ZnS:Mn纳米晶的微结构和发光性能

以Na2S·9H2O为硫源,柠檬酸为稳定剂,采用溶剂热法制备了ZnS:Mn纳米晶.通过X射线衍射谱.拉曼光谱和光致发光谱分别研究了ZnS:Mn纳米晶的微结构和发光性能.结果表明:所制备的ZnS:Mn纳米晶均具有立方结构,颗粒尺寸约为2～4nm.掺杂Mn2+替代Zn2+处在置换状态.光致发光谱测试表明纯ZnS纳米晶仅存在...     

ZnS:Mn纳米晶的微结构和发光性能

以Na2S·9H2O为硫源,柠檬酸为稳定剂,采用溶剂热法制备了ZnS:Mn纳米晶.通过X射线衍射谱.拉曼光谱和光致发光谱分别研究了ZnS:Mn纳米晶的微结构和发光性能.结果表明:所制备的ZnS:Mn纳米晶均具有立方结构,颗粒尺寸约为2～4nm.掺杂Mn2+替代Zn2+处在置换状态.光致发光谱测试表明纯ZnS纳米晶仅存在516cm-1的弱发射峰.随着Mn2+含量增加,在603cm-1处出现了一个强的Mn2+发光特征峰,该发射峰归因于4T1→6A1的锰离子跃迁.随着掺杂锰量的增加,该发射峰强度呈现非单调的变化,当Mn离子掺杂量为10%时,发射峰强度达到最大值.     

ZnS纳米球的水热法合成及其光催化性能

采用简单的一步水热法合成了立方闪锌矿结构的ZnS纳米球,直径在50～100nm．表面活性剂十二烷基磺酸钠作为模板,在ZnS纳米球的形成过程中发挥了重要的作用．采用扫描电子显微镜、透射电镜、X射线衍射对ZnS纳米球进行了表征,并测定其UV—vis光谱．通过降解甲基橙考察了ZnS纳米球的催化性能,并对ZnS纳米球可能的合成机理以及光催化机理进行了简单的推断．     

水热法制备ZnS:Mn纳米发光粉

采用水热法,以十六烷三甲基溴化氨(C16TAB)作为表面活性剂,在填充度为75%和温度180℃的条件下,制备了ZnS:Mn的纳米发光粉体.利用激发光谱、发射光谱和透射电子显微镜对其光学特性和形貌进行了研究.实验发现,与未进行表面修饰的ZnS:Mn纳米粒子相比,ZnS:Mn纳米颗粒发光亮度增加数倍,而且随着表面活性剂浓度的增加,ZnS:Mn发光强度显著增强.当质量比m(C16TAB):m(Zn)=1:5时,发光强度达到最大,粒径分布均匀,呈球形,平均粒度为50 nm.     

用化学合成法制备ZnS∶Mn纳米晶

本文报道了一种用化学合成法制备硫化锌掺锰纳米晶的方法．制成的两种纳米晶直径分别为３．０ｎｍ和３．６ｎｍ，紫外吸收峰分别在２６１ｎｍ和２７７ｎｍ，相对于体材料吸收带边的３４０ｎｍ有明显的蓝移．用３１０ｎｍ光激发的发射光谱峰值分别为５７９ｎｍ和５８２ｎｍ，表明锰已掺入ＺｎＳ纳米晶之中．     

磁控溅射法制备纳米级ZnS薄膜及其性能研究

用磁控溅射技术在玻璃衬底上获得了取向单一的纳米级ZnS薄膜. 研究了衬底温度对薄膜结构的影响. 得出400 ℃时沉积的薄膜结晶最好,为六方纤锌矿结构,在可见光范围内有较高的透过率,其光能隙为3.81 eV.     

