基于Alq2（DBM）的白色有机电致发光器件

利用新型铝配合物Alq2(DBM)制备了非掺杂型的双层有机电致白光器件,其结构为ITO/NPB(44 nm)/Alq2(DBM)(66 nm)/LiF(0.8 nm)/Al(100 nm).该器件6 V电压下启亮,在11 V时实现了白光发射,色坐标为(0.32,0.38).器件的最大发光亮度达到468 cd/m2,对应的电流密度为311 mA/cm2.     

利用双发光层结构提高N-BDAVBi掺杂器件的效率

制备了基于N-BDAVBi的高效率双发光层蓝色有机电致发光器件(OLED),器件中将蓝色荧光染料NBDAVBi作为客体发光材料分别掺入主体材料TCTA和TPBi中,器件结构为ITO/m-MTDATA(40 nm)/NPB(10nm)/TCTA:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi(30 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(150 nm),最大电流效率达到8.44 cd/A,CIE色坐标为(0.176,0.314),并且在12 V的电压下,亮度最大达到11 860 cd/m2,分别是单发光层结构器件的1.85倍和1.2倍.器件性能提高主要归因于双发光层扩大了载流子复合区域,主客体间的Forster能量转移.     

Alq3有机发光器件的研制及寿命研究

以铟锡氧化物 (ITO)为透明电极 ,8 羟基喹啉铝 (Alq3)为发光层 ,研制成ITO/Alq3/Al结构有机电致发光器件 (OLED) .测量表明其载流子的注入满足隧穿理论 ,发光阈值电压～ 1 2V ,所发绿光在正常室内环境下清晰可见 .通过电流随时间的变化测量了器件的工作寿命 ,并对影响器件寿命的原因作了分析 .     

ZnO 空穴缓冲层对OLED 性能的影响

本文利用无机材料ZnO作为空穴缓冲层,制备了结构为ITO/ZnO/NPB/Alq3/Al的有机电致发光器件。用计算机控制的KEITHLEY2400-PR655系统测量器件的电压-电流-亮度特性。研究结果表明,当ZnO薄膜的厚度为2 nm时,器件的电流效率可达1.65 cd/A,最大亮度为3 449 cd/m2;而没有加入缓冲层的同类器件,最大亮度仅为869.7 cd/m2,最大电流效率为0.46 cd/A。由此可以看出,加入ZnO空穴缓冲层后,最大亮度提高3.97倍,最大电流效率提高3.59倍。分析认为适当厚度的ZnO薄膜降低了发光层空穴的浓度,提高了电子和空穴的复合率,从而降低了电流密度,提高了器件的电流效率,改善了器件性能。     

电容耦合氧等离子体处理ITO基片对OLED的影响

在不同条件下采用电容耦合氧等离子体处理用于有机电致发光(OLED)的ITO基片,使用接触电势法测量了基片表面功函数的改变.研究发现,氧等离子体处理可以有效地提高ITO表面的功函数.X射线光电子能谱的测量揭示了其本质:氧等离子体处理可以提高表面氧原子的含量,同时降低ITO表面锡/铟原子的比例,由此导致了ITO表面功函数的提高.高功函数的ITO可降低空穴由ITO向OLED空穴传输层中注入空穴的势垒,从而提高OLED器件的性能.进一步的基于联苯二胺衍生物NPB/8-羟基喹啉铝(Alq3)的标准器件的研究证明了这一点.研究同时发现,在相同的真空和氧压条件下,保持处理时间不变,随着射频激发功率的升高,ITO表面功函数会逐渐降低.这个功函数的降低,使得OLED器件的驱动电压升高且电流效率减小.因此使用电容耦合氧等离子体处理的ITO来制备OLED器件,需要在优化的条件下进行,以达最佳效果.在本实验系统下处理条件为射频功率100 W、时间25 s.     

ITO/TPD/Alq3/AI有机发光器件的制备及性能研究

研制了ITO/TPD/Alq3/Al结构有机发光器件(OLED),发光阈值6.5V,最大亮度达到4500cd/m2.着重分析了焦耳热对器件寿命、有机物稳定性、载流子的传输复合的影响.     

一种白色有机电致发光器件的发光和电学性能

以铟锡氧化物(ITO)玻璃基片为衬底,8-羟基喹啉锂(Liq)掺杂红荧烯(Rubrene)作为单一发光层,制备结构为ITO/PTV:TPD/Liq:Rubrene/Alq3/Al的白色有机电致发光器件(OLED),对4种不同掺杂浓度器件进行比较,分析了掺杂剂对器件发光亮度的影响,并对上述器件的发光和电学性能进行了研究和探讨.     

