a—Si：HSchottky势垒结构太阳能电池中的载流子俘获效应a—Si：H太…

基于实验结果，应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经主同强度光辐照过的ａ－Ｓｉ：ＨＳｃｈｏｔｔｋｙ势垒结构太阳能电池进行计算机数值分析。     

a－Si：Hp－i－n型太阳能电池中的载流子俘获效应──a－Si：H太阳能电池稳定性研究

本文基于我们的实验结果，应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ａ－Ｓｉ：ＨＰ－ｉ－ｎ型太阳能电池进行计算机数值分析。结果表明，随着光辐照发生的载流子俘获所造成的ａ－Ｓｉ：Ｈ中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布产生变化和准中性区（低场“死层”）的出现。这是ａ－Ｓｉ：Ｈｐ－ｉ－ｎ型太阳能电池光致性能衰退的重要原因。于是，一条提高ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池稳定性的新途径有可能被提出。     

a—Si：HSchottky势垒太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应

本应用计算机数值模拟方法研究了ａ－Ｓｉ：ＨＳｃｈｏｔｔｋｙ势垒太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应，结果表明，无论光生空穴或电子俘获都将改变电池中的电场分布，导致准中出现或扩大，从而减小了电池的载流子收集长度，这是引起ａ－Ｓｉ：ＨＳｃｈｏｔｔｋｙ势垒太阳能电池光致性能衰退的一个重要原因。     

a-Si:HSchotky 势垒结构太阳能电池中的载流子俘获效应a-Si:H太阳能电池稳定性研究

基于实验结果，应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ａ－ＳｉＨＳｃｈｏｔｋｙ势垒结构太阳能电池进行计算机数值分析。计算结果与实验一致并且进一步指明，随着光辐照发生的载流子俘获造成的ａ－ＳｉＨ中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布发生变化和准中性区（低场“死层”）的出现，从而导致载流子收集长度的减少。这是ａ－ＳｉＨＳｃｈｏｔｋｙ势垒结构太阳能电池光致性能衰退的重要原因。于是，一种提高ａ－ＳｉＨ太阳能电池稳定性的新途径有可能被提出     

a－Si∶H Schottky势垒太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应

本文应用计算机数值模拟方法研究了ａ－Ｓｉ：ＨＳｃｈｏｔｔｋｙ势主太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应．结果表明，无论先生空穴或电子俘获都将改变电池中的电场分布，导致准中性区（低场“死层”）出现或扩大，从而减小了电池的载流子收集长度，这是引起ａ－Ｓｉ：ＨＳｃｈｏｔｔｋｙ势垒太阳能电池光致性能衰退的一个重要原因．     

a—Si／c—Si异质结太阳能电池制造中的技术分析

应用数值模拟方法计算ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结和ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）结－异质结太阳能电池的电场强度分布，指出异质结电池制造中对ａ－Ｓｉ：Ｈ膜厚的选择，进而对嵌入本征ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）层的结－异质结太阳能电池设计进行分析并讨论其稳定性     

射频溅射a—Si：F,H中载流子的低温传导

在300－77K温区内对射频溅射制备的a-Si:F,H薄膜样品作了直流电导测量，结果表明，当T＞200K时载流子的传导是以最近邻跳迁传导为主，而在77K＜T＜140K温区变程跳跃传导点了主要地位，费米能级附近的隙态密度约为10^20cm^-3eV^-1。     

GaN基p-i-n型紫外探测器光生载流子屏蔽效应模型

通过求解光生载流子连续性方程,得出GaN基p-i-n型紫外探测器耗尽层中的光生载流子密度分布.根据泊松方程计算了光生载流子屏蔽电场,并通过数值计算方法将光生载流子屏蔽电场引入器件模型,建立了光生载流子屏蔽效应模型.在此基础上,讨论了光生载流子屏蔽效应对p-i-n型探测器耗尽区光生载流子密度分布的影响,并分析了外加偏压、入射光功率以及载流子寿命对光生载流子屏蔽效应模型的影响.结果表明光生载流子屏蔽效应对器件性能的影响是非单调的,且通过调节外置偏压可以得到最大载流子漂移速度和最小器件响应时间.     

笼状热电材料p型和n型Ba8Ga16Ge30单晶之间载流子的调谐研究

本研究首次实现了p型和n型Ba_8Ga_(16)Ge_(30)(BGG)单晶之间载流子类型的相互转换.采用以对方单晶为前驱体的再合成调制方法,再次制备了Ba_8Ga_(16)Ge_(30)(BGG)单晶笼状热电材料,利用物理属性测量系统(PPMS)测量单晶样品的变温电阻率并对其载流子类型进行了评价.结果表明:p型和n型Ba_8Ga_(16)Ge_(30)(BGG)单晶之间载流子类型可以成功地进行相互转换,且n型转换为p型样品时前驱体状态及成分配比的不同可导致改性后样品电阻率及载流子浓度不同.以单晶为前驱体的晶体再生长以及载流子调节对于制备珍贵同位素替代的大块单晶具有指导意义,有益于材料内部笼内及笼上原子的非简谐振动研究,并对热电材料的再生利用也具有重要意义.     

a—Si：H/a—SiN_x：H超晶格薄膜的光声谱

我们应用光声技术,研究 a-Si:H/a-SiN_x:H 超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大.     

溅射法制备a-Si:H/a—SiY:H超晶格的量子尺寸效应

本文报导用射频溅射法制备出一种新型非晶态半导体超晶格薄膜α—Si:H╱α—SiY:H,并验证了其量子尺寸效应。     

“黑麦草—水稻”草田轮作系统的根际效应：II.冬种黑麦草对 …

研究了冬种黑麦草对土壤物理化学性状的影响,结果表明,冬种黑麦草使土壤容质量下降９．４％,而对照区仅下降４．０％,冬种黑麦草使土壤有机质质量分数提高了６６％,而对照区降低了１４％,冬种黑麦草使土壤垢全Ｎ,全Ｐ和有效Ｎ,有效Ｐ的质量分数分别提高了２６％,３２％,６７％和３３％,而对照区下降了１３％,４％,２０％和１３％,冬种黑麦草使土壤的全Ｋ和有效Ｋ质量分数提高了１４％和７８％,对照区也提高了１０％和