温度对KNSBN晶体二波耦合增益的影响

对３００Ｋ至４２０Ｋ温度范围内的光折变晶体ＫＮＳＢＮ（钾钠铌酸锶钡）的前向二波耦合特性进行了实验观测和理论分析,结果表明,光增益不仅取决于实验的几何配置而且对温度有较大的依赖性,由室温提高温度至３６０Ｋ可提高放大倍数一倍以上     

光擦除双光束耦合理论和实验研究

章基于光擦除折射率光栅和光束耦合提出了一相新的光折变非线性光学模型。用带导模型和耦合波方程了理论公式。用Ｃｅ：ＫＮＳＢＮ单晶和Ｈｅ－Ｎｅ激光进行了实验验证。结果表明,理论分析和实验结果定性地吻合。     

几种光折变晶体二波耦合特性研究

从理论上推导并分析了几种４ｍｍ点群的光折变晶体ＢａＴｉＯ３，ＫＴＮ，ＳＢＮ，ＫＮＳＢＮ的二波耦合特性．理论和实验结果都表明前向二波耦合与相向二波耦合有不同能量转移特性．相向二波耦合能量转移方向不仅依赖晶体中光生载流子的电荷符号及入射光与晶体ｃ轴相对取向，而且依赖于晶体电光系数各分量的相对大小．     

几种光折变晶体二波耦合特性研究

从理论上推导并分析了几种４ｍｍ点群的光折变晶体ＢａＴｉＯ３,ＫＴＮ,ＳＢＮ,ＫＮＳＢＮ的二波耦合特性。理论和实验结果都表明前向二波耦合与相向二波耦合有不同能量转移特性。相向二波耦合能量转移方向不仅依赖晶体中光生载流子的电荷符号及入射光与晶体ｃ轴相对取向,而且依赖于晶体电光系数各分量的相对大小。     

用于超短脉冲放大的掺铒光纤放大器的研究

本文报道了用１４６９ｎｍ激光二极管泵浦的掺铒光纤放大器应用于超短光脉冲放大的实验结果．对１．５５μｍ，２．４ＧＨｚ的信号光，增益为１８ｄＢ，最大输出信号峰值功率可达４０ｍＷ，光脉冲经放大器后波形没有畸变，放大后的光脉冲实现了５３Ｋｍ的光孤子传输．     

燃烧过程CARS光谱的实验研究

研究了Ｎ２分子的ＣＡＲＳ光谱。通过实验谱与理论变拟合的方法，获得了乙炔／空气及煤气／空气火焰的温度。实验中采用了共线ＣＡＲＳ和ＢｏｘＣＡＲＳ两种位相匹配方式。     

掺杂KLSBN晶体光折变性能研究

对几种掺杂的ＫＬＳＢＮ晶体的二波耦合增益、耦合响应进行了测试,指出了各种掺杂对该光折变晶体性能的影响。     

Mn：Fe：LiNbO3晶体两波耦合温度特性实验研究

本文对30℃至120℃温度内的光折变晶体Mn:Fe:LiNbO3的前向双光束耦合的温度特性进行了实验研究，发现在50℃，70℃和105℃附近出现异常峰值。     

光折变晶体KNbO3温度效应研究

以光折变效应的带输运模型为基础，研究了高阱密度下温度为光折变晶体折射率主稳态体相位栅效率之间的关系；分析铌酸钾（ＫＮｂＯ３）晶体的温度特性，给出了相应的     

用于超脉冲放大的掺铒光纤放大器的研究

本文报道了用１４９ｎｍ激光二极管泵浦的掺饵光纤放大器应用于超短光脉冲放大的实验结果，对１．５５μｍ２．４ＧＨｚ的信号光，增益为１８ｄＢ，最大输出信号峰值功率可达４０ｍＷ光脉冲经放大器后波没有畸变，放大后的光脉冲实现了５３Ｋｍ的光孤子传输。     

光折变晶体KNbO_3温度效应研究

以光折变效应的带输运模型为基础，研究了高陷阱密度下温度与光折变晶体折射率指数及稳态体相位栅衍射效率之间的关系；分析铌酸钾（ＫＮｂＯ３）晶体的温度特性，给出了相应的Δｎ－Ｔ曲线和η－Ｔ曲线．结果表明，增高光折变晶体的温度，不仅可以增大晶体的折射率指数，同时也是提高稳态体相位栅衍射效率的一条有效途径     

H_2O－N_2混合气体中H_2O分子光谱线的压力加宽谱线宽度系数的理论计算

本文利用我们耦合的Ｈ２Ｏ－Ｎ２相互作用等效势模型，计算了该系统在３００Ｋ—１０００Ｋ温度范围内的Ｈ２Ｏ分子被Ｎ２分子碰撞加宽的纯转动跃迁谱线宽度系数。计算结果与仅有的实验结果符合较好，表明我们的方法是有效的，结果是可靠的。     

