半导体放电管多元胞结构模型研究

在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图．对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证，结果表明合理设计多元胞版图尺寸和ｐ 基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性，从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据．     

多元胞结构的半导体放电管浪涌能力研究

鉴于半导体放电管工作时的最高温升决定其浪涌能力,通过对器件进行温度场模拟,可以明显地看出基片厚度、载流子浓度以及元胞数对器件温升的影响。因此对不同厚度、杂质浓度的16元胞放电管进行了浪涌实验。模拟和实验结果均表明,增加元胞数、选择均匀性好和较薄的衬底材料以及采用低扩散浓度方法可以减少放电管工作时的温升,改善放电管浪涌能力。     

多元胞半导体浪涌防护器转折特性与IH的折衷

由晶闸管短路发射极模型提出了半导体浪涌防护器的一种多元胞结构,分析了该模型的转折特性与维持电流IH。在归一化条件下,定量表述了其折衷关系,从而确定了某一工艺参数条件下的最佳D／d值,为提高SSPD的浪涌能力、改善响应特性、实现器件的规模化生产具有重要意义。     

一种高压大电流半导体放电管的研究

针对常规半导体放电管在超大浪涌电流作用下,易局部过热而损坏这一问题,采用镓闭管扩散代替硼扩散、台面工艺解决二氧化硅不能掩蔽镓扩散所带来的问题、玻璃钝化工艺实现高压结面保护等方法。实验结果表明,通过镓扩散、台面刻槽、玻璃钝化和钛镍银多层金属化等工艺,提高了放电管的启动保护电压和最大浪涌电流,其最大浪涌电流达到6 kA,比设计值5 kA提高了20%。     

铷D2线高分辩光电流谱研究

应用空心阴极放电管观测铷Ｄ２线的光电流谱，发现谱线中部有凹陷出现。对凹陷出现的原因进行了分析和研究。利用此现象，将半导体激光器频率锁定于谱线凹陷的中央。     

一种通道式布图算法及SC电路版图设计系统的研究

本文描述了一种通道式布图算法及由此实现的开关电容（ＳＣ）电路的版图设计系统——ＬＩＮＧ８５。该系统采用积木块式的元胞，行陈列的模式结构。用一维相关算法按相关元胞相距最近的原则完成行布局。分解嵌入的双层布线算法把分解后的两端子网按不交叉排序关系尽可能密集且不换层次地嵌入到各走线道，同时对穿孔作进一步处理．最后进行数据转换并完成已建库元胞的装载和连接，输出完整版图。     

铷D2线高分辨光电流谱研究

应用空心阴极放电管观测铷D₂线的光电流谱,发现谱线中部有凹陷出现。对凹陷出现的原因进行了分析和研究。利用此现象,将半导体激光器(0.7800μm)频率锁定于谱线凹陷的中央。     

轴快流CO_2激光器放电管与风机匹配的特性

本文研究了轴快流CO_2激光器中气体质量流和气流速度随放电管截面变化的趋势.提出应当选择合适尺寸的放电管,使之与所给定的风机的性能相匹配,使激光器具有最佳运行状态的气动结构而获得更好的输出特性.     

金属陶瓷气体放电管的稳定性研究

阐述了金属陶瓷气体放电管过电压保护原理，讨论了阴极材料和气体对放电管击穿电压的影响，提出了改进措施，研制了优良品质的放电管。     

水银放电管的制作

为了观察水银光谱线5461的塞曼效应,我们自己制造了水银放电管。我们最初作水银放电管时,管内未加入惰性气体,放电管的寿命比较短。特别是在较强的磁场中,用过几次,放电管玻璃壁就变黑,甚至有炸裂的现象。后来,我们制造放电管时,加入了少量的氩气,就不再出现上述现象,大大地提高了放电管的寿命,而且不影响水银的光谱线。我们制造的水银放电管中间发光部分玻璃管直径小,便于放置在电磁铁两极中间。用这个水银放电管作塞曼效应实验时,效果比较好。在几千高斯的磁场下,能     

几种杂环与芳环半导体高聚物的电子结构

用自洽场晶体轨道方法,在能量梯度优化单胞所得几何构型的基础上,研究了3种含硫(或氮)杂环与芳环共聚的高聚物半导体材料的电子结构.由于这些高聚物中杂环与芳环的非共面性,使得它们的能带结构中带宽较窄,带隔较大,在未掺杂时为绝缘体物质.但它们的电离势大小与聚乙炔相应值接近,故是较好的P型半导体材料.     

