图纹结构Co/Pt多层膜的制备及垂直磁各向异性研究

采用自组装技术制备大面积有序聚苯乙烯微球模板.在此基础上,制备Co/Pt多层膜纳米碗列阵阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)对样品表面形貌和磁性进行了分析.结果表明:纳米碗阵列保留了聚苯乙烯微球模板的有序形貌.磁性多层膜随着Pt或Co厚度的增大,矫顽力和Mr/Ms变化的总体趋势是先增大后减小.随着衬底胶体球半径的增加,曲率诱导作用逐渐减弱,矫顽力降低.     

Co/Ru多层膜的磁性

使用电子束蒸发的方法制备多层膜样品,采用振动样品磁强计测量磁学性能.通过分析发现,随着Co层厚度的逐渐减小,垂直易磁化的趋势逐渐增强.当Co层厚度减至0.5nm时,实现了垂直易磁化.同时,Co原子磁矩随Co层厚度增加而减小.     

Co/Ru多层膜的磁性

使用电子束蒸发的方法制备多层膜样品,采用振动样品磁强计测量磁学性能.通过分析发现,随着Co层厚度的逐渐减小,垂直易磁化的趋势逐渐增强.当Co层厚度减至0.5nm时,实现了垂直易磁化.同时,Co原子磁矩随Co层厚度增加而减小.     

自组装单层和多层衬底制备纳米碗的对比研究

采用不同自组装技术制备单层和多层有序聚苯乙烯微球模板.在此基础上,制备Co/Pt多层膜纳米碗阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和振动样品磁强计(VSM)对两种样品表面形貌和磁性进行了分析.结果表明:以单层和多层模板制备磁性多层膜纳米碗结构,在不考虑纳米点的相同条件下,只要微球直径相同,其制备的纳米碗Co/Pt多层膜磁性相同.     

磁控溅射Si/Co多层膜的小角X射线衍射测试研究

用小角X射线衍射方法对Si/Co多层膜进行了测试研究,应用衍射理论对测试中出现的周期数不多的强峰和其间的一系列次强峰进行了分析,在计算多层和单层膜厚度时,提出利用相邻两个衍射峰的角度之差来消除系统误差和定位误差的简便方法,使数据处理得到简化.最后,通过XPS分析指出,在膜层界面具有硅的化合物存在.     

Co/Si多层膜的磁控溅射及其X射线衍射分析

用超高真空磁控溅射设备在不同溅射压强及衬底温度的工艺条件下制备了一系列Ｃｏ／Ｓｉ多层膜．Ｘ射线小角衍射证实所研制的多层膜具有周期调制结构．分别采用不同的理论方法计算了多层膜的周期和折射修正项．表明修正项不再仅对折射效应修正,而应理解为更广义的修正项．并应用广义修正总多层膜厚度Ｂｒａｇｇ公式确定出了主峰之间次峰的级数．     

纳米级磁性多层膜的巨磁特性

磁性多层膜是人工设计制作的新材料,表现出许多新的性能,巨磁电阻电阻疚２是最具有吸引力的,简要地介绍了磁性多层膜中的巨磁电阻效应,并指出可能的应用领域。     

锗/氧化硅纳米多层膜的电致黄光发射研究

通过射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层薄膜.测量到了来自Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致黄光发射,并发现该纳米结构具有整流特性.     

Co/Si多层膜的模型结构研究

对小角Ｘ射线衍射法测出的Ｃｏ／Ｓｉ多层膜的平均折射率修正值为负的原因作了进一步的分析，提出了修正的具有化合物层的多层膜结构模型，运用光学多层膜理论计算小角衍射强度时代入了负的折射率修正值δ，得到的理论计算曲线与实验曲线趋于一致．     

Ni／Cr多层膜的磁各向异性

利用振动样品磁强计和铁磁共振仪研究了Ｎｉ／Ｃｒ多摹 磁各向异性。     

二维纳米胶体球模板和Cu纳米颗粒阵列的制备

直径为500 nm的纳米球刻蚀模板是通过自组装法制备的.整个实验揭示了自组装过程的影响机制,并得到形状规则,排列均匀一致的单层胶体晶体掩模板.利用离子束溅射得到纳米环阵列,SEM图可以看出纳米环阵列大小均匀,完全按照预期的点阵结构排列.     

