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锁相环中低电流失配电荷泵的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种应用于低供电电压低相位噪声锁相环系统的低电流失配的电荷泵电路。仿真结果表明,输出电压0.4V~1.3V范围内。电荷泵上下电流失配小于1%,满足低供电电压锁相环系统对电荷泵的要求。电路采用中芯国际0.18μm标准数字工艺参数仿真。 相似文献
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【目的】随着电阻应变片制造工艺的提高,电阻应变片不仅在称量装置中应用广泛,在低功耗形变检测系统中也应能得到应用。由此研究了在低电压工作环境下电桥激励源对测试灵敏度的影响。【方法】整个测试系统在3.3V 的电压下工作,在实验中改变电桥的激励电压和激励电流,将电桥输出电压经高共模抑制比仪表放大器INA333放大后通过模数转换器ADS1118采集后显示。【结果】3V 激励电压提高到5V 激励电压时每克导致的输出电压变化幅度增加66.9%,激励电流每增加1m A,输出电压灵敏度增加0.16。【结论】激励电压和激励电流的增大有利于提高电桥输出电压,提高测试微小形变的灵敏度,降低后级数模转换电路要求。
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宋磊 《延安大学学报(自然科学版)》2012,31(4):38-40
采用有源功率因数校正整流控制芯片UCC28019构成电压外环和电流内环的双闭环控制,设计出了一种高功率因数校正(APFC)电源。系统采用MSP430F149单片机进行监控,完成输出电压的可调及相关测量参数显示功能,以及其它外围器件实现系统功率因数、输出电压、电流的实时测量、人机交互、输出过流保护等功能。 相似文献
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蔡敏;舒俊 《华南理工大学学报(自然科学版)》2008,36(9)
本文设计了一种低电压、低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压源。该电路基于工作在亚阈值区的MOS管,利用PTAT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比。SPICE仿真显示,在1V的电源电压下,输出基准电压为609mV,温度系数为72ppm/℃,静态工作电流仅为1.23μA。在1-5V的电源电压变化范围内,电压灵敏度为130μV/V,低频电源电压抑制比为74dB。该电路为全CMOS电路,不需要用到寄生PNP三极管,具有良好的CMOS工艺兼容性。 相似文献
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针对通信系统中,对所有客户线路的电压、电流、温度等数据进行实时多路采集监控,提出了一种基于双CPU结构的数据监控系统的设计方法以及硬件组成。讨论了系统主要芯片之间的连线方法以及软件流程。该系统已经成功应用在邮电系统48V通信线路监控。实践证明,双CPU设计方案不仅满足了系统高运算量、高实时性、抗干扰性要求,而且优化了软硬件设计。 相似文献
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《重庆师范大学学报(自然科学版)》2017,(6)
【目的】随着电阻应变片制造工艺的提高,电阻应变片不仅在称量装置中应用广泛,在低功耗形变检测系统中也应能得到应用。由此研究了在低电压工作环境下电桥激励源对测试灵敏度的影响。【方法】整个测试系统在3.3V的电压下工作,在实验中改变电桥的激励电压和激励电流,将电桥输出电压经高共模抑制比仪表放大器INA333放大后通过模数转换器ADS1118采集后显示。【结果】3V激励电压提高到5V激励电压时每克导致的输出电压变化幅度增加66.9%,激励电流每增加1mA,输出电压灵敏度增加0.16。【结论】激励电压和激励电流的增大有利于提高电桥输出电压,提高测试微小形变的灵敏度,降低后级数模转换电路要求。 相似文献
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高电源抑制比低压差线性稳压器(LDO)采用UMC 0.18μm标准CMOS工艺进行流片,电路中采用偏置电流提升技术、偏置复用等技术来降低LDO的功耗.为保证LDO的稳定性,电路采用密勒补偿技术增强系统的相位裕度.同时,采用前馈结构来提高在低静态电流时LDO的瞬态响应.输入电压为光电池所提供的2 V电压,输出电压为1.8 V,该稳压器的最大负载电流约为13 m A.当负载电流为2 m A时,电源抑制比约为-67d B,其带宽在6 k Hz左右.稳压器的静态电流约为32.2μA,芯片面积为320×224μm~2. 相似文献
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为解决现今市面上使用的电瓶车充电系统的充电电压与电瓶车型号不匹配而对电瓶车电容产生损害的问题,提出一种新型电瓶车充电系统。该充电系统使用NCP1654 作为核心控制芯片,采用开关直流升压电路( Boost: Boost Converter or Step-up Converter) 拓扑作为主电路,利用新型碳化硅半导体器件作为主开关器件,完成了电瓶车充电系统中交流转直流部分的设计制作。供电侧的交流电压从180 ~ 260 V 变化时,设备均可正常运行。此智能电瓶车充电系统输出两路直流电压42 V 和27 V,最大输出电流均为2 A,负载调整率为0. 1,输出噪声纹波电压峰-峰值小于1. 5 V。充电设备中有可靠的保护电路,可以防止启动时尖峰电压和浪涌电流对电路的冲击。考虑到电瓶车充电系统的用户体验感,选择触摸屏作为操作界面。此外,利用STM32 开发板检测输出电压电流,控制充电系统输出电压幅值。经测试,该电瓶车充电系统各项指标都达到了设计要求,可投入使用。 相似文献
