由柿竹园高硅含铍含氟铋精矿直接制取铋品

介绍了一种由铋精矿直接制取多种铋品的冶金化工新工艺，该工艺包括氯化浸出、净化除杂、水解沉铋及铋品制取等过程，与制取铋化学品的常规方法比较，新方法具有流程短，污染少，金属回收率高，综合利用好等显著特点。     

铋的特殊性质及其在高新技术领域的应用前景

我国的铋储量和产量均居世界首位,但是由于它的应用市场主要在欧美等国家,出口量及市场价格长期受国外市场和资本的控制。总结了铋的特殊性质,如无毒、密度大、熔点低、冷胀热缩、超导性、抗磁性、光伏效应等;分析了铋在高新技术领域的发展,包括铋基催化材料、铋基钙钛矿太阳能电池、铋基低熔点合金3D打印技术、铋基柔性可穿戴设备和铋基癌症诊疗一体化平台等方面。期望为铋元素及其化合物的深入研究与开发提供参考,并促进我国相关铋产业的发展。     

Bi4Ti3O12铁电薄膜溶胶—凝胶法制备过程中Bi—Ti溶胶的匀胶规律研究

介绍了Ｓｏｌｇｅｌ法制备Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的工艺过程,研究了ＢｉＴｉ溶胶在Ｓｉ基片上的匀胶规律;用ＴＧＤＴＡ和ＴＥＭ技术研究了ＢｉＴｉ干凝胶的形态,并成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ基片上制备了ｃ轴取向的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜．     

钨酸铋及其复合材料的制备和可见光催化研究

本文利用水热合成反应成功制备了钨酸铋、碱式硝酸铋和钨酸铋/碱式硝酸铋复合材料等三种光催化材料,并对其进行了XRD、SEM、BET比表面积测试.室温条件下还对三组样品降解亚甲基蓝溶液的可见光催化活性进行了测量.研究表明180℃水热反应12h制备的Bi2WO6纳米材料形成二维片状结构,并且其可见光催化效果最好.     

从氯盐体系制备丙烯氨氧化用催化剂(Ⅰ)——铋系催化剂的制备与表征

以铋精矿为原料，通过氯化浸出—干馏制取高纯BiCl3，再用浸渍法、浸渍—沉淀法、淤浆混合法由BiCl3和浓度为2.0mol*L-1的HCl处理海泡石制备丙烯氨氧化催化剂，用(NH4)2CO3溶液洗涤Cl-，并通过XRD和BET对这种催化剂进行表征．研究结果表明含0.25mol*L-1的(NH4)2CO3的二次蒸馏水溶液脱氯效果显著，固体表面残余Cl-含量为20g/t；海泡石负载活性组分后，晶体结构发生改变，海泡石特征峰消失，比表面积从98.0m2*g-1降到31.5m2*g-1，孔径从10～40nm增加至40～100nm；采用这种方法能制备海泡石负载的多元氧化物催化剂，该催化剂的活性组分分布均匀，比表面积适宜，孔径分布符合要求．     

Bi-EDTA配合物简便配制方法可行性研究

根据 Bi3 +极易水解的特性 ,拟出了配制 Bi-EDTA配合物的简单方法。用适量Bi( NO3 ) 3 · 2 H2 O与适量 EDTA同时溶于适量水中 ,充分搅拌 ,调节 p H值 4 -7,(对硝基苯酚变为黄色 ) ,过滤 ,所得滤液即为所需 Bi-EDTA配合物溶液。     

铋掺杂氧化铟锌薄膜晶体管的研究

采用射频磁控溅射法制备了以非晶铋掺杂氧化铟锌(a-IZBO)为沟道层的薄膜晶体管(TFTs).相比本征的氧化铟锌薄膜晶体管,a-IZBO-TFTs显示出更低的关态电流,正向偏移的开启电压,表明铋掺杂能有效抑制载流子浓度.在铋掺杂含量为原子百分比8.6%时达到最佳的电学性能:载流子迁移率为7.5cm~2/(V·s),开关比为3×10~8,亚阈值摆幅为0.41V/decade.使用光致发光激发谱和X射线光电子能谱评价了a-IZBO沟道层中的氧空位缺陷,分析结果证实了铋的掺杂确实有效地减少了氧空位,从而抑制了半导体沟道层中的载流子浓度,对a-IZO-TFTs的总体电学性能改善起到较大的作用.     

Bi系超导体的物性研究

叙述了ＢｉＰｂＧｅＳｒＣａＣｕＯ超导样品的超导电性与其它物性间的关系。实验表明烧结与电击穿顺序不一样，其样品的击穿电压也将不同；多次烧结的超导样品可以降低样品的击穿电压，并增加它们的光吸收率，而从样品的交流伏安曲线又可以看出，超导体中的颗粒之间的接触有类似半导体的性质。     

Yb掺杂BiPO4光催化剂降解亚甲基蓝的研究

采用水热合成法制备Yb掺杂BiPO_4光催化剂,利用粉末X射线衍射(XRD)、扫描电子显微电镜(SEM)、能谱(EDS)、紫外-可见漫反射(UV-Vis DRS)技术对其进行表征。以亚甲基蓝为目标污染物,考察掺杂量对BiPO_4光催化活性的影响。结果表明:Yb掺杂使BiPO_4的结构和形貌均发生了变化;少量Yb掺杂可以提高BiPO_4的光催化活性,在紫外光下照射3h,Yb~(3+)-BiPO_4-2%对亚甲基蓝的光降解率可达80.2%。