熔融织构YBCO超导体中211相最佳含量的研究

研究了ＭＴＧ法制备的ＹＢＣＯ超导体中的２１１相含量与名义配比的关系，用ＳＥＭ观察了样品中２１１相的分布，用磁滞回线测量法估算了ＹＢＣＯ超导体的临界电流密度与样品中２１１相含量的关系，总结出ＹＢＣＯ超导体中起钉扎中心作用的２１１相含量的最佳值。     

YBCO超导体中含氧量的测定

ＹＢＣＯ超导体中含氧量和它的超导性有很大关系。本文用氢溴酸溶样，加柠檬酸盐与ＣＵ２＋生成配合物，然后用碘量法测含氧量，取得较好结果．     

Fault Current Limitation with Superconducting YBCO Thin Films

The behavior of YBCO/metal bilayers under transport currents was explored in the framework of fault current limitation (FCL). Properties of the superconducting-normal transition were first studied phenomenologically during sweep current experiments. For current rates higher than 500A/s, the transition into the normal state was based on non-thermal phenomena and was characterized by a flux creep regime ended by a jump into the normal state. At lower sweep rates, a total diversion of the current in the metallic shunt was observed for temperatures higher than 85 K. In this regime, a partial recovery of the superconducting state took place due to a finite thermal resistance between the superconducting and the metallic films. These two properties of partial diversion into the shunt and of fast switching for a quick rise of the current during a default were exploited for current limitation at 77 K. FCL experiments at 50 Hz show that YBCO/Au bilayers limit the current in about 1 ms at a value of 2.5/c by developing electrical fields as high as 3 kV/m. Moreover, a recovery of the zero resistance state could occur under rated mode. A straightforward application of this property would be the transformer connection. Finally, results on DC current limitation and recovery under nominal mode were presented for the first time.     

单羰基钆几何,电子结构和化学键的理论研究

本文利用高精度密度泛函方法对单羰基钆的几何，电子结构和化学键进行了研究。结果表明，在单羰基钆中存在着键合异构现象，稀土元素钆与ＣＯ之间的配位键具有一定的特殊性，４ｆ轨道在一定程度上参与了成键。     

Eu2S,EuS2电子结构和化学键的密度泛函理论研究

利用密度泛函理论方法对Ｅｕ２Ｓ,ＥｕＳ２的电子结构和化学键进行了研究。结果表明：Ｅｕ２Ｓ和ＥｕＳ２分子中的Ｅｕ－Ｓ键均主要来自Ｅｕ５ｄ和Ｓ３ｐ轨道的相互作用４ｆ轨道基本Ｅ     

Hastelloyc—275上激光沉积YBCO超导线材

室温下应用Ａｒ＾＋离子源辅助准分子脉冲激光沉积取向的ＹＳＺ过渡层薄腊地ＮｉＣｒ合金基底上；基底加温至７５０℃，用分子脉冲激光高温超导薄膜于ＹＳＺ／ＮｉＣｒ上，并切割一材，实验结果表明：ＹＢＣＯ超导线材不但为ｃ－轴取向的，同时为在ａ－ｂ平面内织构的，其临界温度Ｔｃ≥９０Ｋ，临界电流密度Ｊｃ≥１×１０＾６Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ，０Ｔ）。     

铀锆合金的电子结构和化学键的第一性原理研究

基于密度泛函理论系统地研究了铀锆合金(γ-UZr和δ-UZr2)的晶体结构、电子结构及化学键性质。鉴于U-5f电子的强关联性,使用局域密度近似(LDA)和LDA+U(U=4eV)方法对比研究了铀锆合金的基态性质。尽管这两种方法计算所得的晶格常数均略小于实验值,但总体上与实验还是符合的很好。与纯LDA相比,加U=4eV的计算结果显示5f电子的库仑排斥作用对合金体系电子态密度分布的影响极小。因此可忽略U-5f的库仑排斥作用。两种构型合金体系的总态密度分布表明它们在费米能级附近的电子占据主要是U-5f和Zr-4d,并有明显的杂化。在γ-UZr和δ-UZr2中,U—Zr键间均显示微弱的共价性,其中U—Zr2共价性最强(0.048e/au3),U—Zr次之(0.040e/au3),U—Zr1最弱(0.032e/au3),而δ-UZr2中的Zr1离子性最强。     