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为满足标准P阱CMOS工艺要求 ,设计了一种新的电流求和型Bandgap电压基准电路 ,实现了相对于地的稳定电压输出 ,并且能提供多电压基准输出 .电路采用 0 6μmUMCP阱CMOS工艺验证 ,HSPICE模拟结果表明 :电路输出基准电压为 80 0mV ;在 - 40~ 85℃的温度变化范围内 ,电路温度系数仅为 1 4× 1 0 -6/℃ ;电源电压为 3 5V时 ,电路功耗低 ,消耗电流仅为 1 5 μA .该电路不需改变现有工艺 ,输出灵活 ,有望在多基准电压的低功耗系统中获得较广泛的应用 相似文献
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《吉林师范大学学报(自然科学版)》2016,(1)
本设计以STC12LE5201AD单片机作为闪光灯电源的控制核心.采用电流斩波电路将3 V输入电压升高给控制器供电.通过电阻反馈电流、单片机输出PWM、场效应管开关控制电路、电流恒流源控制等方式有效的恒定输出电流.实验表明,该变换器能将电池电能转化为恒流输出、同时实现连续和脉冲两种输出模式、电流档位的选择、输出电压限压保护和过载报警功能.系统输出相对误差小于2%,效率达到91.8%,能够满足恒流稳压电源的要求. 相似文献
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为实现具有超低功耗且稳定可靠的上电复位电压输出,提出了基于电平检测的具有零稳态电流的新型上电复位电路,该电路由电平检测电路、状态锁存电路和欠压检测电路组成,通过在上电复位之后切断电平检测电路的电源实现复位稳定后的零稳态电流,其输出复位电压的状态由状态锁存电路锁存.该电路采用0.18μm Bi-CMOS工艺设计,电源电压为1.8 V.Cadence Spectre的仿真结果表明,该电路在上电复位结束后的稳态仅有数纳安的漏电流,起拉电压和欠压检测电压受温度影响很小,因而适用于集成到超大规模片上系统(SoC)芯片中. 相似文献
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提出了输出电流精密可调的辐射定标电源的实现方法.以FPGA为系统控制核心,完成键盘输入和输出电流、电压显示,利用D/A芯片来控制输出电流的大小,并采用了数字、模拟反馈电路与最小二乘法相结合的方法来实现输出电流的精密控制.该恒流源的输出电流范围为4~2000mA,步进为0.5mA,能实时显示输出电流和电压值,输出电流与给定电流值的偏差范围为0.1%~0.25%,纹波电流小于0.2mA,输出电压范围在0~12V之间. 相似文献
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针对传统斜坡补偿的PWM变换器的电流输出能力会随着补偿电流的增加而下降的缺点,设计了一种用于峰值电流模式PWM变换器的斜坡补偿电路.通过改进系统箝位电路,使箝位电压能够随着补偿电流动态变化,从而保持系统的输出电流能力恒定,减小输出电压纹波.仿真采用CSMC 0.6 μm工艺,结果表明:在输入电压大于1 V、占空比大于50 %时,输出电压纹波在10 mV左右,大大提高了负载能力和系统稳定性. 相似文献
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设计了低温度系数、高电源抑制比BiCMOS带隙基准电压发生器电路.综合了带隙电压的双极型带隙基准电路和与电源电压无关的电流镜的优点.电流镜用作运放,它的输出作为驱动的同时还作为带隙基准电路的偏置电路.使用0.6μm双层多晶硅n-well BiCMOS工艺模型,利用Spectre工具对其仿真,结果显示当温度和电源电压变化范围分别为-45~85℃和4.5~5.5 V时,输出基准电压变化1 mV和0.6 mV;温度系数为16×10-6/℃;低频电源抑制比达到75 dB.电路在5 V电源电压下工作电流小于25μA.该电路适用于对精度要求高、温度系数低的锂离子电池充电器电路. 相似文献
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为了改进煤矿风机监测系统,设计了基于AT89C52的传感器智能转换单元。实时监测的数据采集与监视系统(集散系统)采用三级智能结构,两级树型智能通讯。智能转换单元(传感器)在分站轮询时,将经A/D处理后的数字信号通过调制解调器的通讯输出电路发给分站,解决了原来子系统中普通的变送器只能提供标准的(4~20mA或0-5V或1-5V)输出信号,而不能和改造后集散系统的分站相互通讯的问题。监测系统通过检测12个物理量,即:风硐的风速、负压,电机(风机)的轴温及轴瓦温度,电机的定子电压、电流,电机的转子电压、电流等,满足现场使用要求。 相似文献
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用于高速PLL的CMOS电荷泵电路 总被引:8,自引:0,他引:8
提出了一种应用于高速锁相环中的新型CMOS电荷泵电路.电荷泵核心部分为一带有参考电压电路的双管开关型电路,并对运放构成的反馈回路进行了改进,降低了电荷泵输出电压的抖动.电路采用chartered0.35μm 3.3 V CMOS工艺实现,模拟结果表明电流源输出电压在1~3V区间变化,其输出电流基本无变化,上下电流的失配率小于0.6%,具有很高的匹配性.在3.3V电源电压下,电荷泵输出电压的范围为0~3.1V,具有宽摆幅和低抖动(约0.2mV)等优点,能很好地满足高速锁相环的性能要求. 相似文献