氮三乙酸根合铁（Ⅲ）络合物（Fe^ⅢNTA）的光稳定性—Fe^ⅢNTA…

研究了氮三乙酸根合铁（Ⅲ）络合物（Ｆｅ＾ⅢＮＴＡ）（在２０．０℃、Ｉ为０．５ｍｏｌ·ｋｇ＾－１（ＮａＣｌＯ４）及ｐＨ值１￣２的条件下）对光的稳定性。实验结果表明：随着体系酸度的增加或激发光频率的增大，Ｆｅ＾ⅢＮＴＡ的光稳定性下降；游离的Ｆｅ（Ⅲ）存在会使Ｆｅ＾ⅢＮＴＡ的光稳定性增强；混配络合物的生成亦会使较低频率单色光照射下的Ｆｅ＾ⅢＮＴＡ稳定性下降。还讨论了本体系中Ｆｅ＾ⅢＮＴＡ的光致分子内氧化     

海水电解质pmv的补充测定及其加和性关系的验证

首次用新研制的高精度磁力浮沉子密度计测定ＮａＨＣＯ３，ＫＢｒ，ＫＮＯ３和Ｃａ（ＮＯ３）：在盐度为３０．０和３４．７温度为２９８．１０Ｋ时的偏摩尔体积（即ｐｍｖ），重新测定了ＮａＣｌ，ＫＣｌ，Ｎａ２ＳＯ４和ＭｇＳＯ４在海水中的ｐｍｖ，并用实验精度证了海水中主要电解质的ｐｍｖ的加和性关系。     

Fe－P－N合金的Snoek－K－Koster峰

对淬火及淬火后变形Ｆｅ－Ｐ－Ｎ合金在－５０℃～３５０℃温度区的内耗进行了测量，并用ＴＥＭ观察、分析了合金中的第二相．结果表明，在Ｎ的质量分数不超过０．００３％和Ｐ的质量分数小于０．０６４％的实验条件下，合金的ＳＫＫ峰与Ｓｎｏｅｋ峰的峰高比（ｈＳＫＫ／ｈＳｓ）和Ｃｐ－２／３呈线性关系；在Ｆｅ－Ｐ合金固溶体区中有ＦｅＰ化合物存在．     

光生电压谱方法对ZnSe／GaAs异质结导带偏移的研究

实验采用光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结界面的光跃迁进行了观察，在光子能量略低于ＧａＡｓ带边的地方，光生电压谱出现了一个峰，通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响，指出该谱峰对应着界面处电子从ＧａＡｓ价带顶跃迁至ＺｎＳｅ导带底的过程，表明ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结的能带排列属于错开型，并得出在温度小于７０Ｋ的低温下ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移值为１５０ｍｅＶ±     

含间位聚醚醚酮酮的合成与结晶性

采用红外光谱、广角Ｘ光衍射、示差扫描量热分析法研究全间位聚醚醚酮酮（ＰＥＥＫｍＫ）的基本物性与结晶行为。实验结果表明：ＰＥＥＫｍＫ红外光谱中１０３０ｃｍ￣（－１）处有一特征吸收峰，其广角Ｘ光衍射谱在２０．７°处的衍射峰消失。在不同温度下对ＰＥＥＫｍｋ无定形样品进行热处理表明：在较高温度（２００℃～２４０℃）下样品才能结晶，其结晶程度远小于全对位聚醚醚酮酮。     

阶跃光激励下半导体的温度变化

建立了阶跃光激励下半导体材料温度变化的一维理论模型.采用本征函数法得到了阶跃光激励下半导体中光生载流子和温度随时间的变化关系,并研究了少数载流子寿命对这种变化的影响.同时,利用阶跃光激励的光热光偏转实验研究了少数载流子寿命不同的半导体样品的光热光偏转信号.实验结果与理论结果符合较好,表明阶跃光激励的光热技术可用于对半导体材料参数进行表征.     

面向对象的光接入网网络管理系统

提出了采用面向对象对基于ＴＭＮ的光接入网网络管理系统的设计思想，在分析管理信息模型的基础上，对网元管理功能（ＮＥＭＦ）的管理对象进行了具体设计。     

等离子体吸收边对多层膜磁光克尔效应的影响

通过分析由光诱致的电荷密度涨落对铁磁／非磁性金属多层膜非磁性层中费米面附近电子的交换劈裂能的影响，对ＮＭ层金属附加磁光克尔效应的频谱特性进行了理论推导和定量计算，证明ＦＭ／ＮＭ多层膜在其ＮＭ层的等离子体吸收边附近确定可能存在磁光克尔谱的增强，并讨论了有些样品没有出现这种增强峰的原因。