重新氧化氮化n-MOSFET's断态栅电流的温度特性

对采用迅速热处理方法制备的重新氧化氮化ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 的断态栅电流Ｉｇ 的温度特性进行了实验研究和理论分析．研究表明,在合适的氮化和重新氧化条件下,Ｉｇ 随温度增加可保持几乎不变．这归因于重新氧化部分恢复了Ｓｉ／ＳｉＯ２ 界面处相应于空穴发射的氮化感应致使势垒高度的降低,从而使得在升高的温度下,热空穴注入的增加几乎抵消了雪崩区空穴产生的减小．     

用快速热工艺氮化超薄SiO2膜的研究

将热生长的超薄（４－２３ｎｍ）ＳｉＯ２置于用卤素钨灯作辐射热源的快速工艺系统中，用快速热氮化工艺制备了超薄的ＳｉＯｘＮｙ膜。研究表明，设定温度是工艺的关键。研究ＲＴＮ过程的化学和动力学与温度关系及其对氮化质量的影响，比较各种不同条件ＲＴＮ制备的ＳｉＯｘＮｙ膜的ＡＥＳ测量的结果，得到ＲＴＮ反应的临界混度约为９００℃，初步了灯眼薄ＳｉＯ２生长动力学的氮／氧替代的微观过程。     

高温下高炉渣与碳的还原

在高温条件下正确性高炉渣与碳的还原过程中,ＳｉＯ２在２１２３Ｋ以上全部被碳的,ＭｇＯ在２１７３Ｋ以上可全部被还原吕 而Ａｌ２Ｏ３即使在２２７３Ｋ只还原６３％,合成高炉渣在碱度不变时增中ＭｇＯ含量,可使渣中还原ＳｉＯ２生成的ＳｉＣ增另和ＳｉＯ减少,随着温度升高和与碳混合均匀,实际高炉渣中氧化物的还原和反应后渣中Ａｌ２Ｏ３的含量都增加,而生成ＳｉＣ的量减少;渣中ＭｇＯ的含量明显降低,在较高的下渣中Ｍｇ     

Mg在反应自生成AlN材料中的脱氧行为

为研究Ｍｇ在Ａｌ Ｓｉ Ｍｇ合金直接氮化制备ＡｌＮ材料中的作用,在１０００℃氮气氛下实施了Ａｌ Ｓｉ Ｍｇ合金直接氮化实验·从热力学角度分析了Ａｌ Ｓｉ Ｍｇ合金直接氮化过程中Ｍｇ元素的脱氧和氮化行为,包括氮化反应的氧分压阈值分析,氮化反应初期Ｍｇ元素的氧化和氮化行为,氮化反应中后期Ｍｇ３Ｎ２的持续氧化行为·结合实验结果证实了热力学分析的正确性,确定了Ｍｇ在反应自生成ＡｌＮ材料中的脱氧作用     

高温热退火时异质结薄膜CeO2／Si界面扩散—反应的？…

基于ＣｅＯ２／Ｓｉ异质结在氧气氛下高温退火界面存在扩散反应过程，建立了扩散－反应方程。对有关的实测数据进行了计算机拟合，其结果与实验能很好吻合。不同温度下的拟合结果还表明，异质结界面处Ｏ．Ｃｅ，Ｓｉ扩散系数及Ｓｉ的氧化反应系数的随温度指数上升，并计算出扩散反应激活能。     

硼铁矿在高炉冶炼过程中炉渣的挥发

以ＭｇＯ－ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３三元系代替富硼渣为研究对象，研究了在不同气氛，温度，时间下的挥发，结果表明，该三元系在高温下的挥发与气氛有很大的关系，在还原气氛下，随温度的升高，时间的延长，挥发量明显增加，氧化气氛下挥发量较小。     

铅掺杂Bi系超导体正电子寿命研究

在室温下测量了Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２－ｘＭｇｘＯ８＋δ超导体的正电子寿命，发现正电子体寿命τｂ随着Ｐｂ含量ｘ的增加而减小，测量了转变温度Ｔｃ结果表明，Ｍｇ替换不影响电子结构，Ｐｂ替换使电子从Ｃｕ－Ｏ面迁移到Ｂｉ－Ｏ层，并导致Ｃｕ－Ｏ面空穴浓度增加，转室温度Ｔｃ减小。     

