Ag/BaTiO3复合材料的非线性V-I特性

金属粒子分散相与某些介质材料基体形成的复合材料具有独特的光学、电学等性质.但目前的研究主要集中在光学性质方面,而对这类材料的电学性质研究得很少.氧化锌压敏电阻器的微观结构为半导化的ZnO晶粒被一层很薄的绝缘相所包围,该绝缘相所形成的高阻晶界具有隧道效应,从而使材料具有抑制电压和吸收浪涌电流的功能,由于半导体ZnO晶粒仍具有一定电阻值,所以在一些大电流场合,其伏安特性的电压值随电     

纳米复合技术改善工业ZnO压敏电阻避雷器微观结构及电性能的研究

运用纳米复合技术对工业ZnO压敏电阻避雷器的制备工艺的改进,研制出压敏电压340 V/mm,漏电流小于1μA,非线性系数大于56的压敏电阻器。根据ZnO晶粒生长动力学方程,研究了纳米复合ZnO粉体的烧结过程以及烧结过程中的晶粒生长规律,用扫描电镜和能谱对瓷体显微结构及面扫成分进行了分析,讨论了添加纳米复合粉的ZnO压敏电阻避雷器微观组织与综合性能的关系。实验表明,添加纳米复合粉体是降低大规模生产成本,提高经济效益,并得到综合性能优良产品的有效方法。     

纳米复合技术改善工业ZnO压敏电阻避雷器微观结构及电性能的研究

运用纳米复合技术对工业ZnO压敏电阻避雷器的制备工艺的改进,研制出压敏电压340 V/mm,漏电流小于1 μA,非线性系数大于56的压敏电阻器.根据ZnO晶粒生长动力学方程,研究了纳米复合ZnO粉体的烧结过程以及烧结过程中的晶粒生长规律.用扫描电镜和能谱对瓷体显微结构及面扫成分进行了分析,讨论了添加纳米复合粉的ZnO压敏电阻避雷器微观组织与综合性能的关系.实验表明,添加纳米复合粉体是降低大规模生产成本,提高经济效益,并得到综合性能优良产品的有效方法.     

Al2O3掺杂的WO3基压敏电阻非线性的反常温度效应

1994年,Ｍａｋａｒｏｖ和Ｔｒｏｎｔｅｌｊ[1]首先报道了ＭｎＯ2和Ｎａ2ＣＯ3掺杂的ＷＯ3基低压压敏电阻材料[1].此类材料由于其压敏电压低(<10Ｖ/ｍｍ)等优点而颇具研究与开发价值.我们的研究工作表明,在常温下,对于非线性系数α≈2的ＷＯ3＿ＭｎＯ2＿Ｎａ2ＣＯ3系列,掺入Ｃｏ2Ｏ3可以较明显地改善其非线性特性,当Ｃｏ2Ｏ3的含量为摩尔分数1%时,其α值可达5以上[2].但是,我们发现,若在此系列中掺入摩尔分数0.5%的Ａｌ2Ｏ3,则样品的非线性特性几乎消失,近似为线性电阻,但其电学性能十分稳定,与未掺Ａｌ2Ｏ3的样品相比,没有电流对于电压的滞…     

基于忆阻器的神经突触仿生器件研究

正忆阻器因其与神经突触类似的独特非线性电学性质,以及结构简单、集成度高等优势,在新型神经突触仿生电子器件领域引起广泛关注。忆阻器是除电阻器、电容器、电感器之外的第四种基本无源电子器件。蔡少棠(Leon Ong Chua)最早于1970年代在研究电荷、电流、电压和磁通量之间关系时推断出这种元件的存在,并指出它代表着电荷和磁通量之间的关联。忆阻器具有电阻的量纲,但有着不同于普通电阻的非线性电学性质。忆阻器的阻值会随着流经它的电荷量而发生改变,并且能够在断开电流时保     

