高亮度InGaAIP DH LED结构设计的研究

ＩｎＧａＡｌＰ双异质结ＬＥＤ结构设计的目的在于减少器件的光,电,热损耗。本文分析各层成分,层厚度,掺杂浓度以及有关的辅助技术,例如厚电流扩展层,电流隔离层,布拉格反射层,金属电镀反射层,透明衬底等对ＬＥＤ性能的影响,提出一个性能优良的高亮度ＬＥＤ应具有的结构模式。     

高亮度LED综述

高亮度LED灯以寿命长、可靠耐用、抗震性好、高效低耗、点亮速度快、体积小、重量轻等优点得到广泛的应用,本文介绍了LED的发展历史及其特点,以及与高亮度LED灯驱动电路设计方法及存在问题,并展望了LED发展未来。     

用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度

针对半导体发光二极管 (LED)出光效率低下的问题 ,提出了一个在LED顶部引入周期性微结构的新设想。根据这一设想 ,采用简单的微加工技术研制成功带有环形槽微结构的圆台形InGaAlP量子阱LED。结果表明 ,这种新型LED在竖直方向的出射光强比不带微结构的LED有明显增强。这一成功为改进发光二极管的出光效率提供了新的途径     

LP-MOCVD生长InGaAlP外延层中In并入效率的研究

分析了In原子在InGaAlP外延生长表面的扩散、并及及脱附过程，给出了In并入外延层的效率表达式，依据该表达式，解释了生长速率、生长温度及生长压力等生长参数对LP－MOCVD生长InGaAlP外延层中In组分的影响。     

涡轮MOCVD制作突变异质结和量子阱的气路压强分布的研究

在用ＭＯＣＶ技术外延生长多层结构时，原材料的切换过程对生长界面的影响用高速氢气流冲洗管路，设计合理的压强配置而得到控制，获得了晶格区配好而且介面过度层薄的突变异质结界面。给出了发黄光量子阱结构的气压与流量配置。     

镓铝铟磷异质结发光材料的设计

利用经验公式来计算能带和晶格常数,并用来进行发光材料异质结构的设计,方法简单,直观,在试制和生产中将会有重要的应用．     

半导体激光器的发展及其应用

本文对半导体激光器的工作原理、发展历史和应用前景作一简略的介绍     

半导体异质结的发展及其性质的讨论

本文介绍了有关半导体异质结的技术及其研究进展,首先简要介绍了异质结器件的历史发展过程,其次以典型的GaAlAs双异质结LED中的异质结结构为例,介绍了异质结的主要物理性质,最终以异质结新技术为出发点,展望异质结技术发展的新方向。     

高精度三维测头结构设计研究

论述0．1um精度三维互感式测头的设计原则和设计的初始依据，对结构的方法，结构尺寸的选择，主要技术参数的确定，零部件公差的制定以及影响测头精度的主要因素等方面进行了理论分析和计算，同时给出了该测头的检定数据，证明与理论计算相一致。     

双室双风机大容量斜壁型窑的设计

在首先设计的双室双风机斜壁型窑中,用计算方法确定窑壁斜度,突破了单列材堆的常规宽度,增加了材堆高度,扩大了窑的容量,使用后效果良好,为以后大容量斜壁型窑的设计提供了一定的理论依据和试验基础。     

一,二重混合检查法：大批中剔出缺陷个体的方法

提出了求无需混合的确界的方法,首次提出了比一重混合更节约检查的加倍混合(二重混合)检查方法。按上下界点制作了检察表,对多重混合量平均检查公式提出了一个猜测。     

双杆共轴超高压液压剪的平衡计算和优化设计

通过对液压力的平衡分析和对液压剪结构的优化设计，研制了一种轻型液压剪。与现在批量生产的机型相比，在液压力相近和剪切能力相同的情况下，其重量降低了２５．７％。     

双间隙加速管设计中几个问题的研究

对加速管的放电或击穿与绝缘环，电极材料，极间距离和真空度等因素的关系进行了分析，为加速管的设计提供了依据。以此研制的加速算运行正常。     

关于二元函数样本定理

讨论了二元函数的二重傅里叶级数绝对一致收敛的充分条件,并由此证明了一个二元的Ｓｈａｎｎｏｎ－Ｗｈｉｔｔａｋｅｒ型样本定理。     

LED汽车大灯光源设计方案探讨

针对汽车LED光源存在的固有耐温性能差等问题,根据汽车大灯的实际工况,阐明了汽车大灯LED光源设计的一般要求。通过对一单芯XlampLED在汽车大灯设计中应用案例的分析,就LED光源的安全措施,提出了二光源模板分散发热体布局和循环散热的解决方案。同时,设计了汽车大灯的LED光源模块应用电路,改进了LED汽车大灯的转向偏光机构等辅助功能。方案为实现汽车大灯的机电一体化和智能化控制,以及为汽车大灯的开发府用提供了一个新的思路。     

智能化仪器监控程序的结构设计

本文详细讨论了智能化仪器监控程序的几个主要环节，并在分析和比较的基础上首次提出了一种适合于智能化仪器监控程序设计的有效方法──状态跟踪法．