碱基分子中单电子作用势判断化学键强弱的研究

碱基是遗传物质DNA和RNA的基本结构单元,与基因突变、癌症及遗传疾病许多健康问题息息相关.使用MELD精密从头计算及自编程序,计算了常见碱基分子腺嘌呤、鸟嘌呤、胸腺嘧啶、胞嘧啶和尿嘧啶中沿各化学键方向上的单电子作用势,并根据单电子作用势势垒——Dpb对各化学键的强弱进行了比较.结果表明,N—H键的Dpb值明显高于C—H键的Dpb值,且胸腺嘧啶分子的C7—H键的Dpb相对于其他分子的C—H键明显偏低.由于Dpb可以用来表征化学键的强弱,因此,碱基分子中N—H键要强于C—H键,且胸腺嘧啶中的C7—H键最弱,在DNA中易被自由基或其他基团进攻,该结论与实验结果一致,为进一步探讨碱基分子的相关性质奠定了基础.     

Y-Ba-Cu-O超导体中氧和三价铜的测定

提出一种用酸溶解块材YBa_2Cu_3O_x并测定其中氧及三价铜含量的方法。估计了方法的系统误差(小于3%)。对该法与热重分析法的结果作了比较。     

XPS和29Si MAS NMR在不同分子筛的化学组成及电子结构中的研究

采用光电子能谱和Si核磁共振及化学分析方法研究了五种不同分子筛钠型和钾型的化学组成.结果发现,分子筛的表面Al/(Si Al)比和骨架Al/(Si Al)比与其体相Al/(Si Al)比具有一致性,其电子结构与其组成及阳离子有关.分子筛表面晶格氧碱强度与其铝含量成正比,与阳离子的电负性成反比.     

10 m钇钡铜氧高温超导带材的研究

由于钇钡铜氧超导体(YBCO)在液氮温区(77K)具有非常高的不可逆场,用这种材料制成的带材在高场中具有很强的高载流能力,使得它在电力应用,如传输电缆、电机、储能和磁体等诸多方面具有广阔的应用前景。本文在具有双轴织构的10m级NiW合金基带上动态、连续地制备了具有Y2O3,YSZ,CeO2等多层隔离层的YBCO涂层导体;研究了膜的生长条件及各层膜之间的取向关系等,成功地制备出10m长双轴取向的CeO2/YSZ/Y2O3隔离层,Y2O3,YSZ和CeO2的!扫描半高宽沿长度方向都分布在7°～8.2°范围内,平均值分别为7.69°,7.75°和7.93°,表明整个长带具有均匀一致的立方织构。扫描电子显微镜和俄歇电子探针观测了表面微结构和界面状态,结果显示Y2O3,YSZ和CeO2表面致密连续,无微裂纹;其上生长的YBCO具有C轴和平面内双轴取向,临界转变温度Tc达88K,最大临界电流Ic达40A/cm-width(77K,0T)。     

C60溶液,孤立分子及薄膜形态电子态结构分析

系统地给出了Ｃ６０在固态薄膜及不同有机溶液形态下的常规吸收光谱和三同商吸收光谱,确定了各相关光学跃迁能量,并通过对可见区电子－－振动光谱结构的指认分析,给出了有机溶液形态下Ｃ６０的能隙,基于Ｍａｘｗｅｌｌ－Ｇａｒｎｅｔｔ有效介质模型理论,由不同有机溶剂形态下Ｃ６０电子态能级结构参数外推获得了Ｃ６０孤立分子的本征电子态能级结构参数,从而为详细了解和研究Ｃ６０分子不同形态下电子态结构的变化提供了较完整     

五卤化磷分子的键能和成键特性的研究

对五卤化磷（ＰＸ５，Ｘ＝Ｆ，Ｃｌ）分子的键能进行了量子化学计算，并对其成键特性进行了讨论。