热生长氧化物进行比较 ,对LPCVD氧化物及N2 O氮化LPCVD氧化物的质量和可靠性进行了高场应力实验研究 .发现LPCVD氧化物有比热氧化物低的界面态密度Ditm 及小的应力感应Ditm 的增加 ,但电子陷阱产生和俘获率却表现出增强的性能 ,从而使击穿特性退化 .在N2 O氮化后 ,LPCVD氧化物的Si/SiO2界面和体质量得到很大提高 ,其机理在于N2 O氮化导致界面氮的结合及LPCVD氧化物中H2 副产物的有效排除 .     

低温基质中asym—N2O4的红外光谱和紫外激光光解

在低温Ａｒ和Ｏ２基质隔离条件上分别测定了ａｓｙｍ－Ｎ２Ｏ４的红外光谱。利用量经学从计算,在ＭＰ２水平上以６－３１Ｇ＾＊和６－３１１Ｇ＾＊为基组,得到了ａｓｙｍ－Ｎ２Ｏ４的结构参数和振动频率,结合计算结果,对实验观察到的ａｓｙｍ－Ｎ２Ｏ４吸收峰进行了归属。采用３５５ｎｍ脉冲激光光解的方法,分别测定了在Ａｒ和Ｏ２基质中ａｓｙｍ－Ｎ２Ｏ４光解的产物,并对反应机理进行了讨论。     

快速热氮化改善n—MOSFET氧化层的加速击穿

研究不同类型，不同沟道长的ｎ沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管在不同栅电压下工作时栅氧化层的击穿特性。结果表明，ＭＯＳＦＥＴ栅氧化层的加速击穿起因于沟道大电流，而栅氧化层进行快速热氮化可极大地改善其栅氧化层的击穿特性。     

N2O氮化LPCVD氧化物可靠性的改进

通过与热生长氧化物进行比较,对LPCVD氧化物及N2O氮化LPVCD氧化物的质量和可靠性进行了高场应力实验研究,发现LPCVD氧化物有比热氧化物低的面态密度Ditm及小的应力感应Ditm的增加,但电子陷阱产生和俘获率却表现出增强的性能,从而使击穿特性退化,在N2O氮化后,LPCVD氧化物的Si/SiO2界面和体质量得到很大提高,其机理在于N2O氮化导致界面氮的结合及LPCVD氧化物中H2副产物的有效排除。     

H2N2O2热分解的理论研究

采用ＭＯＰＡＣ７程序包中的ＡＭ１程序，研究了Ｈ２Ｎ２Ｏ２的稳定构象，设计了三种分解的机理，通过计算得到每种机理的过渡态的结构和能量，进而得到每种机理的活化能。结果表明，Ｈ２Ｎ２Ｏ２的分解主要是通过一个五员环过渡态形成Ｎ２Ｏ和Ｈ２Ｏ。     

N2O4—O3硝化芳烃机理研究

实验证明,臭氧化四氧化二氮硝化芳烃的反应能力与芳烃电离势很有关系,该反应的ρ^＋（－6．8）和产品异构体分布与传统硝化方法所得的结果很相似。通过比较和实验,该反应过程为一电子转移形成电子转移络合物过程。该电子转移络合物最后分解为基芳烃化合物。     

氮化铁(α″-Fe16N2)的制备与磁性研究

对含有α″-Fe16N2相的块状铁氮合金的制备和磁特性进行了研究．利用NH3和H2的混合气体通入铁粉在高温下进行加热，然后通过淬火至低温，再经回火处理，形成一种新相，即α″-Fe16N2．X射线衍射分析表明，制得的相不是纯相，α″-Fe16N2样品中都舍有γ-Fe（N）（奥氏体氮化铁），α″-Fe（N）（马氏体氮化铁）和α″-Fe16N2这三种成分．从振动样品磁强计测量结果中可以看出，所有样品的饱和磁矩都不是很大，并且发现样品的磁饱和感应强度随着γ-Fe（N）的含量减少而增大，随着α″-Fe16N2含量的增加而增大．     

