PTCR半导陶瓷老化后的复阻抗研究

根据ＰＴＣＲ半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果，对ＰＴＣＲ半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型，通过对阻抗－频率关系曲线的测量，求出了ＰＴＣＲ半导瓷的特性参数，计算结果表明，老化后室温阻值增加，这主要是电极氧化引起的，对实验结果进行了物理本质的初步探讨。     

KNbO3陶瓷的半导化及PTC效应

采用添加钾锗玻璃和掺ＭｏＯ３的方法，制备了ＫＮｂＯ３半导瓷，在此基础上，对ＫＮｂＯ３半导瓷样品进行了电学性能的测试以及样品断面形貌的扫描电镜观察和分析。结果表明，两种方法制备的ＫＮｂＯ３半导瓷样品都在铌酸钾晶体的两个相变点附近出现了ＰＴＣ电阻异常：一个在正交铁电相－－四方铁电相转变处；另一个在四方铁电相－－立方顺电相转变处，而掺ＭｏＯ３制备的半导瓷具有较小这曙电阻率及较大的电阻率反常幅度（ＦＥ－Ｆ     

BaTiO_3半导陶瓷的制备工艺和居里温度移动

从烧结温度和降温速度两方面研究了制备工艺对BaTiO3 半导陶瓷材料特性的影响 ,得到了最佳的烧结工艺条件 ,并研究了Sr,Pb等居里点移动剂对材料性能的影响规律 .     

纳米颗粒对陶瓷材料力学性能的影响

纳米材料是当今社科研究的热点,对陶瓷材料采用纳米颗粒复合的方法可大大改善其力学性能。本文介绍了纳米复合陶瓷的各种强韧化机理,简述了其制备工艺,对纳米复合陶瓷的内在强韧化机理和最佳制备工艺作了进一步探索。同时给出了我们的部分分散实验结果。     

碳化硼陶瓷的制备及应用

介绍了碳化硼粉末工业制取的3种主要方法以及碳化硼成型和烧结的常用方法，并系统介绍了碳化硼陶瓷作为结构材料、化学原料、电性能材料、核性能材料、复合陶瓷这5个方面的应用。     

单分散ZrO2—Y2O3超细粉体的成型和致密化研究

超细粉体成型和致密化困难是制备纲米单分散陶瓷亟待解决的难题。本研究采用两次造粒、高压成型、在１０００￣１２００℃范围内多次保温的新烧结工艺解决这一难题。实验表明：两次造粒可基本解决超细微粒成型困难的问题，多次保温的新烧结工艺是解决超细微粒致密化困难的有效措施之一。     

用于辐射节能的纳米功能陶瓷材料制备及产业化

<正>(合作方式:技术转让、技术许可)一、项目概况本课题将研究两类红外辐射纳米陶瓷涂层材料的设计、制备技术及其工业节能应用技术,并实现其产业化应用。其中,两类材料的设计、制备技术包括":氧化物/非氧化物纳米红外辐射陶瓷粉体材料"的制备技术以及"辐射节能涂料的制备及涂覆"技术。以上     

甲壳胺与SiO2杂化材料膜制备的研究

将甲壳质在碱液中进行脱乙酰化反应,制得不同脱乙酰度,粘度的甲壳胺;制成的甲壳胺溶液与ＴＥＯＳ溶胶进行凝胶化反应,得到一种杂化材料;通过红外光谱检测和物理性质观测,发现反应温度、时间、体系的酸度对反应产物有影响,部分产物出现Ｓｉ－Ｏ－Ｃ键;凝胶化所得膜不溶解于水。     

含ZrO2硅溶胶制备及烧成性能的研究

研究含ZrO2硅溶胶的制备工艺，胶凝条件，溶胶的热性能和烧成。通过X射线衍射分析证实，恰当地控制工艺条件可以使含ZrO2硅溶胶仅析出ZrO2晶体，而不析出SiO2晶体和ZrSiO4晶体。通过SEM观察分析，烧成工艺制度不仅决定那种晶体析出，而且对析出晶体的显效结构和晶体形貌影响很大。对使用含ZrO4硅溶胶增韧石英玻璃陶瓷有非常重要意义。     

低电阻率PTCR热敏陶瓷材料的研制

采用草酸盐和铵盐溶液法制备ＰＴＣＲ热敏陶瓷的前驱体（Ｂａ＿ｘＳｒ＿（１－ｘ））ＴｉＯ＿３和（Ｂａ＿ｙＰｂ＿（１－ｙ））ＴｉＯ＿３，加入半导化剂Ｓｂ＿２Ｏ＿３、或Ｎｂ＿２Ｏ＿５，以及ＡＳＴ剂（Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２和ＴｉＯ＿２）等，研制成功低电阻率（ρ≈１０Ω．ｃｍ）　的ＰＴＣＲ热敏陶瓷产品。     

