锗硅分子束外延层与衬底界面的电镜研究

使用分子束外延技术制和轩了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜对退火样品进行观测，获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位错生长情况，采用高分辨电子显微镜观测样品退火以前的显微结构，表明样品在８５０℃退火温度时出现的位错生长是一种混合型热松弛机理。     

退火对Cd1-xZnxTe薄膜性质的影响

本文用双源真空蒸发的方法制备了Cd1-xZnxTe薄膜,通过热探针、SEM、XRD及紫外-可见光透过谱等方法研究了不同退火条件对薄膜性质的影响.退火后Cd1-xZnxTe多晶薄膜的光学禁带宽度在1.54eV～1.68eV之间,且沿立方相(111)面择优生长.退火温度主要影响薄膜表面的粗糙度和平均晶粒尺寸,退火时间主要影响薄膜的平均晶粒尺寸.退火温度与时间对薄膜电学性质的影响较小.     

纳米Cu/SiO2薄膜制备及其性能

采用热蒸发在载玻片和SiO_2衬底上沉积约5. 12 nm的Cu薄膜,再用退火炉分别进行100、200、300、400和500℃等5个温度退火,得到不同温度下的纳米Cu薄膜.用原子力显微镜和紫外-可见分光光度计研究不同退火温度对纳米Cu薄膜表面形貌、粒子分布和光学性质的影响.实验结果表明:当纳米Cu薄膜在载玻片上生长Cu颗粒阵列时,需要将退火温度控制在200℃左右;若使纳米Cu薄膜在SiO_2薄膜表面也能生长Cu颗粒阵列,退火温度比没有沉积SiO_2薄膜的衬底高100℃,此时纳米Cu颗粒对应方均根粗糙度为7. 20 nm、峰高(Skewness)为1. 75,以及偏态(Kurtosis)为5. 67,仅透射率略低9%.这样的Cu颗粒阵列更利于做超结构薄膜与完美吸收的顶层纳米金属颗粒.当退火温度为500℃时,载玻片上生长Cu薄膜的透射率出现一个相对稳定的波段,该工艺条件制备出来的纳米Cu薄膜,可以用来制作一些微型芯片,而SiO_2薄膜表面生长使纳米Cu薄膜对应方均根粗糙度为6. 25 nm、峰高为0. 57,以及偏态为2. 66.这样的Cu颗粒阵列不仅能够做大频率光电波吸收,还可以用作全固态电池中电解质上层的导电层.     

锗/硅量子点形貌随退火温度的变化与电学特性研究

研究了锗(Ge)量子点薄膜表面形貌随退火温度的变化及其相应的电学特性。以锗烷为主要反应气体,应用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在300℃温度、p-硅(100)基片上沉积了锗量子点薄膜,然后分别在400℃、500℃、600℃温度下退火。应用原子力显微镜(AFM)系统地观察了锗量子点薄膜的二维、三维图像,发现原位生长的锗量子点尺寸起伏大、薄膜表面比较粗糙。退火后,锗量子点分布趋于均匀,并且随退火温度的升高,量子点呈一定的取向排列,表面变得平整。通过电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试,发现锗量子点薄膜具有良好的电学特性。随退火温度的升高,电流、电容显著增大,漏电流减小,说明退火后,锗量子点薄膜晶界和粗糙度减小,使样品的表面、界面特性更好。     

外延生长在GaAs(001)表面的磁性薄膜

采用多种实验技术研究外延生长在GaAs(001)表面的Mn,Co和FeMn合金等磁性金属薄膜，研究结果表明外延生长的磁性薄膜的晶体结构和磁学性质与体材料相比有明显的判别，在一些情况下，外延薄膜和衬底之间的界面结构对于磁性薄膜的晶体结构和磁学性质起着决定性的作用。     

退火方式对镍钛钪合金薄膜微结构的影响

选用具有氮化硅镀层的硅片做为基片,采用磁控溅射方法制备了近等原子比镍钛钪合金薄膜,分别采用快速热处理和传统热处理对合金薄膜进行了退火,使用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了薄膜的微结构和表面形貌。结果显示薄膜呈现柱状生长,不同的退火方式影响薄膜的析出相,快速退火处理后,随着钪含量的增加,B2奥氏体相占优并伴随Ni4Ti3析出相;而传统热处理过程还会析出Ti2Ni相。     

