正电子深能级瞬态谱在GaAs缺陷研究中的应用

本文介绍的正电子深能级瞬态谱（PDLTS）技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱（PAS）和一些深能级瞬态谱（DLTS）技术而成新的实验方法.该技术能用来研究Ⅲ～Ⅴ,Ⅱ～Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征,它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息.本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究,运用该技术并结合深能级Arrhenius分析,得到EL2能级值为0.82±0.02 eV.     

ZnTe单晶的深能级瞬态谱

本文应用DLTS方法对布里支曼法,Te溶液法和逐冷法生长的三种P型ZnTe单晶的深能级进行了研究。实验中测得了Ey+0.28eV能级,并发现了E_v+0.39 eV能级,确定了它的陷阱浓度N_T和俘获截面σ_P。对三种方法生长的ZnTe单晶进行了退火实验,并对退火前后的DLTS谱进行了比较。     

硅太阳电池材料的深能级瞬态谱检测

本文利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,检测和分析了制作硅太阳电池的低阻硅材料。结果表明,即使是专门订制的低阻(CZ)硅材料,通常也存在一个或若干个深中心,它们对太阳电池效率有很大影响。本文认为,制作高效率太阳电池的硅材料,除常规要求外,还应对其深中心浓度有严格的要求,即DLTS谱中不出现明显的谱峰。     

BSF硅太阳电池重离子辐照的深能级瞬态谱

对ＢＳＦ硅太阳电池受碳,氧离子辐照前后的深能级瞬态谱进行了研究,结果表明碳,氧离子在硅太阳电池中引入的缺限能级非常相似,都观察到了Ｅ１,Ｅ２,Ｅ３,Ｈ１,Ｈ２５个峰,其中氧离子注量超过４×１０＾１２ｃｍ＾－２时,Ｅ２能级消失,根据能级的性质初步推断了这些能级所对应的缺陷类型。     

用瞬态电容谱方法研究GaAsP、GaAlAs发光二极管中的深能级

对GaAsP、GaAIAs发光二极管中的深能级,用瞬态电容谱(DLTS)方法研究得知,二极管在退化前后存在着几个深能级,并测得其能级深度、浓度和俘获截面等主要参数。讨论了这些深能级的物理成因及其对发光效率与退化特性的作用。     

用深能级瞬态谱作半导体器件的失效机理分析

本文利用深能级瞬态谱DLTS技术,对器件的失效批理作了分析探讨。指出用DLTS技术,不必将失效器件启封,就可以区别是属于体内失效还是表面失效,对于由深能级杂质影响电参数的器件,可以有效地进行失效机理分析。     

用深能级瞬态谱技术研究MOS结构界面态的分布

本文简述了深能级瞬态谱技术测量界面态分布的基本原理。在大量实验基础上给出典型MOS结构界面态分布的测试曲线与数据,对实验结果进行了有价值的分析。     

微处理机在直流大电流测试中的应用

本文阐述了微处理机直流参数测量数据处理装置的工作原理以及硬件与软件的设计。文中对系统进行了误差分析,给出了测量数据处理与校验数据处理的结果。实验表明,该装置精度在0.03％左右。     

掺杂石墨背接触层CdS/CdTe太阳电池的深能级瞬态谱

深能级中心能显著影响太阳电池性能.制作了以掺杂石墨为背接触层的CdS/CdTe薄膜太阳电池,用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心.共发现了6个深中心,确定了其中两个深中心的能级位置,分别是位于EC-0.223 eV的 E3和位于EV＋0.077 eV的H3.它们主要来源于Cd与Te的空位和间隙离子、O和Cl离子以及它们相互作用形成的复合体等.     

深能级瞬态谱仪样品台系统的改进

深能级瞬态谱仪能检测半导体中微量杂质、 缺陷的深能级及界面态,经过全面的数据分析,可以确定杂质和缺陷的类型、 含量、 陷阱密度、 随深度的分布、 陷阱上载流子的激活能以及陷阱中心对自由载流子的俘获截面信息等.在使用过程中存在温度控制不理想、 样品架不稳定两大问题.通过对深能级瞬态谱仪样品台系统的相关部分进行改进和改造,...     