改性剂Sb对BaTiO3基PTCR陶瓷电学性能的影响

以溶胶－凝胶一步法合成了含有改性剂Sb的BaTiO3基正温度系数电阻（positive temperature coefficient of resistivity,PTCR)陶瓷,着重讨论了改性剂Sb掺杂量的变化对PTCR陶瓷电学性能的影响。结果表明,随改性剂含量的增加,材料的室温电阻率（ρ室）、电阻－温度系数（α）、耐电压强度（VB.max)均呈现“W”形变化。     

PTCR半导陶瓷老化后的复阻抗研究

根据ＰＴＣＲ半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果，对ＰＴＣＲ半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型，通过对阻抗－频率关系曲线的测量，求出了ＰＴＣＲ半导瓷的特性参数．计算结果表明，老化后室温阻值增加，这主要是电极氧化引起的．对实验结果进行了物理本质的初步探讨．     

PTCR电流-时间特性在线测试仪的设计

简要介绍了正温度系数热敏电阻(PTCR)电流-时间特性,针对PTCR电流时间特性在线测试需要,提出了一种在线测试方法,给出了测试电路原理图和相应的软件测试流程,并对其工作原理进行了介绍。设计的PTCR电流-时间特性在线测试仪具有良好的在线测试性能,为PTCR在线测试提供了一种有效的电流-时间特性失效检验途径。     

生坯制备工艺参数对反应烧结SiC组织性能的影响

分析了生坯制备工艺参数对反应烧结SiC显微组织和性能的影响。结果表明:石油焦含量、石油焦和SiC粒径及成型压力影响生坯气孔率与碳含量的匹配,从而决定了反应烧结SiC材料的组织和性能。当石油焦加入量为ωC=10%,SiC和石油焦粒径为42μm。生坯成型压力为140MPa时,可获得最佳的组织及性能配合,材料的断裂强度和密度分别为310MPa和3.11g·cm-3。     

基于Windows98的电阻温度特性测试系统

目前P4CPU主板成为主流，P4主板上已不再有EISA接口槽，原来基于EISA槽的接口卡已不能使用。为此设计了基于并行打印接口的外围控制电路，首先由程序控制编码器编码，然后由专用解码芯片解码，从而实现通道转换。计算机通过标准RS－232串行接口同智能万用表和智能数字温控表通信，组成热敏电阻阻温特性曲线测试系统，由智能温控表进行控温，由智能万用表进行数据采集。程序由VISUALC 6.0语言编写，数据处理程序可供新老用户使用。     

还原气氛热处理对 BaTiO_3 热敏电阻性能的影响

对常温阻值大于标称阻值ＰＴＣＲ热敏电阻在还原气氛中（氧分压ｌｇ｛ｐＯ２｝Ｐａ＝－４．１１０６～－４．０５４７）于６００℃，８００℃和９００℃分别处理２ｈ，４ｈ和６ｈ，对处理后的热敏电阻电性能及老化特性进行了研究．结果表明，在满足产品电性能要求的前提下，还原气氛热处理在一定程度上可以调整ＰＴＣＲ热敏电阻的常温阻值，提高产品的合格率．     

施主杂质引入方式对BaTiO3材料PTCR效应的影响

采用了不同的施主掺杂方式，通过过剩施主的一次和二次掺杂材料的室温电阻率和PTCR效应的研究，从缺陷化学的角度，讨论了引入方式与施、受主相互补偿机制的关系和对材料电学性能的影响。     

液相铌掺杂BaTiO3基PTCR陶瓷材料的研究

目的研究液相掺铌对BaTiO3系PTCR陶瓷材料电性能的影响。方法采用溶胶-凝胶一步法工艺和不同的降温速率。结果获得了室温电阻率2ρ5℃=28.93Ω.cm,升阻比Rmax/Rm in>1×106,阻温系数α30>15.00×10-2/℃,耐压强度Vbr>210V/mm,居里温度Tc=130℃的PTCR陶瓷材料。结论施主元素Nb以液相的形式添加分布更加均匀,材料的室温电阻率随施主元素Nb掺杂量增加呈U形变化,适量掺杂施主元素Nb可明显提高材料的PTCR特性,加快降温速率会明显削弱材料的电性能。     

(Ba,Sr)TiO_3系线性PTCR陶瓷的电性能研究

通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻 温度等电学特性的测试和分析 ,对 (Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷进行了相关研究 .结果表明 :微量元素Sb的掺杂量对线性电阻 温度特性影响较大 ;晶粒体内的载流子浓度n大约只有 2 .83× 1 0 2 2 m-3;而晶界处的有效表面态密度ns 仅有 2 .3 5× 1 0 16 m-2 ;晶界势垒φ0 约为 0 .1 1eV ,这比常规的PTCR陶瓷的晶界势垒差不多小了一个量级 .这些很可能是决定该类材料具有较好线性电阻 温度特性的根本原因