太阳能级硅片化学清洗技术进展

介绍了硅片表面污染物的种类、来源及形成机理,论述了太阳能级硅片传统的RCA清洗技术中各种清洗液的清洗原理和优缺点,同时对改进的RCA清洗、HF/O3和电化学清洗等新型湿化学清洗技术进行了阐述,指出了太阳能级硅片化学清洗技术的发展方向。     

半导体硅材料的清洗方法

半导体行业中的很重要的一道工序就是对半导体材料的清洗,这直接影响着半导体材料的质量及下游产品的性能。介绍了硅片表面污染的种类来源以及形成机理。对目前硅片主要清洗方法——RCA清洗法、超声清洗法、气相清洗法和其他清洗法的工作原理、清洗效果、适用范围等特点进行研究,分析了各种清洗方法的优缺点。最后,重点对半导体硅片传统的RCA清洗方法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限进行了详细介绍。生产企业可根据实际生产情况和产品要求选择合适的清洗方法。     

热处理单晶硅片中Fe玷污的深能级瞬态谱分析

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,对不同热处理条件下的单晶硅腐蚀片及抛光片进行了Fe玷污分析,系统研究了热处理前预清洗工艺和热处理工艺过程对硅片体内Fe玷污的影响。实验表明,热处理和热处理前预清洗是加工过程中对硅片体内Fe玷污有重大影响的工序,进而提出了有效降低硅片内Fe玷污的热处理控制方法。     

化学法清洗硅片过程中清除颗粒的机理(英文)

对化学法清洗硅片过程中消除颗粒的机理作了定量的探讨。颗粒的清除是由于化学蚀刻和颗粒与表面排斥力共同作用的结果。首次提出了最浅蚀刻深度和最小蚀刻速度的概念。最浅蚀刻深度可通过颗粒与表面间作用能的关系进行计算。是小蚀刻速度则可通过蚀刻侧形进行计算。研究结果对于优化化学法清洗过程和设计高性能清洗液都具有重要意义。     

机械手在硅片清洗机中的应用

硅片清洗机是太阳能行业中硅片制造环节的一种重要的自动化设备,它的主要作用是将多线切割机生产出来的多晶硅或者单晶硅片清洗干净并进行烘干,以达到进行最终硅片包装的目的。根据硅片清洗机的工艺流程和控制要求,分析了清洗机的机械手存在的缺陷,提出采用编码器代替限位开关的改造方案,并采用PLC、变频器完成了机械手的控制。     

激光清洗基片表面温度的有限元分析及讨论

采用有限元方法分析了激光清洗过程中基片表面的温度分布，研究了激光清洗过程中清洗阈值和损伤阈值存在的原因，推导出使用波长为３０８ｎｍ，脉宽为２８ｎｓ的准分子激光清洗硅片表面油脂的清洗阈值和损伤阈值，并进行了实验验证，其理论清洗阈值与实验结果是符合的     

小振幅兆声对硅片化学机械抛光效果的影响

为了改善硅片化学机械抛光效果,提高硅片表面质量,一小振幅兆声振子引入化学机械抛光系统,通过对比表面粗糙度大小和分布,发现该振子对改善硅片化学机械抛光效果有明显促进作用。测试表明:振子频率为1.7 MHz,中心最大振幅约为70 nm;硅片表面振动频率为1.7 MHz,中心最大振幅小于10 nm;该振子独立抛光时,未发现硅片表面粗糙度明显降低,但它能引起抛光液微流动,使储存在抛光垫窠室中更多的抛光液进入接触区参与抛光。无振动抛光时,硅片中心区域抛光液供给不足,造成该区抛光效果较差;兆声致微流动能有效缓解这种不足,改善硅片中心区域抛光效果,不仅如此,它还能有效降低其他区域的表面粗糙度。与无振动抛光的硅片相比,经过兆声辅助抛光的硅片,表面粗糙度更小,分布更均匀。     

单晶硅片化学机械抛光材料去除特性

根据化学机械抛光(CMP)过程中硅片表面材料的磨损行为,建立了硅片CMP时的材料去除率模型,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除率实验,得出了机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率.结果表明,磨粒的机械作用是化学机械抛光中的主要机械作用,磨粒的机械作用与抛光液的化学作用交互引起的材料去除率是主要的材料去除率.     

工程应用

环氧丙烷生产线的化学清洗,验证了多段微分化学清洗设计的优越性。开工前化肥装置清洗,汇集了物理清洗、化学清洗、加氧吹扫等诸多清洗手段,为复合清洗提供了实践验证。     

硫酸在硅抛光片清洗中的作用研究。

集成电路用硅片必须经严格清洗，微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除硅抛光片表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅抛光片表面。采用改进的RCA清洗工艺，通过调整预清洗工序流程，对免清洗硅抛光片进行清洗，主要解决免清洗片表面“腐蚀圈”问题，对其进行了分析。     

EDTA低温化学清洗在超超临界机组中的应用

介绍浙江国华浙能发电有限公司二期(2×1000 MW)#5机组化学清洗情况。此次清洗是国内首次在超超临界机组采用双氧水清洗+EDTA的低温化学清洗及钝化的新型工艺。通过扩大清洗系统,优化清洗工艺,提高了临时系统安全等级,确保了系统安全性、严密性;通过技术攻关,进一步提高了塔式锅炉化学清洗效果。该工艺具有加强了清洗系统安全性,减少排放污染,降低清洗温度,减少加热时间,提高化学清洗经济性从而达到节能目的等优点。     