喷墨打印制备全氟化离聚物掺杂空穴注入层有机发光二极管阵列

为了提升印刷器件的性能,从印刷OLED显示像素制备的需求角度出发,采用喷墨打印工艺在像素坑中精准沉积含全氟化离子交联聚合物掺杂的空穴注入层PEDOT∶PSS∶PFI来提高空穴注入效率,而后在其上蒸镀其他功能层得到OLED像素阵列器件。与喷墨打印制备的PEDOT∶PSS空穴注入层器件对比发现,含全氟化离子交联聚合物掺杂空穴注入层的器件具有较好的发光均匀性,器件最大亮度达到4 325 cd/m²,最大电流效率达到5.5 cd/A。研究结果为多层印刷OLED显示器件的制备积累经验。     

荧光染料掺杂的高效率、高亮度黄色OLEDs

利用真空蒸镀的方法制备了结构为:ITO/m-MTDATA(20 nm)/NPB(15 nm)/DPAVBi:Rub(x nm,2%)/Alq3(25 nm)/Li F(0.5 nm)/Al(100 nm)的器件.研究了掺杂层的不同厚度(x=15,25和30 nm)对器件性能的影响.结果是当掺杂层的厚度为25 nm时,器件的性能最好.当电流密度为524.22 m A/cm2时,获得最大电流效率,为4.37 cd/A;获得最大亮度,为22 890 cd/m2.器件的高亮度与高效率主要是因为主客体之间的能量转移很充分.     

石墨烯薄层对有机电致发光器件性能的影响

为研究探讨石墨烯薄层对有机电致发光器件(OLEDs)性能的影响,制备了一组OLEDs,其基本结构为ITO/NPB(50 nm)/Alq3(80 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.分别采取不插入石墨烯薄层、将石墨烯薄层插入到NPB和ITO之间、插入到Alq3和LiF之间以及在NPB中掺杂石墨烯薄层的方式,制作了4组器件.研究结果表明:在NPB中掺杂石墨烯薄层的器件,在同等条件下性能最佳;当电压达到15 V时,器件电流效率达到最大值3.40 cd·A-1,与其他组器件最高效率相比增大1.46倍;同时,器件的亮度也达到最大值10 070 cd·m-2,比其他组器件最大亮度增大2.37倍.     

调整空穴注入层MeO-TAD厚度改善蓝色OLED的性能

主要介绍结构为MeO-TAD(xnm)/NPB(40nm)/DPVBi(30nm)/Alq(30nm)/LiF(0.5nm)/AL的蓝色有机电致发光器件,空穴注入层MeO-TAD的厚度x按照0nm、1.0nm、1.5nm、2.0nm变化,其它层保持不变.当x=2nm时,其器件性能最好,在15V时亮度达到最大,为5876cd/m2.器件的开启电压较低,在5V的驱动电压下亮度达到10.5cd/m2,器件在8V电压时电流效率达到最大,为3.22cd/A;且器件的色坐标稳定,在5V到13V的驱动电压下几乎不发生改变,稳定在x=0.17、y=0.18附近,属于很好的蓝光发射.     

双量子阱结构有机电致发光器件

报道了采用双量子阱结构制备的一种新型的黄光有机电致发光器件.器件结构为:ITO/CuPc/NPB/Alq3/Alq3:Rhodamine B/Alq3/Alq3:RhodamineB/AlqJLiq/Al,当Rhodamine的掺杂浓度为1.5wt%时,得到最大电流效率1.526cd/A,最大发光亮度为1300cd/m2的黄光有机电致发光器件.     

基于CBP掺杂DPIHQZn的有机电致黄光器件

采用锌金属配合物DPIHQZn((E)-2-(4-(4,5-diphenyl-1H-imidazol-2-yl)styryl)quinolin-Zinc),将其掺杂到CBP中作为黄光发射层,制备了黄色有机电致发光器件(OLED),器件结构:ITO/2T-NATA(20 nm)/CBP:x wt.%DPIHQZn(30 nm)/Alq3(40 nm)/LiF(0.5 nm)/Al,研究了4种不同掺杂浓度(x=5,10,15,20)对黄光器件性能的影响,利用黄光发射层中主体材料与客体材料之间能量转移特性,得到了性能较好的有机电致黄光器件.在相同条件下,当掺杂浓度为15%时,其性能在4组器件中达到最佳,在驱动电压为14 V时呈黄光发射,器件最大亮度达到4 261 cd/m2,最大电流效率为0.84 cd/A,器件的色坐标稳定.     

氯化钠作为阴极缓冲层的有机电致发光器件

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes,OLED)具有驱动电压低、亮度和电流效率高、响应时间快、易实现大面积柔性等突出优点,在显示和照明等领域有广阔的应用前景.但是,由于这种二极管价格高昂,严重影响了其市场化的步伐.本研究使用价格便宜的氯化钠(NaCl)薄膜作为OLED器件的阴极缓冲层,以ITO玻璃为衬底,制作了结构为ITO/NPB(60?nm)/Alq3(50?nm)/NaCl(xnm)/Al(100?nm)的器件,其中x=0,1.5,2.0,2.5,3.0,3.5?nm.通过分析器件亮度-电压-电流特性,详细研究了NaCl薄膜厚度变化对OLED性能的影响.在器件阴极和Alq3之间加入一层NaCl薄膜后,J-V特性曲线明显向左移动,器件的开启电压明显下降.并且,随着NaCl薄膜的厚度逐渐增加,在0–2.0?nm范围,器件的开启电压随着厚度的增加而明显降低.当NaCl薄膜的厚度为2.0?nm时,器件的开启电压最低.NaCl薄膜的厚度超过2.5?nm时,随着NaCl薄膜厚度的增加,器件的开启电压也缓慢增加.但是,即使NaCl薄膜的厚度增加到3.5?nm,器件的开启电压还是远低于没有插入NaCl薄膜器件的开启电压.当插入NaCl薄膜的厚度小于2.5?nm时,器件的电流效率远大于没有NaCl薄膜的器件.同时,结合载流子隧穿方程,深入分析了相关的物理机制.本研究为降低OLED生产成本开辟了一条新的途径.     

