高离化态Si泊束箔光谱的理论分析

用ＨＸＢ方法了Ｓｉ离子高离化态束光谱的跃迁波长、振子强度、跃迁几率以及能级寿命等,对不同束流能量入射下的Ｓｉ离子谱进行具体分析,并将部分计算结果与有关文献中的值做了比较。     

Li,Be,B和C离子自反射系数的理论计算

用改进的离子输运双群模型，计算了几种垂直入射时的自反射系数。计算结果表明，利用离子输运双群模型算得的自反射系数与Ｅｃｋｓｔｅｉｎ和Ｂｉｅｒｓａｃｋ用ＴＲＩＭ－８６给出的结果以及Ｔｈｏｍａｓ，Ｊａｎｅｖ和Ｓｍｉｔｈ的编评数据符合较好。     

超热电子渡越辐射与高能质子发射的比较研究

在超短超强激光-固体靶相互作用过程中,通过对超热电子输运产生的渡越辐射光斑与高能质子发射的空间分布图案进行比较,渡越辐射光斑与高能质子发射的空间分布图案非常相似,都呈圆盘状．通过对渡越辐射光强随靶厚度的关系曲线、超热电子输运能量沉积随靶厚度的关系曲线以及文献中已有的高能质子能量随靶厚度的关系曲线进行比较,3条曲线的形状也非常相似,都在10μm靶厚度处存在转折点．分析表明,超热电子输运产生的渡越辐射与高能质子发射存在一定的内在联系,而这个联系就是超热电子输运而产生的静电场。     

^4He^＋离子在C和Cu上能量沉积系数的理论计算

利用部分地考虑能量损失的角关联的改进离子输运双群模型，计算了＾４Ｈｅ＾＋离子垂直入射到Ｃ和Ｃｕ上的能量沉积参数，改进了早期的离子输运双群模型。     

无机离子在硅胶薄层上的色谱行为研究

以甲基异丁基甲酮（ＭＩＢＫ）－甲酸（ＦＡ）为流动相，对一些无机离子在硅胶薄层上的色谱行为进行了研究，得出了无机离子的Ｒ＿Ｆ值与流动相中强极性溶剂甲酸的体积百分浓度Ｃ＿ｐ之间的关系以及所用流动相的溶剂性质参数Ｂ值．利用该流动相体系对部分多元离子混合液进行了分离．     

液态金属离子源与聚焦离子束的研制进展

为了适应大规模集成器件制作工艺发展的需要，开展了液态金属离子源（ＬＭＩＳ）和聚 焦离子束（ＮＢ）的研究。研制成针型、同轴针型与毛细管型的镓与金ＬＭＩＳ，Ａｕ－Ｓｉ、Ａｕ－ Ｓｉ－Ｂｅ与 Ｐｄ－Ｎｉ－Ｓｉ－Ｂｅ－Ｂ三种共晶合金型 ＬＭＩＳ：研究了带有控制栅极的 ＬＭＩＳ的控 制性能；编制了计算聚焦离子枪所需的程序；制成三种型式的聚焦离子枪并获得０．１μｍ 直径的聚焦离子束；制成扫描离子显微镜（ＳＩＭ）；初步开展了刻蚀试验。     

碳离子不同入射深度上番茄种子的发芽率和染色体畸变

作者用碳离子束辐照多层重叠番茄种子的方法,研究了离子的入射深度与种子的发芽率和根尖细胞染色体畸变水平之间的关系,结果表明:置于离子束通道部位的种子发芽率较高,染色体畸变水平则较低;置于离子射程末端Bragg峰区的种子发芽率较低,染色体畸变水平则较高。这些趋势与离子在入射深度上的物理剂量分布特点相一致。     

离子特征拓扑指数与镧系离子理化性质的关系

对于无机物的定量结构与性质相关性 (ＱＳＰＲ)研究的实例不多[1].本文根据辛厚文等人的键参数拓扑指数[2 ]提出离子特征拓扑指数 (Ｉｔ) ,用于镧系元素 (Ｌｎ)的 3价离子 (Ｌｎ3 )的 1 0种性质 (Ｐｉ)相关性研究 ,取得了令人满意的线性相关性 ,其中 8种性质的相关系数在 0 .99以上 .1　离子特征拓扑指数Ｉｔ辛厚文等人的键参数拓扑指数 (Ｈ11) [2 ]为 :Ｈ11={Σｉ[(1 Δｉ)ＰｉＱｉ] - 1} 2 (1 )式中“Σ”是对分子图中所有边 (键 )求和 ;Ｐｉ、Ｑｉ 为ｉ边的两顶点 (原子 )的支化度 ;Δｉ 是ｉ边两顶点原子的键参数之差 .对于某元素的离…     