超音速火焰喷涂WC-12Co涂层的磨粒磨损行为研究

对超音速火焰WC-12Co涂层进行了磨粒磨损试验,研究了磨粒磨损试验参数对涂层性能的影响,并通过SEM对涂层表面的显微形貌进行了观察分析,探讨了WC-12Co涂层的磨粒磨损失效机制.结果表明:涂层的失重随试验载荷及磨料直径的增加而增加;在载荷或磨料粒度较大时.涂层的磨损失效形式为晶粒剥落及犁沟切削相结合;当载荷或磨料粒度较小时,其失效形式主要为晶粒剥落方式.     

纳米Co/Cu合金的磁性与退火热处理

系统研究了快淬Cox/Cu100-x(5≤X≤30)合金的磁性以及退火处理对磁性的影响。随退火温度的上升，Co颗粒在长大。当Co含量增加时，饱和磁化强度Ms和箸顽力Hc增大。Co含量少的样品，退火处理对磁化曲线影响大，Co含量多的样品与之相反。随退火温度TA升高，矫顽力Hc和剩余磁化强度Mr增大。在特征冻结温度（300K）下观察到一个大热滞效应。这个热滞温度远大于在ZFC曲线的峰值温度，这表明磁性颗粒的尺寸及形状有一较宽的分布。     

CO在Pt／Si和Pd／Si上的化学吸附

本文根据单电子化学吸附理论，利用格林函数方法和复能积分技术，研究了ＣＯ在Ｐｔ／Ｓｉ和Ｐｄ／Ｓｉ上的化学吸附。用ｓｐ杂化轨道模型描述衬底，用紧束缚的ｄ轨道模型描述金属。计算结果表明：（１）化学吸附能随Ｓｉ上金属的层数增加而单调下降；（２）Δε〈０ｅＶ的杂质效应表现为使化学吸附减弱；Δε〉０ｅＶ的杂质效应表现为杂质位于表面第一层时加强了化学吸附，杂质位于其它层时减弱了化学吸附。     

有机溶胶法制备Pt/C催化剂的影响因素

考察了有机溶胶法制备催化剂的过程中,碳载体的预处理、反应气氛、还原温度以及起始还原pH值等因素对制得的催化剂性能的影响.实验结果表明:在适当温度下对碳载体进行热处理可以显著改善活性组分的分散度和提高催化剂的性能,最佳的处理温度为300℃;在氮气气氛下制备的催化剂的性能明显优于在空气气氛下制备的催化剂;一般情况下,较低的还原温度有利于获得分散度较高的催化剂,最佳的还原温度为140 ℃左右,高于此温度制得的催化剂的性能有下降趋势;最佳的起始pH值为11左右.采用优化条件制备的Pt/C催化剂对甲醇氧化的电化学性能优于商品Pt/C催化剂.     

具有垂直各向异性的Co/Pt多层膜中各Co层之间铁磁性耦合

使用磁控溅射法制备了一系列具有不同Pt中间层厚度的glass/NiO(1.nm)/[Co(0.4.nm)/Pt(0.5.nm)]3/Pt(xnm)/[Co(0.4.nm)/Pt(0.5.nm)]3样品并对Co层之间的铁磁性耦合强度进行了测量.整体磁滞回线和局部磁滞回线的测量结果表明,上下两层Co/Pt多层膜之间的铁磁性耦合强度随着Pt中间层厚度的增加单调减小,当Pt中间层厚度超过4.nm时铁磁性耦合消失.除了上下两层Co/Pt多层膜之间通过Pt中间层产生的铁磁性耦合作用之外,它们之间也存在弱的次耦合作用,这导致底层出现宽的磁滞.