MEMS封装中的关键技术

简要分析了MEMS(微机电系统)器件封装的难点所在，随后介绍了晶片键合，晶片级密封，倒装芯片技术等主要的MEMS封装技术。     

超声激振的倒装芯片焊球缺陷检测方法研究

针对倒装芯片内部焊球缺陷难以检测的问题,提出了基于声固多物理场耦合的超声激振检测方法．首先,建立倒装芯片超声激振检测仿真模型,模拟了含有典型缺陷(缺球和虚焊)的倒装芯片在超声激励下的振动响应,仿真结果显示焊球缺失和虚焊会引起倒装芯片振动速度的明显变化;其次,搭建超声激振倒装芯片检测系统,对倒装芯片进行检测,获取含不同缺陷倒装芯片的实际振动信号;最后,利用核主成分分析算法改进多粒度级联森林网络,对含典型缺陷的倒装芯片振动信号进行识别与分类．仿真和实验结果验证了基于多粒度级联森林网络和超声激振技术检测倒装芯片焊球缺陷的有效性．     

TCL+DBR与Ag+DBR倒装结构LED芯片光电性能比较

为给产业提供有效的参考,在同一的外延结构下,设计了TCL(透明导电层)+DBR(布拉格反射层)和Ag+DBR两种不同的结构倒装芯片,并实验对比两种结构的光电性能。结果显示:在500 mA的驱动电流下,相比于TCL+DBR结构的倒装芯片,Ag+DBR结构倒装芯片的输出亮度提升了8.7%,其饱和电流为1.32 A,比TCL+DBR结构的倒装芯片的饱和电流(1.16 A)高17.5%;同时,相比于TCL+DBR结构的倒装芯片,Ag+DBR结构的倒装芯片显示出更优的效率衰减性能。输出亮度、效率衰减性能的提升以及饱和电流的增加,主要归因于Ag+DBR结构的倒装芯片具有更佳的热分布效果、更宽的发光角度和更优的电流扩展效果。     

大功率白光LED倒装焊方法研究

介绍了一种大功率、高亮度LED倒装散热封装技术。采用背面出光的蓝宝石LED芯片,倒装焊接在有静电放电（LED）保护电路的硅基板上。该封装技术针对传统LED出光效率低下和散热问题做出了改进,有效提高了LED芯片的寿命,降低了制造成本。     

MEMS三维光刻技术的研究

微细加工技术是MEMS技术的核心技术,本文详细介绍了常用的MEMS三维加工工艺、应用现状和发展趋势,并提出了目前这些方法中存在的缺陷。     

MEMS三维光刻技术的研究

微细加工技术是MEMS技术的核心技术，本文详细介绍了常用的MEMS三维加工工艺、应用现状和发展趋势，并提出了目前这些方法中存在的缺陷。     

芯片高密度封装互连技术

电子封装正朝着高密度封装的方向发展,以满足市场对高性能、高可靠性、低成本、微型化的电子产品的需求.高密度封装具有多学科交叉的特点.综述课题组多年来在芯片高密度封装互连技术,包括倒装芯片(flip chip,FC)凸点制备／转移技术、导电胶高密度互连技术、叠层芯片封装技术及封装可靠性方面的研究工作,并指出未来高密度封装技...     

2012-06 科技新闻媒体关注指数排行榜

 微机电系统(Microelect-romechanical Systems,MEMS)的出现和发展与集成电路技术紧密相连,集成电路制造技术是MEMS技术的基础制造技术。与CMOS只包含平面晶体管和金属互连不同,MEMS可以通过体微加工技术、表面微加工技术和LIGA等特殊加工技术制作复杂的三维微结构和可动结构,MEMS的应用范围已经拓展到机、光、热、电、化学、生物等领域。     

扫描声学显微镜在半导体封装失效分析中的应用及前景

扫描声学显微镜(SAM)是封装流程中质量控制和非破坏性检测最常用的诊断工具。那么,SAM在芯片集成封装的失效分析中,尤其是在最新型的倒装芯片封装(FCxGA)和多芯片叠加封装(MMAP)中,又该如何运用呢?     

基于MEMS的智能集成汽车传感器的研究

随着汽车传感器的迅速发展和MEMS技术的深入研究,基于MEMS技术的汽车传感器具有广阔的应用前景.本文从传感器原理、MEMS技术理论与制造工艺、智能传感器理论与控制算法、软件与硬件实现、以及集成原理与工艺等几个方面,综合运用MEMS技术、人工智能、信息融合、半导体加工等先进技术,研究基于MEMS技术的智能集成汽车传感器问题.最后对MEMS汽车传感器今后的发展研究进行了探讨.     