ZnO压敏陶瓷电流蠕变规律及其机理研究

ZnO压敏陶瓷在工作电压长期作用下,漏电流会逐渐增大,当此种电流蠕变现象严重时,表明压敏陶瓷的工作是不稳定的;将烧结好的陶瓷热处理,是改善其工作稳定性的有效方法之一.根据晶界缺陷化学模型,认为工作不稳定是晶界肖特基势垒不稳定的结果,而这又是由于构成势垒的亚稳成分填隙锌离子Zn_i~+和Zn_i~(2+)所致;热处理可使耗尽层中填隙锌离子     

火花放电过程的非线性方程的求解

在涉及高电压装置、大气的雷电等现象时,常涉及气体火花放电现象。火花放电的特征是有效电阻r_S可近似地表示为其中p是气压(大气压);S是火花隙宽度(厘米);i(t)是电流(安培);t是时间(秒);在     

围绕霍尔效应的那些概念

<正>霍尔效应:此为电磁效应的一种,是美国物理学家霍尔于1879年发现的。在一个通有电流的导体中,如果施加一个垂直于电流方向的磁场,由于洛伦兹力的作用,电子的运动轨迹将产生偏转,从而在垂直于电流和磁场方向的导体两端产生电压,这个电磁输运现象就是著名的霍尔效应。产生的横向电压被称为霍尔电压,霍尔电压与施加的电流之比则被称为霍尔电阻。由于洛伦兹力的大小与磁场成正比,所以霍尔电阻也与磁场成线性变化关系。与量子霍尔效应相关的发现之所以屡获学术大奖,是因为霍尔效应的功能在许多技术设计中都十分重要。人们日常生活中常用的很多电子器件的设计原理都来自霍尔效应,仅汽车     

利用有机磁电导分析红荧烯发光器件中陷阱辅助的三重态激子淬灭作用

本文制备了基于红荧烯(rubrene)分子的有机发光二极管,并测量了不同温度和注入电流下器件的磁电导(magneto-conductance,MC).实验发现器件的MC曲线随着磁场的增加主要表现出了3段变化,在室温(300K)低磁场(|B|6 mT)范围内,MC_1在小电流时表现为快速上升,在中等电流时先缓慢上升再下降,在大电流时则为缓慢下降;在中等磁场范围(6 mT|B|17 mT),MC_2在各电流范围均表现为缓慢上升;在高磁场范围(17mT|B|300 mT),MC_3在各电流范围均表现为迅速下降.随着温度的降低(以电流为50μA为例),低磁场范围(|B|6 mT),MC_1在温度为300 K时表现为缓慢上升,温度为250~150 K时则先缓慢上升再下降,温度为100~20 K时表现为缓慢下降;中高磁场范围(|B|6 mT)的MC_2和MC_3的线型则基本不变.对电流密度-电压特性曲线的深入分析发现器件中存在陷阱,由此说明器件中除了自由电荷对三重态激子的解离(Q+T→Q+e+h)以及极化子对间的系间窜越(PP~1?PP~3)作用以外,还包括陷阱辅助的三重态激子淬灭作用(即陷阱束缚的三重态激子与自由的极化子(Tt+P→S0+P_t)和陷阱束缚的极化子与三重态激子(T+P_t→S0+P)之间的作用),这4种微观机制的共同作用导致结构复杂的MC线型,且电流和温度对它们还有较好的调控作用.本研究不仅加深了对rubrene器件中三重态激子与电荷相互作用的理解,而且还丰富了有机磁电导曲线的表现形式.     

