一维声学极化子自陷判据的重新确立

从描述一维晶格振动的"简谐近似"描述出发,考虑电子-声学声子的库伦型相互作用,从源头推导得到了新的描述一维电子-声学声子耦合的哈密顿量。采用类Huybrechts变分法讨论了一维声学极化子自陷的可能性。结果表明:一维声学极化子由自由态向自陷态转变对应的临界电子-声子耦合常数随声子截止波矢的增大而减小;一维声学极化子自陷比二维和三维情况要容易。     

极性晶体中三维和二维声学极化子自陷的有效质量特征

运用Huybrechts方法研究了三维和二维声学极化子有效质量作为电子-声子耦合参量的函数的变化特征.对二维声学极化子的研究,采用了我们最近导出的电子-声学声子相互作用哈密顿量.结果表明:电子-声子耦合达到一定强度时声学极化子有效质量发生突变而使极化子自陷,声学极化子在二维系统中比三维条件下更容易自陷.     

二维声学极化子自陷判据的重新构建

从二维晶格振动的"简谐近似"的描述出发,考虑电子-声学声子的库伦型相互作用,从源头推导得到了新的描述二维电子-声学声子耦合的哈密顿量.采用类Huybrechts变分法讨论了二维声学极化子自陷的可能性.结果表明:二维声学极化子由自由态向自陷态转变对应的临界电子-声子耦合常数随声子截止波矢的增大而减小;二维声学极化子自陷比三维情况要容易.     

影响独立量子阱中声学极化子自陷转变的因素

利用Huybrechts变分法计算了独立量子阱中声学极化子基态能量及其数值导数随电子-声学声子耦合常数的变化关系,探讨了影响独立量子阱中声学极化子自陷的因素。得到了声学极化子自陷的判别标准随阱宽的增大而增大和CP值越小越有利于极化子发生自陷转变的结论。     

纳米线中声学极化子基态能量的求解

首先推导了纳米线中电子-声学声子相互作用的新哈密顿量,然后用Huybrechts变分法计算出了声学极化子的基态能量,并进一步讨论了纳米线中声学极化子自陷的判别标准.与前人研究成果对比发现,纳米线中声学极化子自陷的判别标准与一维声学极化子自陷的判别标准相当.     

压电晶体中表面极化子的性质

研究了压电晶体中表面极化子的性质．首先用微扰法导出了压电晶体中表面极化子的有效哈密顿量，有效质量以及电子-表面声学声子作用的有效势，进而用变分法计算了表面态能量．研究结果指出：表面极化子的自陷能、有效势和有效质量不仅与压电常数、质量密度、声速、声子的德拜波数有关，而且也与电子至表面的距离有关．随着电子远离晶体表面，有效势、有效质量逐渐减小．压电晶体中电子-声学声子作用诱生的有效势是库仑型的，它使电子的能级降低，形成表面态．     

石墨烯电子结构和声子谱的第一性原理计算研究

基于密度泛函理论和密度泛函微扰理论框架,采用模守恒赝势和局域密度泛函近似,计算石墨烯的电子结构和声子谱.发现石墨烯是一带隙为零的半导体,在Dirac点附近的态密度来源于C原子pz轨道;掺杂后第一布里渊区的费米面由位于Dirac点处的点变为围绕Dirac点的弧形,与角分辨光电子谱实验所得到的掺杂情况下的费米面相符.声子谱计算结果表明,石墨烯布里渊区中心的声子谱有三个光学支和三个声学支,计算得到的具有拉曼活性的声子频率与拉曼光谱实验结果相近.     

量子点量子阱结构中极化子效应对斯塔克能移的影响(英文)

采用变分法研究了量子点量子阱结构中极化子效应对斯塔克能移的影响.计算中考虑了电子与体纵光学声子和表面光学声子的相互作用.以CdS/HgS量子点量子阱结构为例进行数值计算,发现极化子基态能量随量子点半径的增加而单调增加,随电场强度的增加而单调减少.电子-声子相互作用增强了斯塔克能移.极化子自陷能随量子点半径及电场强度的增加而增加.量子点量子阱结构的尺寸对极化子斯塔克能移有显著影响.     