硅片抛光的接触压强分布与宏观形貌创成机理

为了获得单晶硅片化学机械抛光过程中的接触压强分布及其对基片平面度的影响规律,从化学机械抛光的实际出发,建立了抛光过程的接触力学模型和数学模型.利用有限元方法对接触压强分布进行了计算和分析,并利用抛光实验对计算结果进行了验证;获得了化学机械抛光过程硅片与抛光垫之间的接触表面压强分布形态,以及抛光垫的物理参数对压强分布的影响规律,确定了接触压强分布形态和硅片平面度误差的关系.结果表明,接触压强的分布是不均匀的,而且在硅片外径邻域内接触压强最大,从而导致被加工硅片产生平面度误差和塌边现象.合理地选择抛光垫的弹性模量和泊松比,可以改善接触表面压强分布的均匀性,从而使硅片有效区域的平面度变得更好.     

抛光垫使用寿命对硅单晶片抛光质量影响的研究

化学机械抛光技术已经在超大规模集成电路制造中得到广泛应用,主要用于加工超光滑无损伤的硅单晶衬底和对晶片进行局部和全局平坦化。虽然在化学机械抛光技术中影响硅片抛光效果的因素有很多,但抛光垫是影响抛光效果的关键因素之一。研究了抛光垫使用时间和相应时间硅片的抛光效果之间的关系,指出可通过在抛光过程中控制抛光垫的使用时间,对抛光的工艺参数进行更好的调整。     

新型电子清洗工艺对半导体表面的清洗效果

报告了一种新型电子清洗工艺．该工艺采用了被命名为ＤＺ—１和ＤＺ—２的两种新型电子清洗剂分别与９５％体积的去离子水配制成清洗液，先后用超声波清洗．用高频Ｃ—Ｖ测试和原子吸收光谱分析研究了清洗效果．用该工艺清洗过的硅片生长的二氧化硅层中固定电荷密度在１０１０ｃｍ－２数量级；去重金属离子能力与常规ＣＭＯＳ／ＳＯＳ栅氧化工艺相当．新型清洗工艺具有操作简单、价格低廉、且无毒、无腐蚀和对人体无危害、对环境无污染的优点．     

张文利谈:怎样认识化学清洗

化学清洗作为一门新兴的技术,近年来得到了长足发展,但因其具有很强的技术专业性,其中内涵则不为常人所明了。许多人想了解化学清洗到底是一门怎样的技术?在工业领域中扮演一个怎样的角色?为此,本刊记者走访了北京化工大学化新技术公司化学清洗中心经理张文利先生。记者:在化工领域颇具影响的北京化工大学选择了执业化学清洗业,请问是基于怎样的考虑?张:科技成果尽快转化为商品,走科研、设计、施工相结合之路乃校办产业发展之必然。北京化工大学执业化学清洗,有其得天独厚的优越条件,首先是人才的优势。1983年我校即组建了腐蚀与防     

对锅炉盐酸清洗工艺相关问题分析

本文从锅炉酸洗的安全要求、清洗回路的设置、清洗前的准备工作、化学清洗步骤和注意事项、清洗过程的监督检测、清洗废液的排放、化学清洗过程中的安全措施、清洗质量检查评定等进行了具体的论述，并列举实例证明其清洗质量得到了保证。     

采用Sn中介层的覆Al薄膜硅片键合技术研究

研究采用Sn作为中间层键合覆盖Al薄膜的硅片。相对于Al-Al直接热压键合,该系统能提供低温、低压、快速的圆片级键合方案。采用直径为100 mm硅片,溅射一层500 nm厚度的Al层后,在N2气氛下进行450°C,30分钟退火,采用Ar等离子体清洗后,溅射一层500 nm厚度的Sn层。将硅片金属面紧贴在一起放入键合机中键合,在真空中进行。键合时间为3分钟条件下,得到平均剪切强度为9.9 MPa,随着键合时间增加,剪切强度显著降低。     

环境保护在化学清洗过程中的重要性

本文是作者结合自已多年的工作经验,介绍了化学清洗过程中可能产生的废液的种类及其对环境的危害,以及相应的处理办法,探讨了在化学清洗过程中保护环境的举措。     

基于机器视觉的硅片检测分类系统设计

等离子体增强化学气相沉积是太阳能硅片生产工艺流程中一道重要的工序。硅片经过该工序后的表面破损检测和减反膜颜色的检测主要通过人工完成,存在不稳定、高碎片率和低速率等问题,需要利用机器视觉技术,开发硅片视觉检测系统。文中根据具体的测试要求完成光学设备选型,利用“Visionpro”视觉开发软件设计硅片破损检测与颜色检测程序。实际使用结果表明,该系统破损测量的精度在0．2mm以内,图像颜色检测满足实际应用需求。     

超声波清洗工艺在汽车清洗中的应用

对汽车清洗技术中传统的机械清洗法、湿法化学清洗法的应用现状进行了分析,介绍了超声波清洗技术的工艺特点以及与传统清洗技术相比具有的优势.通过对超声波清洗设备结构、清洗机理和清洗过程的介绍,进一步阐述了超声波清洗技术在汽车上的具体应用和广阔的发展前景.