CVDSnO2薄膜吸附的XPS研究

利用ＸＰＳ方法，分析四种由不同ＣＶＤ温度（２５０～５５０℃）淀积在ｎ－Ｓｉ衬底上形成异质结的ＳｎＯ２透明多晶薄膜的表面。定性和半定量分析表明，表面存在三种氧物种，在加热吸附Ｈ２前后，相对含量发生变化，变化大小与制备温度有关，根据实验结果和分析，研究薄膜Ｈ２吸附机理，讨论ＳｎＯ２薄膜的气敏与ＳｎＯ２／ｎ－Ｓｉ异质结光伏的关系以及制备温度对薄膜吸附反应性能的影响。     

流态化化学气相淀积制备Al_2O_3－SnO_2复合粒子的研究

利用流态化化学气相淀积（ＣＶＤ）制备Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＳｎＯ＿２复合粒子。探讨了ＳｎＯ＿２在Ａｌ＿２Ｏ＿３超细颗粒上的包敷状态，考察了反应温度、反应物进料浓度比、反应时间等对反应结果的影响。结果表明，ＳｎＯ＿２在复合粒子团聚体体相中呈均匀分布，形成Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＳｎＯ＿２复合粒子，ＳｎＯ＿２均匀淀积在Ａｌ＿２Ｏ＿３超细颗粒原生粒子表面，流态化ＣＶＤ包敷效果优于非流化过程；随反应时间的延长，产物中ＳｎＯ＿２含量线性递增；而当反应温度高于３００℃，反应物Ｈ＿２Ｏ和ＳｎＣｌ＿４配比大于４：１时，ＳｎＯ＿２含量基本保持不变。     

SnO2薄膜的喷涂法制备

采用ＳｎＣｌ４ 水解溶液,用喷涂、退火的方法制备ＳｎＯ２ 薄膜,并研究了ＳｎＯ２ 薄膜的电特性和掺杂浓度的关系     

等离子体反应溅射生成SnO_2气体传感器薄膜的研究

利用低温空气等离子体反应溅射技术淀积ＳｎＯ_２薄膜，研究了ＳｎＯ_２薄膜气敏元件对几种 可燃性气体的气敏效应及其性能；通过掺杂提高了元件的选择性，并对反应溅射机理和气敏机理 作了一些探讨．     

准分子激光诱导CVD淀积低电阻率SnO_2薄膜

采用准分子激光诱导ＣＶＤ淀积ＳｎＯ＿２透明导电薄膜，并在其生长过程中进行掺杂Ｓｂ的实验，研究了薄膜生长速率及薄膜电阻率与激光能量密度的关系，得到了电阻率为１．４９×１０￣（－３）Ω·ｃｍ的高质量的ＳｎＯ＿２薄膜。     

液态源掺杂对SnO2薄膜特性影响

在单晶硅片上生长ＳｉＯ２绝缘层，再用蒸发的方法在ＳｉＯ２层上淀积超微粒ＳｎＯ２薄膜．采用液态源扩散方法对ＳｎＯ２薄膜进行掺杂．实验表明，采用此法掺杂可精确控制掺杂浓度，此法工艺简便。可靠，使掺杂和热处理一次完成，掺杂后的薄膜气敏特性得到较大的改善．     

流态化化学气相淀积制备Al2O3—SnO2复合粒子的研究

利用流态化化学气相淀积（ＣＶＤ）制备Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２复合粒子。探讨了ＳｎＯ２在Ａｌ２Ｏ３超细颗粒上的包敷状态，考察了反应温度，反应物进料逍度比，反应时间等对反应结果的影响。结果表明，ＳｎＯ２在复合粒子团聚体体相中呈均匀分布，形成Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２复合粒子，ＳｎＯ２均匀淀积在Ａｌ２Ｏ３超细颗粒原生粒子表面，流态化ＣＶＤ包敷效果优于非流化过程，随反应时间的延长，产物中ＳｎＯ２含量线性递增；而当反     

