用椭圆偏振光谱法研究GaxIn1-xP的光学性质(Ⅱ)

用椭偏光谱法对用ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ掺Ｓｉ及掺Ｚｎ样品在室温下,可见光区得到的光学常数求其介电函数三级微商谱．将用于分析调制反射谱的三点比例法推广,并用来分析介电函数的三级微商谱．精确地得到样品的带隙Ｅｇ,Ｅｇ＋△０以及Ｅｇ以上成对结构跃迁的能量位置及其间隔．计算了Ｅｇ以及费米能级的相对位置．将实验值与计算值比较,分析其差异的原因,发现样品存在有序结构     

光电子材料铝镓铟磷的椭偏研究

在室温下，运用反射椭偏光谱技术，对生长在砷化镓上的铝镓铟磷以及铝镓铟磷（掺硅）两样品进行了研究。测得它们在可见光区的光学常数，求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系。对样品的介电函数虚部谱进行数值微分，得到它们的三级微谱。通过对样品的吸收系数谱和介电函数虚部的三级微商谱的分析，得到两样品的带隙Eg，Eg Δ0和Eg以上成对结构跃迁的能量位置及间隔。将Eg和Eg Δ0的值与计算值和已发表的值比较，符合较好，但存在小的差异。分析发现，样品存在有序结构是引起差异的主要原因。根据椭偏测量的数据，用有效介质近似理论计算了样品中铝的组分，并与X射线微区分析的测量结果加以比较，二者一致。     

用椭圆偏振光谱法研究GaxIn1—xP的光学性质（Ⅰ）

用变入射角椭圆偏振技术测量了用金属有机气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ样品在可见光区室温下的光学常数。对其结果进行了讨论,给出了带隙Ｅｇ和跃迁Ｅｇ＋Δ０的能量值,Δ０的实验值与计算值符合的很好。     

用椭圆偏振光谱法研究Ga_xIn_(1-x)P的光学性质(Ⅰ)

用变入射角椭圆偏振技术测量了用金属有机气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ样品在可见光区室温下的光学常数．对其结果进行了讨论,给出了带隙Ｅｇ和跃迁Ｅｇ＋Δ０的能量值,Δ０的实验值与计算值符合的很好．     

钨酸铅的非德拜型介电谱

在室温至150℃范围测量了纯PWO4晶体和掺镧(La)PWO4晶体的频域介电谱，发现两种样品的介电弛豫都不是德拜型的，晶体中的空位和杂质形成的二和三级结构使得频域介电谱和样品的热力学历史有关。     

PLZT薄膜弛豫时间分布与极化特征研究

对溶胶-凝胶法制备的PLZT薄膜进行介电温度谱测试,根据不同温度ε′-ε″曲线的Cole-Cole经验公式进行拟合,并对PLZT薄膜的弛豫铁电体特性进行分析.实验结果表明:样品出现弥散相变,属于弛豫铁电体,且内部存在氧缺陷;样品的介电常数、最可几弛豫时间以及由经验公式拟合得到的温度函数在100～110℃温度范围内出现异常,结合材料介电响应理论说明材料晶体结构类型出现变化.     

PZN基陶瓷超低频介电弛豫的研究

采用线变零起始电压法，对Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３基陶瓷样品在－１５０～１６０℃温度范围内的超慢介电弛豫进行了详细测试；并结合普适型弛豫函数进行了实验数据的有效拟合，实现了介电常数从时域向频域的傅利叶转换，从而得到该样品的超低频（１０－５～１０－１Ｈｚ）介电频谱、温谱．观察到该样品的超低频介电温谱在居里温度点１１０℃附近存在扩散相变温区，并且在相变温区以下表现出明显的弛豫弥散现象、用热刺激电流（ＴＳＣ）得到样品的弛豫激活能Ｅ和本征驰豫时间τ０，并对其弛豫极化机制进行了讨论．     

基于介电函数实验值拟合对一维光子晶体能带结构的分析与讨论

使用与在宽波段范围内TiO2,SiO2介电函数相似的指数型函数,利用数值拟合方法,给出了与实验介电函数值完全吻合的色散关系;将其直接应用于平面波展开法,计算分析了一维TiO2/SiO2色散光子晶体能带结构.与常规平面波展开法的计算结果对照发现,由两种方法分别计算得到的能带结构中均有两个较宽的光子带隙,但两者的带宽和位置...     

PLZT(7/40/60)薄膜介电驰豫特征的研究

利用溶胶-凝胶技术制备PLZT薄膜,对样品进行X射线衍射和高频介电谱测试,结果表明:薄膜为钙钛矿结构,呈现[110]择优取向,100 MHz介电温谱显示该薄膜具有弛豫铁电体特征,介电频谱表明PLZT薄膜具有介电弛豫特征,体现温度弥散特性,通过理论拟合Cole-Cole曲线得到弛豫时间的分布函数,结合弛豫铁电体特性,时介...     