基于N-BDAVBi的非掺杂高效蓝色OLEDs

采用真空蒸镀方法,制备了以N-BDAVBi为发光层的高效率非掺杂蓝色有机电致发光器件,器件的结构为ITO/2T-NATA(40 nm)/NPB( 10 nm)/N-BDAVBi( (3+d) nm)/ADN(7 nm)/N-BDAVBi( (3+d) nm)/ADN (7 nm)/Alq3 (30 nm)/LiF(0....     

在空穴传输层中掺杂F4-TCNQ提高绿色有机电致发光器件性能

研究了在空穴传输层2T-NATA中掺杂不同浓度的p型氧化剂F4-TCNQ制备高性能的绿色有机电致发光器件(OLED).F4-TCNQ在空穴传输层2T-NATA中的掺杂浓度为8%(质量百分比)时(驱动电压为22V),其亮度达到4256cd/m~2,同时与未掺杂的器件相比,其最大发光效率由2.9cd/A增大到3.4 cd/A.分析结果表明,OLED性能的改善主要归因于:首先,掺杂F4-TCNQ使得器件做到了欧姆接触,使消耗在ITO/空穴传输层界面的电压达到最小;其次,掺杂F4-TCNQ提高了载流子形成激子的几率,最终使器件性能得到了很大程度的改善.     

基于蓝色热活化延迟荧光材料制作的用于固态照明的高效有机发光器件

文章讨论了采用真空热蒸镀的方法制备了适用于夜间照明的有机发光器件.器件选用热活化延迟荧光材料DPEPO作为发光层主体材料,热活化延迟荧光材料DMAC-DPS作为蓝光掺杂剂,PO-01作为橙光发射的磷光掺杂剂.器件结构为ITO/TCTA(20 nm)/DPEPO:x%DMAC-DPS:0.6%PO-01(15 nm)/TAZ(20 nm)/LiF(0.8 nm)/Al(100 nm).通过改变DMAC-DPS的掺杂浓度来研究器件性能的变化.实验结果表明:当x=20时,器件的最大电流效率可达26.19 cd/A,最大功率效率可达7.47 lm/W,最大亮度可达4 619 cd/m~2,器件的发光效率较高.     

有机电致发光辅助材料的研究进展

在多层有机电致发光(OLED)器件中,除了发光材料外,空穴注入与空穴传输材料(HIL/HTL)、电子注入与电子传输材料(EIL/ETL)以及空穴阻挡材料等辅助材料的使用对提高器件的性能也具有重要的作用。通过对近年来,OLED辅助材料研究工作的总结,论述了OLED辅助材料研究的进展情况.主要包括载流子传输材料、载流子注入材料和载流子阻挡材料的研究进展情况.对OLED辅助材料的开发与应用前景进行了展望.     

LiF用作阴极注入层的有机发光二极管制备

使用真空热蒸发方法,制备了结构为ITO/TPD/Alq3/LiF/Al的有机发光二极管,其中LiF用作阴极注入层,LiF超薄层的加入,增强了电子注入,降低了启亮电压,提高了器件的发光效率和亮度. 实验结果表明:当加入LiF层的厚度为0.5 nm时,器件性能的改善最好,和不含LiF的器件相比,启亮电压由原来的9 V降低到5 V,效率由1.5 cd/A增加到3.3 cd/A,提高了近1倍,然而随着加入LiF层厚度的增加,器件性能的改善效果降低.     

苯并噻唑取代咔唑衍生物的电致发光性能

设计并合成了两个苯并噻唑取代咔唑衍生物:3-苯并噻唑基-N-苯基咔唑(BPCz)和3-苯并噻唑基-N-萘基咔唑(BNCz).BPCz和BNCz固体薄膜光致发光光谱峰值分别位于418,426 nm.循环伏安法中测得二者的LUMO轨道能级分别为3.64,3.59 eV.以BPCz和BNCz为发光层制作了结构为ITO/NPB/BPCz or BNCz/TP-BI/Alq3/LiF/Al的器件,BPCz和BNCz器件的发光峰值分别为429,435 nm,14 V直流电压驱动时,BPCz和BNCz器件的发光亮度分别为918,1495 cd.m-2.当电流密度为20 mA.cm-2时,BPCz和BNCz器件的量子效率分别为0.73%,1.35%,电流效率分别为0.95,1.56 cd.A-1,流明效率分别为0.32,0.55 lm.W-1.