Zn_2SiO_4:Mn纳米微晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其光致发光性质研究

以硝酸锌，硝酸锰，正硅酸乙酯，无水乙醇为主要原料，用溶胶－凝胶提拉法制备了Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ薄膜．并利用ＸＲＤ、ＳＥＭ、荧光分光光度计和多频荧光寿命仪等对薄膜进行了分析．结果表明，采用上述先驱物通过溶胶－凝胶过程可获得均匀致密的薄膜．在空气中干燥后于适当温度下热处理可得到纳米微晶Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ薄膜．其荧光寿命从常规粉末材料的的ｍｓ量级缩短至ｎｓ量级     

SnO2薄膜的激光化学雾状沉积

把ＣＯ２激光聚焦在玻璃基底上的小区域内，热解ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ来实现ＳｎＯ２薄膜的沉积。用Ｘ－Ｙ扫描获得了选择性薄膜图形。薄膜的电阻率约为１×１０（－２）Ω·ｍ，可见光谱区透射率为７５％～８０％．用Ｘ射线衍射对膜层进行了物相分析，判定ＳｎＯ２薄膜基本为多晶结构，其最优方向为（１１０）。此外，还用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌。     

MOPECVD法制备超微颗粒SnO2薄膜

以ＳｎＣｌ４液体为锡源用ＭＯＰＥＣＶＤＥ方法制备出了ＳｎＯ２薄膜,用Ｘ射线衍射仪和透射电镜（ＴＥＭ）分析了薄膜的晶体结构和ＳｎＯ２晶体的颗粒度,优化出制备超微颗粒ＳｎＯ２薄膜的最佳工艺,并给出此膜蒸发上电极,制成ＳｎＯ２气敏器件,测量其对乙醇的气敏特性,实验证明减小ＳｎＯ２晶体的粒度可以改进元件的气敏特性。     

用Sol-Gel法制备气敏传感器SnO2薄膜的研究

采用无机试剂（ＳｎＣｌ４．５Ｈ２Ｏ）为原料,用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法制备研制气敏传感的ＳｎＯ２薄膜,研究了ＳｎＯ２薄膜的电阻随掺杂和温度的变化关系,并且用ＸＲＤ对ＳｎＯ２薄膜进行分析,结果表明,掺杂和热处理温度对薄膜晶粒尺寸的大小、薄膜的结构形态均有较大的影响,进而影响薄膜的电导及传感器的灵敏度。     

均匀纺锤形α—FeOOH微晶制备过程

在过程分析的基础上，以Ｎａ２ＣＯ３作为沉淀剂，在ＦｅＳＯ４溶液中形成Ｆｅ（ＯＨ）２－ＦｅＣＯ３沉淀，通入空气氧化制备了均匀纺锤形α－ＦｅＯＯＨ微晶。研究了碱比、通气量、温度、浓度、搅拌转速以及加料方式等对制备过程以及纺缍形铁黄形态的影响规律，并制备出粒度为０．２μｍ，轴比为３～４，均匀、无枝杈的纺锤形α－ＦｅＯＯＨ粒子。实验验证了该过程为传质控制。     

用RF—PECVD制备的SnO2薄膜光电性质及化学成分

利用ＸＰＳ研究了ＲＦ－ＰＥＣＶＤ制备ＳｎＯ２薄膜的化学计量配比，测试了ＳｎＯ２薄膜的光学和电加热特性。结果表明：具有导电性能的ＳｎＯ２薄膜是一种非理想化学计量配比的氧化物半导体薄膜材料，薄膜还具有较高的可见光透过率和较好的电加热性能。     

流态化CVD制备超细Al_2O_3－SnO_2复合粒子过程模型研究

基于流态化ＣＶＤ制备超细复合粒子过程中的反应、成核、包敷、气流夹带，建立了流态化ＣＶＤ反应器中描述超细粒子的粒度、分布及成核包敷、成膜包敷的一维过程模型。针对ＳｎＣｌ＿４－Ｈ＿２Ｏ－Ｎ＿２体系包敷超细Ａｌ＿２Ｏ＿３粒子的过程，研究了反应器中ＳｎＯ＿２粒子的形成过程及操作参数对其在Ａｌ＿２Ｏ＿３粒子表面的淀积速率及形态的影响。结果表明，反应温度和ＳｎＣｌ＿４浓度升高，包敷速率加快，包敷形态变差；背景气氛粘度增大，包敷形态变优，包敷速率减小；操作气速增大，包敷速率加快，包敷形态变优。     