用于VLSI的新型介质膜界面陷阱的特征

采用雪崩热电子注入技术和高频Ｃ－Ｖ准静态Ｃ－Ｖ特性测试,研究了新型快速热氮化的ＳｉＯｘＮｙ介质膜界面陷阱的特征,侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明：这种ＳｉＯｘＮｙ薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的分布变化呈现”回转效应“,且存在着不同类型、密度悬殊很大的电子陷阱、指出雪崩热电子注入过程中在Ｓｉ／ＳｉＯｘＮｙ界面上产生两种性质不同的快界面态陷阱;给出了这两种界面态陷阱密度在禁带中能量的分布     

用氧化物粒子增韧的SiC基复相陶瓷高温氧化行为

用恒温热重法测定了热压ＳｉＣ－Ａｌ２Ｏ３复相陶瓷在１５００℃空气中的氧化增重速率，并研究其高温氧化行为。氧化动力学测定结果表明，热压ＳｉＣ－Ａｌ２Ｏ３复相陶瓷材料的氧化增重速率随氧化时间延长而减小；反应气体氧和反应气物气体ＣＯ通过氧化产物边界层的扩散过程与氧化反应过程相比是很慢的，成为氧化速率限制过程。     

溶胶-凝胶法制备二氧化硅光学膜

探讨了在线温度和提拉速度对溶胶－凝胶法制备的ＳｉＯ２光学膜光学性质的影响，考察了热处理温度对ＳｉＯ２光学膜表面散射率的影响。结果表明：用溶胶－凝胶法制成的ＳｉＯ２光学膜随着在线温度的升高，膜的厚度呈线性减少，减少的速度为０．０９ｎｍ／℃；室温下ＳｉＯ２光学膜膜厚提拉速度呈指数增长，指数等于０．５４；ＳｉＯ２光学膜表面散射率随热处理温度的升高而增大，且在４００℃左右有一个增大的突变点。     

NiO／SiO2催化剂上的CO氧化的反应机理研究

ＮｉＯ／ＳｉＯ２是优良的非贵金属型ＣＯ氧化催化剂，ＥＸＡＦＳ和ＴＰＲ表征表明其活性中心为ＮｉＯ。在此基础上进行的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ模拟表明，在ＮｉＯ／ＳｉＯ２上ＣＯ氧化遵循Ｌ－Ｈ机理。     

CuO／SiO2和CuO—ZnO／SiO2催化剂的热分析性质

用差热分析（ＴＧ／ＤＴＡ）技术研究了ＣｕＯ／ＳｉＯ２和ＣｕＯ－ＺｎＯ／ＳｉＯ２催化剂于Ｈ２气下的还原行为和在Ｏ２气下的氧化行为及对其催化性能的影响。结果表明,ＺｎＯ的加入有利于催化剂的热稳定性,并对ＣｕＯ的还原有促进作用;在有氧化气氛存在时,ＺｎＯ的加入不利于保持Ｃｕ＾０的还原态。     

粉煤灰活化机理及胶凝材料的研究

对煤粉增钙燃烧过程中粉煤灰活化机理及活化粉煤灰的特性进行了实验研究，结果表明，通过增钙工艺，高钙煤粉在１２００～１４００℃温度下燃烧，形成含钙量较高的高钙玻璃体，使粉煤灰在高温下活化。活化粉煤灰中主要矿物为β－Ｃ２Ｓ，Ｃ４ＡＦ，Ｃ３Ａ，Ｃ５Ａ３，此外还有Ｃ１２Ａ７，Ｃ２Ｆ，ＣａＳＯ４，ＣａＯ及活性ＳｉＯ３等结晶矿物，当活化粉煤灰中ＣａＯ含量在２１％～２５％时，加入适量的强度激发剂并提高磨细度，就可     