快速均匀沉淀法制备纳米微粒ZnS

采用快速均匀沉淀法在水相体系中制备纳米微粒ZnS．快速均匀沉淀法是利用酸度、温度对反应物解离的影响,在一定条件下制得含有所需反应物的稳定前体溶液,通过迅速改变溶液的酸度、温度来促使颗粒大量生成,并借助表面活性剂防止颗粒团聚,从而获得均匀分散纳米颗粒,它具有均匀性较好、沉淀快速、冷却迅速的特点．以硫代乙酰胺（CH3CSNH2,简称TAA）和硝酸锌（Zn（NO3）2）为反应前驱体,用一定量的浓HNO3调节pH为1～2,用0.45μm的微孔膜过滤,恒温陈化一段时间成核后,将该起始溶液迅速倒入含有表面活性剂OP的冷氨水中（氨水预冷至0～2℃）,混合完毕后再继续轻微搅拌5min左右,浑浊一段时间,离心分离并用蒸馏水、乙醇等多次洗涤,得到无团聚、粒度分布窄、粒径为30～40nm的球形ZnS微粒．对纳米微粒ZnS进行了红外光谱、荧光光谱分析,结果表明该微粒无红外吸收,在激发波长为290nm时,荧光发射峰在350nm处;该法具有实验简单、操作方便、产率高、制得的纳米微粒粒径均一等特点．     

ZnS/PVP纳米纤维的制备及性质研究

通过静电纺丝的方法成功制备了ZnS/PVP纳米纤维。通过扫描电子显微镜可知,纤维的直径大约在400 nm,纤维中的无机物为立方ZnS晶体,从荧光光谱图中可以知道,发射峰的位置在415nm。     

半导体CdS/ZnS核壳结构纳米微粒的制备及光学特性

利用反胶团法合成CAS纳米微粒,并以ZnS对其进行表面修饰,得到具有CdS/ZnS包覆结构的纳米微粒,以紫外-可见吸收光谱(UV)证实了CdS/ZnS核壳结构的实现并表征其光学特征.透射电镜(TEM)表征其粒度和形貌,得到CAS/ZnS包覆结构粒径一般在2-3nm.通过陈化实验发现粒径随时间变化不大.     

ZnS/PVA纳米复合薄膜的制备及其非线性三光子吸收研究

采用原位复合的方法制备出厚度为20μm的聚乙烯醇(PVA)与ZnS纳米微粒复合的薄膜,利用透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)研究薄膜样品的微结构性能,证明已制备出立方晶相的针状ZnS纳米晶.用Z-扫描技术研究ZnS/PVA纳米复合薄膜的非线性光学性质,发现该薄膜对532 nm纳秒脉冲激光表现出较强的非线性吸收效应,而且非线性吸收强度随入射光强的增加而减少.该非线性吸收主要由纳米ZnS的三光子吸收引起,并伴随弱饱和吸收现象发生.     

ZnS微米球的制备和光学性质的研究

用超声的方法在水和正庚烷的微乳液中成功地合成了ZnS的微米球,并用XRD,TEM对微米球进行了表征.合成的产物为纯的多晶ZnS,微米球的直径约为2μm,为规则的球形,粒径分布窄,分散均匀,表面光滑.荧光光谱上ZnS微米球在456 nm处有一个发射主峰,在492 nm处有一个小峰.这两个发光峰报道不多.它对应于ZnS的缺陷发光.     

ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶的光学性质

用微乳液法合成了ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶,并通过X射线粉末衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、荧光光谱等手段对产物的结构、尺寸、形貌、荧光特性进行了表征。结果表明,ZnS：Tb纳米晶的粒径为3nm,ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶的粒径为5nm左右,这样就得出壳的厚度约为1nm。在ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶的发射光谱上可以观察到有5个发射峰为460、489、544、584和620nm,分别对应ZnS基质的发光和Tb^3＋离子的^5D4→^7F6、^5D4→^7F5、^5D4→^7F4、^5D4→^7F3跃迁。     

水热法合成ZnO微晶纳米片及其光致发光性质研究

以Zn金属片为源物,采用水热法合成了ZnO微晶纳米片,并用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电镜、高分辨透射电镜和选区电子衍射花样表征了所制备的ZnO纳米结构.利用HITACHIF F-7000荧光光度计测试了不同条件下制备的微晶纳米片的室温光致发光性质,探讨了不同反应温度、时间及添加剂浓度对产物形貌的影响.     