熔融氯化钠晶体介电常数的模拟计算方法

由于分子模拟过程中存在周期性边界的影响,离子偶极矩定义模糊,导致传统的偶极矩涨落方法在计算熔融盐晶体或含有自由电荷体系的介电常数时存在一定阻碍。根据经典介电理论,通过电流关联函数计算熔融氯化钠(NaCl)晶体体系的介电常数,研究了不同温度下氯化钠的频率相关介电谱,并分析了晶体相变对介电特性的影响。结果表明：当NaCl为晶体状态时,介电谱显示出明显的共振吸收峰;在NaCl熔化以后,介电谱的共振吸收峰的带宽变宽,波形发生了明显变化。分别利用电流法和外加电场法计算了不同温度下NaCl的静态介电常数,结果显示：两种方法的计算结果的一致性良好,从而验证了本文方法的准确性;NaCl晶体在发生固液相变时,静态介电常数会在相变点发生跳变。     

固体光谱分析的样条函数方法

在三次样条函数插值的基础上,建立了微分能谱,Kramers-Kronig变换以及求和规则等计算方法;分析了由椭偏光谱法测得的Si介电函数的一阶和三阶微分谱,Kramers-Kronig变换以及其它积分关系,并与其它数值方法的结果比较.样条函数具有使用灵活,速度快和精度高等优点.结合最优化方法,由样条函数方法求出的微分能谱能够分析固体电子的临界点参量.     

钒掺杂SnO2材料的电子结构和光学性质

基于密度泛函理论采用全势线性缀加平面波方法计算V掺杂SnO2后的电子态密度、能带结构、介电函数和吸收系数。结果表明:由于V的掺入,晶胞SnO2费米能级向导带方向移动,在费米能级附近形成新的电子占据态,出现杂质能带,这是由V-3d态和O-2p态电子杂化所形成;介电谱在0～3.0 eV之间时出现3个新的介电峰,在高能区介电谱主峰位置发生蓝移,峰值强度减少;吸收谱发生展宽,吸收谱与介电谱的峰相对应。     

应变超晶格（InxGa1—xAs）n／（GaAs）n（001）的电子结构和光？…

用半经验的紧束缚方法ｓｐ＾３ｓ＾＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构。给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系。在得到超昌格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和     

时域测量技术及其应用

文章介绍一种时域测量方法 ,数据处理以唯象驰豫理论为基础 .它可分析电介质样品的时域参数 ,简化傅里叶变换计算过程 ,得出样品的超低频介电谱 .使用该方法对绝缘纸电介质样品进行了研究 ,得出了它的时域参数和 1 0 -6～ 1 0 2 Hz频段的介电谱 .     

夸克胶子等离子体的介电函数

用硬热圈重求和方法计算了夸克胶子等离子体的介电函数,结果显示硬热圈重求和计算对硬热圈近似结果有非平庸的修正.从胶子自能与介电函数的关系的角度出发,分析了介电函数的非平庸修正的物理机制,讨论了介电函数的性质.     

水基热分解法制备钛酸铅系薄膜

采用水基热分解法在ＳｉＯ２／Ｓｉ基底上制备了钛酸铅和掺镧钛酸铅铁电薄膜。详细研究了以水为溶剂，将铅盐和钛醇盐等直接加入到溶剂中制成先体溶液，测量溶液的ＤＴＡ－ＴＧＡ曲线和透光率曲线；对薄膜作ＸＲＤ和ＳＥＭ分析，并对其结果进行了简要讨论了测量了室温下薄膜介电性能和铁电性能。     

Cr-Al_2O_3太阳能选择性吸收涂层的研究

基于第一性原理计算出Cr、Al2O3的能带结构、态密度以及介电函数,定性地分析了它们的电子结构和光学性能。然后,借助于计算出来的介电函数拟合Cr和Al2O3的消光系数,分析它们对吸收率和发射率的贡献。最后结合计算结果设计出相关实验方案,用等离子喷涂工艺制备出了Cr-Al2O3的金属陶瓷膜,并对其进行了测试与分析。     

银的介电函数及其对纳米球附近原子的自发辐射动力学影响

金属介电函数对表面等离激元共振特性具有重要的影响。利用数值方法,系统比较了银的Drude模型介电函数、Drude-Lorentz模型介电函数以及实验值,并研究不同介电函数模型下银纳米球对附近原子自发辐射动力学调控特性。首先研究通常采用的Drude和Drude-Lorentz模型,并给出模型介电函数值与实验值的差异,结果表明, Drude模型仅在低频时与实验值符合较好,而含有4个洛伦兹项的Drude-Lorentz模型与实验值符合较好;其次,以银纳米球为例,研究以上介电函数的差异对附近二能级原子自发辐射增强谱及能级移动的影响;再次,研究Drude-Lorentz模型下自发辐射动力学的格林函数预解算子方法和解薛定谔方程方法,结果表明格林函数预解算子方法能快速准确求解自发辐射动力学;最后,基于格林函数预解算子方法,展示了介电函数采用Drude-Lorentz模型和实验值时的自发辐射动力学特性。     

CdGeAs2晶体红外双折射率和吸收系数的第一原理计算

基于第一原理赝势平面波方法,采用密度泛函理论的局域密度近似（LDA）方法计算了CdGeAs2晶体的介电函数,并由此得到红外波段的折射率ne 、no, 双折射率Δn和静态介电常数ε(0),将计算值同实验值作比较,结果一致.还计算了CdGeAs2 晶体的红外吸收系数,与实验测得的红外透过率谱进行了比较,计算值与实验值吻合较好. 结果对CdGeAs2晶体质量的改进和应用具有实用价值.     

关于( τ_(oi)/ T_(i入))的解析计算研究

凡多段式气固相催化反应器,当用解析法作最优化设计时,都存在着各段绝热催化床的标准接触时间τ(oi)对其进口温度T_(iΛ)的偏导函数计算问题。多数文献介绍,采用图解积分法或曲线拟合微商法求出。而图解积分法用电子计算机作优化设计很不方便;曲线拟合微商法虽可上机计算,但需计算多点的τ_(oi)值,费时较多,且不一定准确。我们在