二氧化锡／多孔硅／硅的吸附特性

研究了二氧化锡／多孔硅／硅（ＳｎＯ＿２／ＰＳ／Ｓｉ）的光伏谱和吸附性质，由分析光伏谱得出在ＳｎＯ＿２／ＰＳ／Ｓｉ之间存在着二个异质结：一个是ＳｎＯ＿２／ＰＳ异质结；另一个是ＰＳ／Ｓｉ异质结，当样品吸附ＣＯ气体后，光电压明显减少，实验结果表明，利用光电压的变化可以检测ＣＯ等有害气体．本文对新气体敏感材料ＳｎＯ＿２／ＰＳ／Ｓｉ的有关气体吸附机制进行了讨论．     

快速热氮化改善n-MOSFET栅氧化层的加速击穿

研究不同类型、不同沟道长度的ｎ沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）在不同栅电压下工作时栅氧化层的击穿特性。结果表明，ＭＯＳＦＥＴ栅氧化层的加速击穿起因于沟道大电流，而栅氧化层进行快速热氮化可极大地改善其栅氧化层的击穿特性。     

SnO2：Pd／Si新气敏特性的研究

用ＣＶＤ法在（１１１）和（１００）单晶硅衬底上沉积ＳｎＯ２或ＳｎＯ队：Ｐｄ薄膜．在不同温度下，测量ＳｎＯ２／Ｓｉ表面吸附Ｈ２或ＣＯ等还原性气体后光电压的变化．结果表明：ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的光电压变化，可以灵敏检测Ｈ２、ＣＯ等气体，讨论了ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的气敏机理．     

射频磁控溅射沉积SiO2膜的研究

研究以射频磁控溅射法在Ｓｉ衬底上沉积ＳｉＯ２膜．这一方法避免了高温氧化法对器件性能的损害．在结构和物理性能上对ＳｉＯ２进行了多方面的测试和分析．结果表明，ＳｉＯ２膜具有：１）微晶结构，结构致密、表面均匀、无针孔等．２）优良的物理性能，腐蚀速率（在Ｐ腐蚀液中）０．２０～０．２４ｎｍ／ｓ，击穿场强２．６×１０７～４．４×１０７Ｖ／ｃｍ．可以得出结论：射频磁控溅射法沉积的ＳｉＯ２膜与热氧化法沉积的ＳｉＯ２膜具有相同的物理性质．     

关于硅薄膜液相外延中氧化问题的若干讨论

从热力学角度对ＬＰＥ中同时 Ｓｉ氧化与ＳｉＯ２腐蚀的动态平衡过程进行了分析,表明在Ｓｉ的低温同质液相外延中,一般的ＬＰＥ条件很难解决防止Ｓｉ的氧化问题。作者尝试采用饱和Ｓｎ源保护Ｓｉ衬底的方法来解决硅氧化问题,通过对外延层表面形貌和成分的分析研究,表明采用Ｓｎ源保护成功地解决了硅的氧化问题。     

反应烧结制备莫来石基复合材料及添加剂的影响

重点研究了Ａｌ２Ｏ３ ／ＺｒＳｉＯ４ 富铝体系反应烧结制备过程中的晶相变化,以及Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＯ２ 比对反应烧结的影响,进而研究了添加Ｃｒ２Ｏ３ 对反应烧结的影响．研究表明,在反应烧结过程中,莫来石的生成明显滞后于ＺｒＳｉＯ４ 的分解;在相同温度下,ＺｒＳｉＯ４ 的分解程度随Ａｌ２Ｏ３ 的加入量的增加而提高．添加Ｃｒ２Ｏ３ 使莫来石的稳定生成温度提高,此外,Ｃｒ２Ｏ３ 的引入有助于Ａｌ２Ｏ３ 向莫来石中的固溶     

铅掺杂Bi系超导体正电子寿命研究

在室温下测量了Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２－ｘＭｇｘＯ８＋δ超导体的正电子寿命，发现正电子体寿命τｂ随着Ｐｂ含量ｘ的增加而减小；测量了转变温度Ｔｃ结果表明，Ｍｇ替换不影响电子结构，Ｐｂ替换使电子从Ｃｕ－Ｏ面迁移到Ｂｉ－Ｏ层，并导致ＣＵ－Ｏ面空穴浓度增加，转变温度Ｔｃ减小．