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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 125 毫秒
1.
采用原子集团展开和平均键能相结合的方法.研究了宽带隙高温半导体、合金型应变居异质界面C/BNxC2(1-x)、BN/BNxC2(1-x)和生长在BNxC2(1-x)合金衬底上的C/BN应变层异质结的价带偏移△Ev.结果表明:C/BNxC2(1-x)和BN/BNxC2(1-x)的△Ev随x的变化是非线性的,而应变层C/BN的△Ev随x的变化是接近于线性;三种异质结的△Ev值随x的变化关系决定于异质界面两侧带阶参数Emv随x的变化规律.  相似文献   

2.
彩和原子集团展开和平均键能相结合的方法,研究了宽带隙高温半导体,合金型应变层异质界面C/BNxC2(1-x)、BN/NBxC2(1-x)和生长在BN/NBxC2(1-x)合金衬底上的C/BN应变层异质结的价带偏移△Ev。结果表明:C/BNxC2(1-x)和BN/NBxC2(1-x)的△Ev随x的变化是非线性的,而应变层C/BN的△Ev随x的变化是接近于线性;三种异质结的△Ev值随x的变化关系决定于异质界面两侧带阶参数Emv随x的变化规律。  相似文献   

3.
采用平均键能理论结合形变势方法对由AISb,GaSb和InSb所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定,并分析了阳离子浅d轨道对价带偏移值的影响.结果表明,它们的价带偏移值具有显著的应变效应,此一显著的应变效应来源于应变的单轴分量及其与自旋-轨道分裂能量的耦合.这一效应导致了AISb-lnSb和GaSb-InSb系统中最高价带排列的Ⅰ-Ⅱ型超晶格的转变.  相似文献   

4.
采用紧束缚方法计算了生长在GexSi1-x合金(001)面上的应变GaAs层以及生长在Si(001)面上的应变超晶格(Si2)4/(GaAs)4的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响.  相似文献   

5.
采用分子束外延(MBE)方法生长了GexSi1-x/Si应变超晶格.利用X射线双晶衍射、小角衍射和宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线.运用X射线运动学理论和动力学理论,分析、模拟了样品的实验曲线,得到了精确的定量结构参数数据.并根据实验曲线中衍射峰的位置和分布情况对应变超晶格的生长质量做了评价.  相似文献   

6.
把原子集团展开方法同平均键能方法相结合建立了一种研究合金型应变层异质界面价带偏移的方法。应用此方法对InxGa1-xAs/GaAs系统分别计算了以GaAs和以InxGa1-xAs为衬底的两种不同的应谈状态下的价带偏移随合金组份的变化规律。  相似文献   

7.
从理论上计算生长在GaAs衬底上的InxGa1-xAs合金材料的带隙变化,分析应变对其能带结构的影响。结果表明,InxGa1-xAs所受应变与In组分近似为线性关系;在应变的影响下材料带隙变大,价带能级产生分裂。利用合金组分的变化与InGaAs带隙的变化关系,可实现对材料带隙的调节,对器件的研究设计提供参考。  相似文献   

8.
本文由形变势理论研究了应变对超晶格(CdTe)n/(ZnTe)mГ点带边的影响计算了带偏移。在有效质量近似下,计算了对称的双量子阱中的亚带结构随阱宽与垒宽的变化规律及电子和空穴的几率密度分布。  相似文献   

9.
用半经验的紧束缚方法sp^3s^*计算了薄层应变超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n(001)的电子结构。给出了组份X为0.53的超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n的带隙值随层厚n的变化关系,以及超晶格(InxGa1-xAs)12/(GaAs)12的带隙值随组份X的变化关系。在得到超昌格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料GaAs和  相似文献   

10.
用线性Muffin-tin轨道(LMTO)能带计算方法对晶格匹配的超晶格系统(ZnS)n/(Si2)n(110)(n=2~5)进行超原胞自洽计算.在此基础上,用冻结势方法计算了该超晶格系统的价带带阶;用四面体方法计算了该系统的联合态密度.结果表明,该超晶格系统的价带带阶约1.5eV.还讨论了(ZnS)n/(Si2)n(110)超晶格系统的光学性质.  相似文献   

11.
12.
用改进的方势阱模型、半导体统计方法,研究了决定GaAs/Ga_(1-x)Al_xAS量子阱结构中能带不连续的参数Qe与热平衡费米能级的关系,Qe作为一个统计参数,不仅与组分x、阱宽L有关,还与温度有关,计算表明,对不同的x、L值,Qe的数值可在一个相当大的范围内变化,在同样组分下,阱宽越大,Qe越小;在同样阱宽下,组分越高,Qe越小,计算结果与一些实验结果符合得很好。  相似文献   

13.
提出ρ和(Ze—Z_h)耦合试探波函数,计算了 GaAs/Ga_(I-x)Al_xAs量子阱中基态激子的结合能随阱宽和阱深的变化关系,并对所得结果进行了讨论。  相似文献   

14.
计算了GaAs/Al_xGa_(1-x)As和In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y量子阱中激子的结合能,得到了结合能随阱宽和阱深的变化。结果表明,在这两类量子阱结构中激子结合能的变化规律有本质的不同。  相似文献   

15.
对于包含芯态的全电子势的LMTO-ASA能带计算方法,建议用一种虚晶近似的合金能带计算方法(LMTO-ASA-VCA),文中着重研究该方法的能带自洽迭代计算方案,在Al_xGa_(1-x)As合金能带计算中获得合理的虚晶近似的能带结构。  相似文献   

16.
在运用变形计算法计算了Ga1-xInxAs/GaInAsP/InP应变量子阱子能带结构的基础上,综合考虑了子能带耦合效应对价带子能带与跃迁矩阵元的作用及状态密度对增益线宽的影响,首次从理论上发现张应变量子阱中的TM模具有比压应变或无应变量子阱中的主模式TE模更为优异的增益特性。即增益系数更大,微分增益更高,线宽更窄。  相似文献   

17.
对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子对杂质库仑势的屏蔽影响 ,利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量 .对 Ga As/Alx Ga1-x As系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系 ,并讨论了有无屏蔽时的区别  相似文献   

18.
采用紧束缚方法计算了生长在CexSi1-x合金(001)面上的应变GaAs层的带间光跃迁振子强度,以及生长在Si(001)衬底上的应变超晶格(Si2)4/(GaAs)4的三次非线性光极化率.  相似文献   

19.
对以GaSb为衬底、外延生长的四元化合物Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y(组分在x=0.032,y=0.94到x=0.26,y=0.9范围内)进行了远红外反射谱、喇曼散射、光吸收和光致发光的测量。结果给出外延层晶格振动的性质及不同温度下(83K—300K)四元合金的能隙,并详细讨论了能隙随温度的变化。  相似文献   

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