一氧化碳在外延薄膜Pd(111)表面的催化氧化

在外延薄膜Pd(111)表面上暴露覆盖系数θ≈0.45一氧化碳后,仍能吸附氧并发生一氧化碳催化氧化反应,这与在由溅射、退火方法制备的体材料钯表面上观察到的结果不同,其原因可能归结于两者微观形貌的差别。     

退火对TiO2和Ta2O5光学薄膜的结构和光学性质的影响

将反应磁控溅射制备的二氧化钛和五氧化二钽薄膜在温度400℃的条件下退火处理.利用X射线衍射、原子力显微镜和分光光度计等设备对退火后薄膜的结构、表面形貌和光学性质进行研究.实验表明:退火后的T iO2薄膜为多晶结构,薄膜的表面粗糙度、折射率和消光系数都出现增大现象.然而,对于退火后的T a2O5薄膜,它的结构还是非晶态,薄膜的表面粗糙度比退火前小;同时折射率和消光系数均有减小.这些结果说明薄膜退火后的特性与薄膜材料的内部结构及结晶转变温度等有密切相关.     

电弧离子镀TiN TiAlN薄膜的制备及高温退火研究

利用电弧离子镀技术在不锈钢衬底上沉积了ＴｉＮ,ＴｉＡｌＮ薄膜,并对两种样品分别在大气环境下进行了高温退火。退火前后都做了Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）谱及硬度测量,发现退火后ＴｉＡｌＮ薄膜表面出现Ａｌ２Ｏ３层,该层的出现使ＴｉＡｌＮ薄膜的高温特性大大好于ＴｉＮ涂层,在机械工业中将会有广泛的应用前景。     

Hg1—xCdxTe液相外延薄膜的貌相分析

用扫描电子显微镜、能量散射Ｘ－射线分析及金相显微镜等方法，研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的表面形貌与衬底沾污等的关系，以及外延层夹杂和晶界存在的影响。结果表明，衬底沾污及晶界的存在会使外延薄膜的貌相变差；生长前衬底表面覆盖可以减轻其表面沾污，用适当的回熔ＬＰＥ工艺，可以改进外延层表面形貌及质量     

MoSi2基复相材料的研究进展

通过对MoSi2复相材料近年来研究进展的总结,阐述了合金化和复合化对MoSi2基复相材料性能的改善,着重叙述了MoSi2-SiC系复相材料的制备方法,以及增强相的含量对力学性能的影响。研究结果表明,通过基体的改性和复合化,使复相材料的强韧性得到很大程度的提高,而不同的制备工艺所得到材料的性能有成倍的差异。因此,协同优化增强剂种类、数量和多种制备工艺的有机结合,是制备高性能复相材料的关键;同时,介绍了同种有发展前景的复相材料,并提出了MoSi2基复相材料的研究发展趋势。     

电解质对钴离子浮选影响的研究(英文)

通过浮选试验,沉淀试验,溶液组分分析等手段查明了NaCl,Na_2SO_4,Na_2CO_3对钴离子浮选的影响和影响机理。指出:以二乙基二硫代氨基甲酸钠或丁黄药为捕收剂时,NaCl,Na_2SO_4对钴离子浮选无害;Na_2CO_3因与钴离子和捕收剂离子生成溶解度较大的混配形络合物对浮选不利,捕收剂需过量添加才能使钴完全浮选。     

催化光度法同时测痕量铜、钴的研究

本文研究了痕量铜、钴对过氧化氢氧化铬天青S褪色的催化作用,利用不同酸度下的反应速度差异,建立了催化光度法同时测定痕量铜、钴的新方法.     