SnO_2·ZnO纳米微粒／硬脂酸交替L－B膜的制备及结构

采用胶体化学方法制备了ＳｎＯ_２．ＺｎＯ微粒的水溶胶和有机溶胶，实验结果表明，ＳｎＯ_２·ＺｎＯ胶体存在着明显的量子尺寸效应。应用Ｌ－Ｂ膜技术制备了ＳｎＯ_２·Ｚｎｏ纳米微粒／硬脂酸交替Ｌ－Ｂ膜，用原子力显微镜观察了ＳｎＯ_２·ＺｎＯ纳米微粒／硬脂酸交替Ｌ－Ｂ膜的形貌。通过加热除去硬脂酸后的ＳｎＯ_２·ＺｎＯ膜有好的气敏性及对酒精的选择性。     

SnO2：Sb薄膜型材料的气敏性研究

研究了用轴流式等离子体化学气相沉积制备的ＳｎＯ２：Ｓｂ掺杂薄膜的气敏效应。该薄膜对ＮＯ２气体有较好的气敏性，在常温下响应时间快，在１７０℃恢复时间可小于１５ｓ。灵敏度达６左右。还测定了ＳｎＯ２：Ｓｂ薄膜对ＣＯ，Ｈ２，酒精气体以及右油液化气的气敏效应，并对以上结果进行了分析。     

贵金属催化剂对锡酸锌气敏特性的影响￣①

采用均匀沉淀法合成了超微粒锡酸锌（Ｚｎ２ＳｎＯ４）气敏材料，利用浸渍法对Ｚｎ２ＳｎＯ４材料进行了掺杂，用ＸＲＤ和ＴＥＭ对其微结构进行了研究，实验结果表明，合成材料为均匀颗粒状，粒径小于０．１μｍ，该材料对可燃气体具有高的灵敏度，通过某些贵金属掺杂可提高Ｚｎ２ＳｎＯ４对Ｃ２Ｈ５ＯＨ气体的选择性，ＳｉＯ２的掺杂可大幅度提高Ｚｎ２ＳｎＯ４对氢气的灵敏度，Ｚｎ２ＳｎＯ４材料有可能在可燃气体、选择性酒敏元件上取得应用。     

SnO2.ZnO纳米微粒／硬脂酸交替L—B膜的制备及结构

采用胶体化学方法制备了ＳｎＯ２．ＺｎＯ微粒的水溶胶和有机溶胶，实验结果表明，ＳｎＯ２．ＺｎＯ胶体存在着明显的量子尺寸效应。应用Ｌ－Ｂ膜技术制备了ＳＮｏ２．ｚＮｏ纳为微粒／硬脂酸交替Ｌ－Ｂ膜，用原子国显微镜观察了ＳｎＯ２．ＺｎＯ纳米微粒／硬脂酸交替Ｌ－Ｂ膜的形貌。     

Zn2SiO4：Mn纳米微晶薄膜的溶胶—凝胶法制备及其光致…

以硝酸锌，硝酸锰，正硅酸乙酯，无水乙醇为主要原料，用溶胶－凝胶提拉法制备了Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ薄膜，并利用ＸＲＤ，ＳＥＭ，荧光分光光度计和多频荧光寿命仪等对薄膜进行了分析。结果表明，采用上述先驱动通过溶胶－凝胶过程可获得的均匀致密的薄膜。     

添加离子对 δ-FeOOH 相转化的影响

ＦｅＯＯＨ是制备磁记录材料的中间体,在一定条件下可相转化为α＿Ｆｅ２Ｏ３。本文研究了ＦｅＳＯ４、ＳｎＣｌ２、ＮｉＳＯ４等添加离子对δ＿ＦｅＯＯＨ在水热处理时相转化的影响,结果表明Ｆｅ（Ⅱ）和Ｓｎ（Ⅱ）离子对相转化反应具有催化作用。最后探讨了其影响机理,认为相转化是按溶解－结晶机理进行,在ＦｅＳＯ４、ＳｎＣｌ２存在下δ＿ＦｅＯＯＨ颗粒表面会发生局部的氧化－还原反应,从而促进其相转化。