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折射率是体现媒质光学性质的一个重要参数,当光在导电媒质中传播时常用光的折射率公式不再适用,基于公式应用的局限性,推导了光在均匀导电媒质中的折射率公式,并对其进行了讨论。 相似文献
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通过公式推导以及范例分析了恒流条件下导线内部及表面上的电场与电荷分布情况,同时计算与估算了一下电场与电荷密度的数量级。给出一个清晰的认识。 相似文献
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论述了在均匀稳定磁场中低速运动的导体上电荷分布的情况，得出了求解这种分布的一种方法，并讨论了几种形状导体上的电荷分布。 相似文献
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王保祥 《山西师范大学学报：自然科学版》2006,20(1):57-59,75
本文运用欧姆定律的微分形式及高斯定理，讨论了稳恒电流情况下非均匀导体内部的电荷分布规律，并应用此规律分析一些实际问题． 相似文献
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谢勇 《云南民族大学学报(自然科学版)》2012,21(6):442-445
利用代数解法分解均匀电场中谐振子的能量本征方程,并利用升降算符的递推关系确定均匀电场中谐振子坐标与动量的不确定度. 相似文献
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刘玉清 《信阳师范学院学报(自然科学版)》2002,15(3):287-290
从缓慢运动 (υ c)介质的麦克斯韦方程组出发 ,直接导出中性导体在均匀磁场中轴对称旋转时 ,电荷分布的相关公式 ,并用求解泊松方程和拉普拉斯方程验证了这些公式的正确性 ,且具有普遍性意义 相似文献
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彭波 《辽宁师专学报(自然科学版)》2009,11(2):22-23
从“场”的观点出发，通过对“场”、“路”关系的定性分析，定量地由场方程推出路方程，从而阐明场论与路论在物理和数学上的密切关系，论证电场与电路的统一性，解决《电磁学》中“场”、“路”脱节的偏向. 相似文献
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采用量子化学半经验ＣＮＤＯ／２方法，以聚烷基磺酸盐吡咯为例，对自掺杂导电高分子中取代基在掺杂导电机理中的贡献进行考察，指出的不同烷基链长度和磺酸基团引起主链电荷分布变化的规律，为实验研究提供必要的信息。 相似文献
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该文利用辛普生算法数值求解场强迭加积分和利用有限差分算法数值求解二维泊松方程 ,求解等离子体截面上由于空间电荷分布所产生的电场 ,并对径向电场的分布情况进行研究 .通过有限差分算法的比较 ,表明数值求解场强迭加积分的可靠性 .在复杂区域的场强计算中 ,场强迭加法具有很大的优越性 相似文献
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碳纳米管表面电荷电分布及尖端电场研究 总被引：5，自引：0，他引：5
碳纳米管具有一些特殊的物理性质，其中潜藏着重要的技术价值。从理论上具体研究了金属型碳纳米管周围的电势分布、纳米管表面电荷分布及其尖端附近的电场强度等静电特性，结果显示长径比小的碳纳米管尖端处所集聚电荷密度的相对值大，而长径比大的碳纳米管尖端处所集聚电荷密度的绝对值大，并且碳纳米管的尖端电场强度有很大的加强。这对理论上进一步探索碳纳米管的场发射机制有积极意义。 相似文献
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椭圆形线电荷的轴向电场分布 总被引：2，自引：0，他引：2
韩振海 《甘肃联合大学学报(自然科学版)》2005,19(1):25-26
通过坐标变换求出了椭圆形线电荷的轴向场强及电位分布规律，并对结果进行了分析讨论。 相似文献
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１１０ＫＶ变电所隔离开关（线路侧）的带电状况，可以通过测量隔离开关（线路侧）附近电场强度及其为判定，根据此原理，设计了“电显示装置”，用等效电荷法对１１０ＫＶ变电所一种典型布置，多种情况下隔离开关（线路侧）附近的电场分布进行计算，证明了这一设计思想的正确性，并将其结果作为确定“电显示装置”探头位置、数量及开关值的主要依据。 相似文献
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本文根据叠加原理,求出了均匀带电球面在空间任一点产生的场强,并指出带电导体表面的电场强度有跃变。 相似文献
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通过点电荷电场中接地导体球面上的电荷分布,对两种绘制一维点电荷系电场线方法进行比较,指出各自的优势和不足. 相似文献
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分析了半导体表面空间电荷层对深亚微米、纳米尺度下半导体微结构间电场的影响，并同宏观尺寸下采用的金属极板公式进行了比较．结果表明：当半导体微结构间距离在１ μｍ 以上时，可以忽略半导体表面空间电荷层对微结构间电场的影响；当半导体微结构间距离缩小到亚微米和数十纳米量级时，空间电荷层对微结构间电场分布的影响逐渐增大，此时分析电场一般不能利用金属极板公式．微结构间电场同金属极板近似公式间的相对误差与半导体材料的介电常数、掺杂浓度等因素有关． 相似文献
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根据场方程和相应的边界条件,建立了边值问题,利用数学物理方法中的拉普拉斯变换和贝塞耳函数得到了边值问题的解,最后求解了有限长均质圆柱体内的电场和电势,其结果与理想情形l(?)R下完全一致。 相似文献