ZnO压敏陶瓷中富Ba晶界相的生成与控制

已知在通常的ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3系陶瓷中,加入Ba添加剂,由于Ba离子半径大而易偏析于晶界,故能进一步改善其非线性性能,但近来对ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3-BaO系压敏陶瓷的研究则发现,在一定的条件下,Ba离子不仅只是偏析于晶界,而且形成富Ba的新晶界相,经分析为偏锑酸钡(BaSb_2O_6)相;由氧化铋(Bi_2O_3)、尖晶石(Zn_(2.33)Sb_(0.67)O_4)、偏锑酸钡组成的晶界相,改变了通常的压敏陶瓷中晶界相的结构、组分和性质,从而影响及晶粒间的界面性质和界面处的肖特基势垒;当这几种晶界之间有适当比例时,能显著地改善压敏陶瓷在长期电负荷下工作的稳定性.对ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3系陶瓷在烧结过程中晶相的生成已有报道.本文对ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3-BaO系压敏陶瓷中,偏锑酸钡相的生成过程及影响因素进行讨论;在发现常用的SiO_2,Cr_2O_3添加剂对偏锑酸钡相生成有重要影响的基础上,对这种影响的机理进行分析,所得到的一些实验结果,对压敏陶瓷制备过程中添加剂及工艺参数的控制会有重要的指导作用.1 材料与方法实验试样除主成分ZnO外,Bi_2O_3,Sb_2O_3,BaCO_3添加剂(各自在0.2～1.5 mol%范围内调整)作为基本成分加入,另外还有其他改性添加剂,原材料均为化学试剂纯度,制备三组试样(表1),A组试样不含SiO_2和Cr_2O_3,B,C组在     

NiO_x多晶薄膜的变温电阻开关特性与隧穿机制

利用射频磁控溅射方法沉积制备了Ag/NiO_x/Pt存储单元,研究了其微结构、电阻开关特性随测试温度的变化.微结构观测分析发现,沉积制备薄膜为富氧的NiO_x多晶薄膜.Ag/NiO_x/Pt存储单元的电流-电压测试曲线呈现阈值型电阻开关特性:分别在2.1~2.4 V的正偏压范围和-2~-2.2 V的负偏压范围内观测到了高低电阻态之间的稳定可逆跳变.随着测试温度的升高,负偏压范围的电阻开关现象在140℃基本消失,而正偏压范围内的电阻开关现象可维持到270℃.运用指数定律拟合室温电流-电压曲线结果表明,薄膜隧穿电流属于缺陷主导的空间限制电流;运用Arrhenius作图法拟合的电流-温度曲线满足线性关系,表明薄膜隧穿电流随测试温度的变化符合肖特基热激发隧穿机制.在周期性电场作用下,从银电极扩散进入薄膜内的Ag离子的氧化还原反应导致存储单元呈现阈值型电阻开关特性.     

钙钛矿氧化物La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3巨磁电阻p-n结

用激光分子束外延成功地制备出钙钛矿氧化物La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3 p-n结, 首次观测到钙钛矿结构氧化物p-n结电流的磁调制和巨磁电阻效应. 其巨磁电阻特性与掺杂的镧锰氧化物是非常不同的, 当温度为300, 200和150 K时, p-n结具有正磁电阻特性; 当温度为100 K时, 在低磁场条件下, p-n结呈现正磁电阻特性, 随着磁场强度的增加, p-n结变为负磁电阻特性. p-n结的磁电阻变化率?R/R0(?R = RH ?R0, R0是外磁场为0时p-n结的电阻, RH是外磁场强度为H时p-n结的电阻) 在300 K条件下, 当磁场强度为0.1和5 T时, 达到8%和13%; 在200 K条件下, 当磁场强度为5 T时, 达到41%; 在150 K条件下, 当磁场强度为1 T时, 达到40%; 在100 K条件下, 当磁场强度为0.13和5 T时, 达到10%和-60%.     