对称量子阱中电子─界面声子相互作用对极化子性质的影响

采用Ｈａｇａ方法，对量子阱中极化子的有效质量和自陷能进行了研究。考虑到量子阱中电子波函数的束缚和界面声子的影响，计算了不同支声子与电子相互作用对自陷能的贡献，讨论了极化子的有效质量和自陷能随量子阱宽度的变化关系，进一步说明了量子阱的尺度和界面声子的重要性。     

对称量子阱中电子—界面声子相互作用对极化子性质的…

采用Ｈａｇａ方法，对量子阱中极化子的有效质量和自陷能进行了研究。考虑到量子阱中电子波函数的束缚和界面声子的影响，计算了不同支声子与电子相互作用对自陷能的贡献，讨论了极化子的有效质量和自陷能随量子阱宽度的变化关系，进一步说明了量子阱的尺度和界面声子的重要性。     

论平板晶体中声学极化子自陷转变的可能性

本文采用类Huybrechts变分法讨论了声学极化子在平板晶体,这种实际存在的准二维结构中自陷的可能性.并得到结论:声学极化子在Ⅲ-Ⅴ族化合物和大多数卤碱化物的平板结构中自陷的可能性很小;但空穴极化子在某些Ⅲ-Ⅴ族化合物,如GaN和AlN的平板结构中能够自陷.     

二维晶体中的声激子

本文采用Huybrechts研究极化子提出的线性组合算符方法,讨论了晶体中表面激子和表面声学声子的相互作用,导出了强、弱耦合下表面激子的有效哈密顿量。发现自陷能与电子和空穴的质量比和瑞利波速有关。     

二维晶体中的声激子

本文采用Huybrechts研究极化子提出的线性组合算符方法,讨论了晶体中表面激子和表面声学声子的相互作用,导出了强、弱耦合下表面激子的有效哈密顿量。发现自陷能与电子和空穴的质量比和瑞利波速有关。     

GaAs晶体膜中弱耦合极化子的自陷能

本文采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法,研究了极性晶体膜内电子－声子弱耦合系统的基态能量,得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能,对ＧａＡｓ晶体计算了不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献。     

GaAs晶体膜中弱耦合极化子的自陷能

本文采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法，研究了极性晶体膜内电子－声子弱耦合的基态能量，得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能，对ＧａＡｓ晶体计算了不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献。     

极性膜中弱耦合极化子自陷能的温度依赖性的研究

采用Huybrechts线性组合算符法和变分法，研究了极性膜中电子与LO声子和SO声子均为弱耦合极化子自陷能的温度依赖性。     

声学形变势表面极化子的性质研究进展

综述了近年来对声学形变势表面极化子的性质方面的部分工作。在第一节中从表面电子—表面光学(SO)声子和电子—表面声学(SA)声子系的哈密顿量出发，用线性组合算符和么正变换法研究与S0和SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、有效相互作用势和有效质量的性质。在第二节中研究了与S0声子耦合强与SA声子耦合弱的声学形变势表面极化子的振动频率，诱生势和有效质量的性质。在第三节中研究了与S0声子强耦合与SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、振动频率和有效质量的温度效应。在第四节中计算了与SO声子耦合强与SA声子耦合弱的声学形变势表面极化子的声子平均数随坐标Z、振动频率λ和η的变化规律。在第五节中采用微扰法研究了声子之间相互作用对与SO声子强耦合与SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、诱生势和有效质量的影响。     

半无限晶体中的表面电子

电子在半无限晶体内表面附近运动时,不仅受表面光学声子和体纵光学声子的影响,而且还受表面声学声子的影响,本文同时考虑体纵光学声子、表面光学声子以及表面声学声子对电子的影响,讨论了在半无限晶体中电子的性质,得到了表面电子的有效哈密顿量、镜像势和自陷能的解析表达式。     

极性晶体中极化子的性质

本文研究极性晶体中极化子的性质，采用微扰法导出了极性晶体中极化子的基态能量和有效质量。在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时，讨论对极化子性质的影响，结果表明．反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用对极化子自陷能的影响随耦合常数的增加而增大。     

极性晶体膜中的束缚极化子

采用格林函数法,讨论了极性晶体膜中电子与LO声子耦合的电子-声子相互作用系统的自能.得出了极化子自能及束缚势随膜厚变化的规律.对KCl材料进行数值计算的结果表明,束缚势影响自陷能的变化.