N2O4离解度的简易测定方法

本文对N_2O_4的离解度不但从理论上进行了分析,同时做了实际测定。说明在通常情况下,不能制得纯净的NO_2,而是NO_2和N_2O_4的混合物。它是一个受温度制约的NO_2—N_2O_4平衡体系。因此在讨论NO_2溶于水后体积发生变化时,必须同时考虑NO_2和N_2O_4分别被水吸收后产生NO体积的总和。否则必然导致计算和实验上的错误,在中学化学教学中,这一点应引起注意。     

重新氧化氮化n—MOSFET‘s断态栅电流的温度特性

对采用迅速热处理方法制备的重新氧化氮化ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ的断态栅电流Ｉｇ的温度特性进行了实验研究和理论分析，研究表明，在合适的氮化和重新氧化条件下，Ｉｇ随温度增另可保持几乎不变，这归因于重新氧化部分恢复了Ｓｉ／ＳｉＯ２界面处相应于空穴发射的氮化感应致使势垒高度的降低，从而使得在升高的温度下，热空穴主的增另几乎抵消了雪崩区空穴产生的减小。     

温度对内蒙古典型草原土壤N2O排放的影响

在草原植物生长期内,利用不同深度(2,8和15cm)不锈钢管原位采集原状土壤样品以及用土钻采集表层(0～15cm)混合土壤,在室内温控培养箱内进行温控模拟实验,研究温度对内蒙古温带半干旱典型草原(羊草草原)土壤N 2 O产生速率的影响.结果表明:温度对于N 2 O的产生速率有着显著的影响,随着土壤深度的增加,温度对土壤N 2 O产生速率的影响力在减弱.不同生长阶段的草原土壤N 2 O的产生速率对于短期内温度变化的响应具明显的差别;同时结合野外原位观测实验结果,定量地研究了草原土壤N2 O的排放通量与温度之间的相互作用关系,发现两者之间不仅存在线性关系,通过多组实验数据的回归分析还准确地阐明了温度的升高与降低对于不同深度的土壤N 2 O产生速率的影响,即两者之间的作用关系.     

V2O5/Fe2O3@TiO2核壳微球NH3-SCR过程中N2O形成和抑制机制研究

以商业P25为硬模板,钒酸铵和硫酸铁铵为原料,采用水热法制备了Fe2O3/V2O5@TiO2核壳微球.通过改变Fe2O3和V2O5含量调节Fe2O3/V2O5@TiO2核壳微球NH3法选择性催化还原(NH3-SCR)性能.研究结果表明:在相同温度下,NO转化率和N2O生成率随V2O5含量的增加而增加.Fe2O3可以显著抑制N2O生成,随Fe2O3含量的增加,N2O生成率先降低后又增加,当V2O5和Fe2O3含量分别为1％和3％时,NO转化率最高而N2O生成率最低,对环境的影响最小.     

SBBR单级自养脱氮系统N2O排放特征分析

采用3组人工配水的单级自养脱氮生物膜反应器,对比研究了曝气方式及碳源对系统N2O排放量和排放特征的影响。结果显示,1号、2号和3号反应器在一个运行周期内N2O累积排放量和N2O转化率分别为13.69、14.28、2.51 mg和1.36%、1.49%、0.236%。连续曝气的1号反应器与间歇曝气的2号反应器相比,其N2O累积释放量、N2O转化率相近。进水含有机碳源的3号反应器N2O累积释放量、N2O转化率约为进水不含有机碳源的2号反应器的1/6。曝气方式对N2O排放特征影响较大,连续曝气的1号反应器N2O累积排放量持续增加,N2O平均排放速率和溶解态N2O质量浓度表现为先升高至最大值后持续下降。间歇曝气的2号反应器N2O排放量主要来自曝气段,N2O平均排放速率和溶解态N2O质量浓度整体呈现出先升高后降低的趋势。与其他生物脱氮工艺相比,单级自养脱氮工艺N2O转化率较低。     