ZnO薄膜的Sol-Gel制备与结构分析

ZnO薄膜是一种极为重要的多功能电子材料,已广泛地应用于体声波(BAW)延迟线、声表面波(SAW)器件、声光器件,以及气敏、力敏、压敏等传感器件中.传统的ZnO薄膜制备技术主要有射频磁控溅射,离子束蒸发,化学气相淀积等几种,近年来,Sol-Gel技术得到了很大的发展,已成功地制备出高取向的PbTiO_3薄膜.高取向和外延的K(Ta,Nb)O_3薄膜和(Sr,Ba)Nb_2O_6薄膜等,利用该工艺制备高质量的薄膜,有着极大的发展潜力.本文报道了采用Sol-Gel法在石英玻璃衬底上制备高c轴取向ZnO薄膜     

微型科技新时代

在一条高速公路上,两辆汽车迎头相撞,但司机安然无恙。这是为什么?原来,当两车相撞时,就在那电光火烈的一刹那间,车上一副小得几乎看不见的微型传感器极迅速地打开了车的气襄开关,救了司机一命。这不是天方夜潭,而是事实。在工业时代,世界各国均以建造大型机器自豪,越大越好。曾几何时,我们已一步步远离这个概念,而进入微型科技时代。     

高次非线性薛定谔方程(Ⅰ)

非线性薜定谔方程被用来描述各种非线性波动现象.目前研究得最广泛的是下述“立方薜定谔方程”: ia_tE a_x~2E |E|~2E=0 (1)式中,E(x,t)是波场(例如电场)的包络.方程(1)被证明是可积的,具有无限多个运动常数。采用散射反演方法,从方程(1)可得到碰撞不变的孤立波解.     

Bieberbach函数族和Grunsky函数族的另一种充要条件和偏差定理

1.引言 设f(ζ)是单位圆U={ζ|:|ζ|<1}上的正则的单叶函数,f(0)=0,当|ζ_i|<1,i-1,2时f(ζ_1)·f(ζ_2)≠1,记这种函数的全体为B_1,称为Bieberbach函数族。设f(ζ)是单位圆U上的正则的单叶函数,f(0)=0,当|ζ_i|<1,i=1,2时,     

激发态分子的简并的四波混频

引言 用简并的四波混频技术可以方便地测量透明介质的三阶非线性光学极化率。对于处于基态状态下的介质,其非线性特性是比较清楚的,然而,人们对处于激发态的介质的非线性光学特性了解得很少。当介质对入射光波有吸收时,有一部分粒子被激发到高能态,在简并的四波混频中,常常利用这种共振增强效应来增大三阶非线性光学极化率,但此时只是研究在激发     

SIS结参量放大器的模拟器研究

在超导体-绝缘体-超导体(SIS)式的隧道结中,准粒子隧道电流的电抗部分Rej_1在能隙以下随电压的增大急剧地上升,而其电阻部分Imj_1却保持为零。这样,SIS结便表现为一个理想无耗的纯电抗器件,可以用来制作参量放大器。Lee首先对这种器件的性能进行了     

从通道水平研究LaCl3对萝卜液泡膜的影响

用膜片钳全液泡记录方式,在萝卜液泡上成功地记录到慢液泡(SV)通道电流.增大外液中钙离子的浓度,记录到的电流信号也随之增大,且激活电压向负电位方向移动.外液中加入2.5mmol/LLaCl3和4mmol/LEGTA溶液时,SV电流明显被抑制;而当不同浓度的LaCl3加入到电极内液中时发现,高浓度的镧(＞4×10-7mol/L)对通道电流有强烈的抑制效应,而低浓度的镧(≤4×10-7mol/L)则促进通道电流,这一促进效应为进一步研究稀土对植物生理活动的影响以及稀土微肥对农作物的增产效果在通道水平上提供了重要的依据.     

离散线性系统稳定性的一个定理

离散线性定常系统的极点由它的特征多项式f(z)=z~n a_1z~(n-1) … a_(n-1)z a_n (1)的根r_n给出,当其所有特征根|r_k|<1时,系统绝对稳定。Berger(Int,J.Control,35(1982),1073)基于参数空间理论,使用数值计算方法得到,当