天津市半导体材料产业发展方向及对策研究

半导体作为尖端技术和高附加值产业备受各国关注,已逐步发展成全球经济增长的支柱型产业。天津市半导体材料产业发展经历多年的技术积累和成果堆叠,已形成初具规模化、系统化、多元化的产业版图,但面临的"瓶颈"和挑战也不容忽视。通过梳理天津市半导体材料产业发展现状及存在问题,并结合实际情况提出产业发展方向,对于培育和发展天津市新材料领域代表性产业有一定意义。     

气体放电管器件Ⅳ测试系统

介绍了一种气体放电管的电流一电压测试平台的设计与实现,利用整流电路与信号滤波电路将交流电源变成直流电源,使用万用表的电流档来测试放电管的两端电压。该平台主要用于验证放电管器件的伏安特性的两段区域,具有测试速度快和易于操作等特点;并且可以利用该平台来研究PDP器件的物理机制。     

气体放电管器件IV测试系统

介绍了一种气体放电管的电流-电压测试平台的设计与实现,利用整流电路与信号滤波电路将交流电源变成直流电源,使用万用表的电流档来测试放电管的两端电压。该平台主要用于验证放电管器件的伏安特性的两段区域,具有测试速度快和易于操作等特点;并且可以利用该平台来研究PDP器件的物理机制。     

密封自热式CuCl激光器

本文提出了一种凹槽石英放电管结构,并对激光器的运转特性作了研究。获得平均激光功率0.7瓦、体积能量密度1.46μJ/cm~3、总体效率0.16％和连续运转170小时的结果。     

低功耗14/8 bit逐次逼近式A/D转换器的设计

设计了基于逐次逼近式架构的低功耗A/D转换器.该转换器有14/8 bit转换精度2种工作模式,其采样率分别为0～1×105/s和0～2×105/s.低功耗转换器基于0.18μm的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺完成版图设计,版图面积仅为0.64 mm×0.31 mm.转换器在最高性能下的积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)最低有效位分别为0.38 LSB和0.33 LSB,电流消耗仪为2 mA.     

NaCl型半金属铁磁体CrCa7Se8的第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理研究,优化了具有NaCI结构的CrCa7Se8的几何结构．计算了其自旋极化的电子态密度,电荷分布和离子磁矩等电学和磁学性能,并分析了其电子结构,展望了其在自旋电子学中的应用。研究表明,CrCa7Se8在费米面处具有＋100％的自旋极化率,呈现出半金属性,其超胞磁矩为4．00μB,磁矩主要来源于过渡元素CrCa7Se8具有较宽的自旋带隙和较大的超胞磁矩,可作为自旋半导体材料的优质自旋注入材料。同时,它可能具有较高的居里温度,从而在自旋电子学中具有广泛的应用前景。Cr离子的电子结构为eg2↑t2g2↑。     

半导体禁带宽度、迁移率和热导率的计算

本文导出了可以统一计算元素半导体以及二元和多元半导体的禁带宽度E_g、迁移率μ和热导率r的经验表达式。特别是对近200种晶体的E_g实测值同计算值作了比较,并以同样的准确性,预计了218种材料的E_g值。     

微穿孔黏性超表面的低频宽带吸声机理

针对传统材料难以有效吸收低频噪声且带宽较窄的问题,提出了一种微穿孔黏性超表面的低频宽带吸声机理,并设计了多元胞超表面结构,其中每个元胞由微穿孔板和折叠背腔组成。首先利用有限元仿真和理论公式计算单个元胞的吸声性能,并与传统亥姆霍兹共振器结构进行对比,发现该结构具有优异的高阶峰值,而且峰值带宽增加约1倍,基于此提出了实现低频和宽带的机理;然后分析了典型结构参数对吸声特性的影响规律,如吸声面积比、小孔直径及背腔深度等;最终通过多单元峰值间严格耦合,设计了由8个元胞组成的宽带吸声超表面。结果表明:吸声超表面厚度仅为6 cm,在频段550～2 500 Hz范围内实现连续优异的吸声带宽,平均吸声系数高达90%以上。该结构具有厚度薄、频带宽且强度好等特点,在消声室、工厂和航空等场合具有广泛的应用前景。     

基于密度泛函理论的NiAs型MnTe第一原理计算

运用MaterialsStudio 6.0程序CASTEP软件包建立NiAs型MnTe单胞和1×1×10的超胞模型,采用GGA-PBE-TS近似,得出能带结构和态密度曲线。NiAs型MnTe为间接能隙窄带半导体,带隙为0.843eV;MnTe单胞的下价带在-12.5~-10.5eV,是一条二重简并带。在-6~-3.5eV和0.8~2.6eV主要由Mn原子的d态电子贡献,该Mn原子的d电子的有效质量较大,导致强的电子局域性;MnTe1×1×10超胞的帯隙为0.623eV,下价带位于-13~-11eV,对比单胞略微下移;在上价带和导带区域,MnTe超胞d态电子的能带和态密度都比MnTe单胞的变化平稳,整体形成较宽的赝能隙,说明Mn离子的共价性较强。