Applications of MEMS devices in nanosatellite

micro-electro-mechanical system(MEMS) device has the advantages of both electronic system and mechanical system.With the development of MEMS devices for satellite,it is possible to establish much lighter and smaller nanosatellites with higher performance and longer lifecycle.The power consumption of MEMS devices is usually much lower than that of traditional devices,which will greatly reduce the consumption of power.For its small size and simple architecture,MEMS devices can be easily integrated together and achieve redundancy.Launched on April 18,2004,NS-1 is a nanosatellite for science exploration and MEMS devices test.A mass of science data and images were acquired during its running.NS-1 weights less than 25 kg.It consists of several MEMS devices,including one miniature inertial measurement unit(MIMU),three micro complementary metal oxide semiconductor(CMOS)cameras,one sun sensor,three momentum wheels,and one micro magnetic sensor.By applying micro components based on MEMS technology,NS-1 has made success in the experiments of integrative design,manufacture,and MEMS devices integration.In this paper,some MEMS devices for nanosatellite and picosatellite are introduced,which have been tested on NS-1 nanosatellite or on the ground.     

微/纳机电系统中的毛细黏附作用

毛细作用在所有尺度中都存在,但是在微/纳尺度下尤为重要.随着微/纳机电加工技术的迅速发展及深入研究,微/纳机电器件得到广泛应用.在微/纳机电器件的加工和使用过程中,毛细黏附作用影响其可靠性,进而影响微/纳机电器件的商品化.鉴于毛细黏附问题对微/纳机电器件性能的重要影响,本文综述毛细黏附力对微/纳机电系统器件性能的影响效果,微/纳尺度的毛细黏附力作用规律,以及毛细黏附控制技术.     

微电子机械系统(MEMS)器件中的普通物理学原理

简要介绍了微电子机械系统,一个新兴的高新技术领域,并以微机械陀螺和加速度计结构为例说明了物理学基本原理在MEMS器件中的应用.     

基于MEMS惯性技术的延转姿态角测量误差补偿研究

本文介绍了基于MEMS惯性技术,载体在水平面上廻转时产生的姿态角测量原理,运用在线误差补偿技术,针对因MEMS惯性器件加速度效应误差不均衡,导致的翅转姿态角测量误差进行实时补偿。提高了姿态测量装置题转姿态角的测量精度。     

基于Galerkin方法构建MEMS器件宏模型

将器件结构单元的线性模态振型函数(或是本征正交模态)作为全局基函数集合,结合Galerkin方法,获得具有足够仿真精度的微机电系统(MEMS)器件自由度缩减模型.宏模型中相关的状态变量数目很少,可以被快速计算,便于植入系统仿真器中进行模拟.文中分别阐述了这两种自由度缩减模型构造方法的优缺点及存在的问题,认为宏模型研究的重点将是器件非线性特性的有效表达以及建模过程自动化的计算机实现;并对非线性MEMS器件宏模型的研究发展给出了建议.     

基于MEMS的细长体非对称涡控制机理研究

目前,微机电系统（MEMS）作为致动器和传感器已被广泛应用于航空航天领域中。MEMS器件具有很好的功能性、集成性、可控性和鲁棒性等等。根据MEMS器件的特性,采用NS数值计算技术,对细长体在大迎角飞行状态下的非对称涡进行了气动控制。分析了MEMS器件控制流场的机理和将非对称涡转变为对称涡的流场控制机理,获得了MEMS器件控制流场特性的宏观效果。研究表明：MEMS器件对控制大迎角细长旋成体非对称涡和复杂流场具有良好的控制能力。     

Research on Nanofabrication Technology of Micro-/Nano-Stereo Rapid Prototyping of PCVD

At present, the most common micro/nano-scale fabri ca tion processes include the plane silicon process based on IC technology, stereo silicon process, LIGA, quasi-LIGA based on near ultra violet deep lithography, MEMS, energy beam etching and micro/nano-machining, etc. A common problem for t hese processes is the difficulty to fabricate arbitrary form for 3-dimensional micro/nano-parts, devices or mechanisms. To develop advanced MEMS manufacturin g technology, and to achieve fabrication of true 3-dimen...     

RF-MEMS器件及其关键工艺技术

综合介绍目前无线通讯产品中使用的各种类型RF-MEMS器件,统一说明RF-MEMS器件的基本工作原理,并分析RF-MEMS器件加工的关键工艺技术及设计制作时应注意的问题。     

MEMS器件及在通信的应用

电子工业已经成为世界上规模最大的工业。电子器件是电子工业的基础,该领域的发展十分迅速,新器件、新效应、新技术日新月异。半导体器件的特征尺寸已进入微米量级。近年来MEMS（微电子机械系统）器件的出现和发展引起各工业大国的关注。文章介绍了MEMS的主要特点及其在通信领域的应用。