ZnS：Mn/PVP膜的合成及表征

采用聚乙烯吡咯烷酮（PVP）作为分散剂,乙醇和水作为溶剂,合成ZnS：Mn/PVP溶液,主要研究了ZnS：Mn/PVP溶液合成时,加热或不加热分别对膜的光致发光谱所产生的影响。实验结果表明,加热有助于Mn2＋在硫化锌基质中的掺杂。荧光光谱的发射峰在600nm附近,为锰的4T1→A61的跃迁发射峰,Mn2＋在ZnS中为分立发光中心。通过XRD测试发现,ZnS：Mn为立方晶型结构,平均尺寸10nm。通过荧光照片更直观地看到了ZnS：Mn/PVP的发光颜色,这种材料在光电材料方面有巨大的应用价值。     

水对BaTiO3纳米晶体形状及尺寸的影响

采用复合氢氧化物熔剂法(CHM),以BaCO3和TiO2为原料在200 ℃、48 h的生长条件下成功合成出立方相BaTiO3纳米晶体,研究了加入不同剂量去离子水对晶体生长的影响.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对产物的晶相、形貌进行了分析.结果显示,获得的BaTiO3晶粒平均尺寸可从70 nm增加到400 nm,加水还可以将BaTiO3晶粒由立方形调节为近似球形.     

纳米铝酸钴的合成与表征

采用硬脂酸凝胶法合成了纳米晶铝酸钴,通过TG-DTA,XRD和TEM对其进行了分析.研究结果表明:经煅烧处理得到的纳米晶铝酸钴粒径为17～33 nm、分布均匀、呈尖晶石结构;纳米晶的粒径随煅烧温度的升高而增大,其颜色随煅烧温度的变化而变化.该工艺比传统的方法煅烧温度降低了400～500 ℃.     

过渡金属M(V,Cr,Mn)掺杂ZnS的电子结构和光学性质

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对ZnS和掺杂过渡金属V,Cr,Mn的ZnS超晶胞结构进行结构优化,计算了掺杂前后的电子结构和光学性质,对结果进行了比较分析.结果表明:掺杂系统在费米能级附近出现了不对称的现象,这部分的态密度主要由过渡金属的3d态贡献;ZnS和掺杂过渡金属V,Cr,Mn的ZnS系统的光学性质在低能区域有较大的差异,与ZnS相比,掺杂系统的吸收边发生红移.     

双六棱锥状氧化锌的水热制备及其光致发光性能

采用表面活性剂TEA辅助水热法合成了双六棱锥状ZnO微晶.XRD物相分析表明产物为结晶良好、沿[001]方向生长的六方纤锌矿结构ZnO.FESEM和TEM形貌分析表明该ZnO微晶为长轴4μm、短轴1.2μm左右的双六棱锥.其光致发光光谱由紫外发射峰(391 nm处)和绿光发射带组成(中心为570 nm处).在400℃下退火1 h后,可显著增强其光致发光性能.     

Cu+对 ZnS:Cu电致发光材料光致发光光谱的影响

以ZnS为基质材料,在其中掺入Cu+,使其质量比分别为0.05%,0.10%,0.15%,0.20%,0.25%,制得5个不同的ZnS:Cu电致发光材料样品.通过对样品材料光致发光光谱的分析和电致发光亮度的测量,发现随着Cu+含量的增加,样品材料的光致发光光谱波长由480 nm逐渐变为520 nm,即由蓝色变为绿色.当Cu+的质量比高于0.15%,虽然发光中心数目增加,但光致发光光谱的强度降低,电致发光亮度减弱.得出结论:Cu+与ZnS的质量比为0.15%时,ZnS:Cu电致发光材料的光致发光光谱峰值最大,电致发光亮度最高.