双金属MEL结构杂原子分子筛催化性能的研究

研究了Ｈ２Ｏ存在下双金属ＣｒＣｏ－、ＶＣｒ－、ＶＣｏ－、ＶＮｉ－、ＣｒＮｉＭＥＬ结构杂原子分子筛对环己醇、２－丁醇、２－丙醇、环己烯的选择氧化催化性能,并考察了反应温度及Ｈ２Ｏ２浓度对环己烯催化氧化反应的影响。结果表明,反应物不同,活性亦不同,其顺序为环为已烯〉环己醇〉２－丁醇〉２－丙醇;ＣｒＮｉ、ＣｒＣｏＭＥＬ分子筛活性较高,而ＶＣｏ－、ＶＣｒ－、ＶＮｉＭＥＬ分子筛活性较低,反应温度和Ｈ２Ｏ２浓     

锌钴异常共沉积机理研究

用电化学方法研究了锌钴异常共沉积机理。实验结果表明,单独电沉积时,在不同电极上,钴离子的沉积电位都比锌离子正100mV至200mV;当锌钴共沉积时,钴受到抑制,其沉积电位变得比锌更负。用锑微电极跟踪电极表面附近pH值发现,钴沉积时,电极表面附近pH值升高。同时,Zn~(2 )生成Zn(OH)_2,并吸附在电极表面上,阻碍CO~(2 )的进一步放电。据此阐明了锌钴异常共沉积机理。     

原位红外光谱研究Kolbel-Engelhardt反应在Co/SiO_2催化剂上的机理

用原位红外光谱技术研究 Co/SiO_2催化剂上的 Kolbel-Engelhardt 反应,发现两个吸收峰(585,1390cm~(-1)).与甲酸的吸附比较证实,此两峰为甲酸根在金属钴原子上的吸附所产生的吸收峰,由此我们认为:甲酸根可能是 Kolbel-Engelhardt 反应的中间体。     

Heat Treatment of WC-Co Hardmetals and Transformation Temperature of Cobalt Phase

The Present work has found that the transverse rupture stren -gth of WC-Co hardmetals can be improved by queuching heat treatment. The increment of transverse rupture strength (4TRS) was dependent on the cobalt content of hardmetal. The higher the cobalt content of hardmetal is, the more the increment of transverse rupture strength is. The main reason is that the transformation of face centered cubic cobalt stabilized at high temperature to hexagonal close packed cobalt can be depressed by quenching. The transformation temperature of hexagonal close packed cobalt binder phase was determined by differential thermal analysis. It was found that the transformation temperature increases with increase of cobalt content of hardmetal. The reason is that the cobalt binder phase of high cobalt hardmetal contains higher tungsten content than that of low cobalt hardmetal after quenching.     

聚四氨基酞菁钴对氧还原的电催化性质

研究了聚四氨基酞菁钴修饰电极(p-CoTAPc／GC)催化氧还原反应的性质,用电聚合法在玻碳电极上制备p-p-CoTAPc／GC,并用循环伏安法研究其对氧还原催化的性质,结果表明：氧气的浓度及扫速对催化存在影响,随着氧气浓度的增加催化反应速度加快。     

镉离子对硫酸锌溶液除钴的影响及机理探索

采用电子探针分析硫酸锌溶液净化渣,试图证实从硫酸锌溶液中除钴的机理。实验结果表明,Cd2 对除钴是很有益的,所以,在除钴之前把Cd2 完全除去是不完全正确的,应该把Cd2 作为除钴的一种添加剂。镉可以起到阻止碱式硫酸锌或氢氧化锌吸附在锌粉表面的作用。欲加速钴的置换和提高置换效率,必须形成锌-钴合金或锌-镉合金。锌-钴合金和锌-镉合金的共同形成比单独锌-钴合金的效果要好。锌-铜合金的形成,可能对提高除钴置换效率没有帮助。     

废催化剂焙烧水浸渣中硫酸浸取钴的动力学研究

以废催化剂处理过程中得到的镍钴渣为研究对象,采用硫酸浸出镍钴渣,使钴和镍得到有效回收,并对硫酸浸出钴的动力学进行探讨。研究结果表明:搅拌速度为400～1200r/min时对钴浸出率的影响非常小,物料粒度、硫酸浓度和反应温度等因素对钴浸出率则有较大影响;当反应温度为80℃,反应时间为180min,原料粒度为(0.074～0.100)mm,H2SO4浓度为6mol/L,搅拌速度为800r/min,固液比为1:10时,钴的浸出率为94.2%,镍的浸出率则为93.5%;硫酸浸出镍钴渣的反应受产物层内扩散控制,表观活化能为16.34kJ/mol。