FPGA在集成电路瞬态特性测试中的应用

通过一个典型的二阶系统为例介绍了FPGA在电路瞬态特性测试中的应用.系统以Xilinx公司的EXCD-1开发板为控制核心,由FPGA模块、键盘输入模块、液晶显示模块、数模转换模块、模数转换模块等功能模块组成.在设计方法上采用SOPC技术,大大提高了系统设计的灵活性和稳定性.本测量系统结构简单,并进行了抗干扰设计,使其具有较好的抗干扰能力,保证系统可靠工作.     

热处理单晶硅片中Fe玷污的深能级瞬态谱分析

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,对不同热处理条件下的单晶硅腐蚀片及抛光片进行了Fe玷污分析,系统研究了热处理前预清洗工艺和热处理工艺过程对硅片体内Fe玷污的影响。实验表明,热处理和热处理前预清洗是加工过程中对硅片体内Fe玷污有重大影响的工序,进而提出了有效降低硅片内Fe玷污的热处理控制方法。     

深能级测量中的软件技术

由微计算机通过AD/DA变换器产生深能级测量中必须的脉冲和偏压控制信号以及温度控制信号,并对瞬态电容和样品温度进行测量,可在一次温度扫描过程中获得一组对应于不同的测量率窗的深能级信号曲线,从而获得深能级的全部参数。采用指数式变化的相关加权系数可以大大提高测量的灵敏度。通过计算可求得最佳的加权系数。用高阶相关的方法可以改善测量谱峰的分辨能力。机器语言子程序可大大提高瞬态电容的测量速率并可保证严格的时序。各个测量点的延迟时间可在0.5ms到数十秒的范围内调节。     

AR谱在路谱测试中的应用

路面平整度是指路面对于理想平面的偏移，它具有影响车辆动力性、行驶质量和路面动力载荷三者的数字特征，路面平整度的统计规律研究是汽车振动与平顺性的重要基础工作之一。路谱是对路面平整度的一种重要描述方式。当把汽车近似看作为线性系统处理时，掌握了输入的路面不平度功率谱以及在车辆系统的动态性就可求出汽车振动系统的输出。     

无线传感网络在瞬态温度测试中的应用

针对爆轰过程中火球温度高、变化快,测试条件恶劣的情况,运用无线传感网络技术和存储测试技术,设计了一种基于ZigBee的瞬态温度存储测试系统。在1.5 kg温压炸药测试试验中该系统可靠地捕获了全部有效数据,采用Q准则评价了爆轰过程中炸药的热辐射毁伤效应。     

FAN算法在瞬态电流测试产生中的应用

在不考虑冒险的情况下，对于CMOS电路中的开路故障，探讨了利用FAN算法进行瞬态电流测试产生的可能性，定义了三种不同的D前沿，并将测试产生分为激活故障，使无故障电路和故障电路的瞬态电流差别最大化，减少旁路的影响三个部分，实验结果说明，在不考虑冒险的情况下，将FAN算法应用于瞬态电流测试产生是可行的。     

深能级瞬态分析法研究纳米氧化锌的绿光发光机制

目的 研究纳米氧化锌的绿光发光机制.方法 深能级瞬态分析法.在实验设计中.根据衬底和薄膜的性质,利用示波器、纯电阻箱、信号源等简单的实验设备.在理论计算方面,用Matlab语言编程计算得到缺陷能级.结果 实验精度较高;缺陷能级距导带1.62 eV,这个能量差值恰和孙玉明在ZnO缺陷能级计算的博士论文中氧空位缺陷能级相符.结论 绿光发射是电子由导带到氧空位缺陷能级的跃迁所致.     

AsCl_3/Ga/H_2系统GaAs外延片的高分辨率深能级瞬态谱研究

用 AsCl_3/Ga/H_2气相外延系统在 GaAs 衬底上生长出GaAs 外延层并制成 Au-GaAs 肖特基结构.利用高分辨率深能级瞬态谱(HDDLTS)仪研究了外延层中深能级的特性.结果表明,缺陷和杂质在外延层中引进若干较高浓度的深能级,经退火后缺陷深能级会被消除.     

微处理机在温度控制系统中的应用

本文介绍了一个以微处理机为核心的温度控制系统及其设计过程。内容包括怎样用微处理机来实现给定温度的计算和输入,温度测量和非线性校正,调节以及输出驱动控制。在文章中还提出了几种特别适合于微处理机的控制方法,如阀值可调的多位继电式调节等,既简化了系统结构又提高了性能,解决了某些常规控制方法难以解决的问题。