SiO2两步热氮化膜的特性研究

本文提出的用 O_2/N_2进行中间氧化(退火)的两步热氮化工艺,能将 SiO_xN_y-Si 系统的界面态密度和固定电荷密度减少到可与干氧氧化膜相比拟的程度,且保持了 SiO_xN_y 膜优异的介电特性,是一种比再氧化工艺更优越的新技术。结果还表明,随着 O_2/N_2处理时间的增长,SiO_xN_y-Si 系统的界面态密度单调地减小;但平带电压的绝对值在初始阶段增大,然后再单调减小。     

Fe-ZSM-5分子筛上NO和N2O吸附行为及NO助N2O催化分解机理的研究

利用原位漫反射红外光谱法考察了NO 和N2O在液相离子交换法制备的Fe-ZSM-5分子筛上的吸附行为,并对NO助N2O催化分解的机理进行了研究.结果表明,NO和N2O均可吸附在Fe-ZSM-5分子筛表面的Brnsted 酸性位和价键补偿铁离子位上;且在高温下,NO和N2O均主要以价键补偿Fe离子的形式吸附在分子筛上.NO和O2在Fe-ZSM-5表面可反应生成N2O4、NO2和NO-3或NO-2;NO与N2O分解释放的O反应生成NO2,因而能起到加速N2O分解和提高Fe-ZSM-5分子筛催化活性的作用.     

土壤水分对温带典型草地N2O排放过程的影响

利用不同年份(1995,1998,2001年)野外原位实验观测数据并结合实验室内模拟培养实验结果,分析土壤含水量对于温带典型草原(羊草草原)土壤N2O排放通量的影响,结果发现:土壤含水量与羊草草原土壤N2O排放通量间存在阶段函数关系,在土壤含水量较低,而且土壤水分变化频繁和显著时,通常会有N2O通量峰值的出现;研究不同的土壤含水量对于土壤N2O排放过程和相关微生物菌群数量变化的影响,室内模拟培养说明:土壤水分含量对于N2O的产生过程有着重要的影响,土壤水分含量较低时,可能会改变土壤微生物的代谢途径,导致作为大气N2O源的半干旱草原土壤在出现阶段性的N2O吸收.     

流化床煤燃烧N2O,SOx及NOx的消减

在一台循环流化床实验台，研究了石灰石脱硫过程中Ｎ２Ｏ／ＳＯｘ／ＮＯｘ浓度的变化，并在空床上进行了再煤燃烧脱除Ｎ２Ｏ的实验，结果表明，石灰石脱硫全吏ＮＯｘ少量增加，再燃烧法可以在不增加ＮＯｘ的同时使Ｎ２Ｏ大大降低，再燃燃料的挥发含量越高，Ｎ２Ｏ的消减率越高；气体停留时间越长，Ｎ２Ｏ的分解率越高；低氧量对现燃烧法消减Ｎ２Ｏ有利。     

LiMn2O4纳米晶的低温水热前驱体法合成与表征

LiMn2O4由于电压高、价格便宜、对环境基本无污染而成为最有希望的备选正极材料之一.大量实验研究表明,制备方法和制备条件的不同会在很大程度上影响LiMn2O4材料的性能.以Mn（CH3COO）2.4H2O和Na2S2O8为原料,采用低温水热法制得纳米晶前驱体β-MnO2粉末,然后将前驱体β-MnO2粉末与LiOH.H2O混合后煅烧即可制得纳米晶LiMn2O4.结果表明,LiMn2O4粉末晶化程度高,粒度分布较窄,平均粒径约在250nm,用所得的粉末样品进行电化学性能侧试,其首次放电比容量可达130.5,mA.h/g,循环性能也较好.     

N2，NO，N2O，NH3及胺类分子对电子激发状态CCl2（A^ ～1B1）自由基猝灭的动力学

对CCl4/Ar混合气体直流脉冲放电产生CCl2自由基，再用541．52nm激光将电子基态CCl2激励到激发态A^ ～1B1（0，4，0）振动态的k=0能级上，通过检测激发态CCl2时间分辨荧光信号，该信号呈双指数衰减，测得室温下CCl2(A^ ～1B1）被N2，NO，N2O，NH3及胺类分子猝灭的实验结果，用三能级模型分析处理实验数据，获得态分辨率常数KA和Ka值，并对实验结果进行了讨论。