稀土离子f→f跃迁振子强度计算：计算机在化学中的应用

通过Ｂａｓｉｃ程序，对Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ稀土离子振子强度理论公式建立了线性回归方程，并对水溶液体系Ｈ￣（３＋）＿０进行实际运算，该程序可以处理稀土离子的任何体系，对稀土离子振子强度研究具有很重要的价值．     

激光溅射产生团簇负离子C_nX~－（X＝N，P，As，Sb和Bi）

通过激光溅射固体样品，产生了ⅤＢ簇元素的杂碳团簇ＣｎＸ－（Ｘ＝Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ和Ｂｉ）．随着从Ｎ到Ｂｉ的变化，ＣｎＸ－的奇偶效应也产生了由奇强偶弱变化到偶强奇弱变化．根据Ｐｉｔｚｅｒ等人提出的杂化轨道理论和Ｈｕｃｋｌｅ模型，结合ⅤＢ簇元素性质的变化规律，对实验现象给予了可能的解释：本文认为ＣｎＮ团簇取直链构型（∶Ｃ≡Ｃ—Ｃ≡Ｃ···Ｃ≡Ｎ∶），Ｃｎ与Ｎ之间形成共价键；对于ＣｎＢｉ团簇，Ｃｎ与Ｂｉ之间可能形成离子键（Ｃｎ仍为类似聚炔的直链共轭体系）；对于其它三种团簇可能存在Ｃｎ与Ｘ之间离子键与共价键共振，随着电负性由大到小，共价键成分逐渐减弱，而离子键成分逐渐增强，因此出现了奇偶效应的变化．     

用电火花技术制作P型高阻硅的欧姆接触

检测高阳硅单晶材料的杂质补偿度和迁移率时,必须要有良好的欧姆接触。本文提出用银头烙铁将多元合金(InBAlNi)涂敷在P型硅片上,经电火花放电技术可对电阻率高达1000Ωcm的样品制成欧姆接触。通过电流电压特性、接触电阻率和离子探针的测量,讨论了欧姆接触的机理和载流子输运的特征。电火花技术使多元合金与高阻P型硅样品在电容器放电的瞬间所产生的高能量作用下,交界面处的硅与合金相互熔融,冷却时,电活性受主元素又以高浓度析出,使原来的高阻硅变为P~ ,形成了欧姆接触。不同温度的接触电阻率测量,结合与掺杂浓度关系的计算表明,穿过金属与半导体硅接触的电流输运是热离子场发射机理,载流子隧穿势垒是主要的输运过程。     

托卡马克装置EAST中快离子反常扩散对热输运的影响

研究了EAST装置中性束注入加热等离子体时的快离子扩散行为,并研究了其对等离子体有效热输运系数的影响。通过利用输运代码(TRANSP)程序以及蒙特卡洛代码(NUBEAM)模块对等离子体放电进行模拟,发现当安全因子的最小值qmin接近于2的时候,快离子的扩散是反常的;当qmin约等于1时,快离子扩散符合新经典理论。此外发现当快离子反常扩散时会导致中性束注入(NBI)的加热效率降低,并且等离子体储能以及总加热功率也会发生明显下降,且快离子扩散和电子温度会对等离子体有效热输运系数产生相反影响。该研究结果有助于理解EAST装置在有NBI情况时的快离子反常输运并为实验提供指导。     

离子注入的^75As在SiO2薄膜中的射程参数

用热氧化的方法在Ｓｉ片上制备了不同厚度的ＳｉＯ２薄膜，把能量１００ｋｅＶ和１８０ｋｅＶ的＾７５Ａｓ离子分别注入上述衬底，用２．１ＭｅＶ的＾４Ｈｅ离子对注入后的样品作了背散射分析。测出了＾７５Ａｓ在样品中的射程发布。将实验测出的射程参数与ＴＲＩＭ９０程序预言的结果作了比较，结果表明，实验测量的Ｒ＾ｅｘｐｐ普遍大于ΔＲ＾ｖａｌｐ，上述现象产生的原因可能是在注入过程中Ａｓ原子发生了辐射增强扩散。     

Co~(16+)离子电子碰撞L层电子电离布居Co~(17+)离子激发能级的速率系数

在库仑-玻恩交换近似下,使用由我们改善了的Sampson的Z标度类氢模型及Grant的多组态Dirac-Fock(MCDF)程序包,计及了高荷电靶离子的相对论效应,计算了元素Co的类Na离子L层电子碰撞电离产生的类NeCo离子n=3激发能级布居的速率系数,所得结果比采用原始的Sampson方法计算的结果降低了25％左右。     

N—烯丙基—N‘—（对苯磺酸钠）硫脲在锑的鉴定中对干扰离子的掩蔽作用

本文以实验为基础,提出了用罗丹明Ｂ试法鉴定Ｓｂ（Ⅴ）时,用Ｎ－烯丙基－Ｎ’－（对苯磺酸钠）硫脲同时掩蔽Ｈｇ＾２＋,Ｂｉ＾３＋,Ｆｅ＾３＋,Ａｕ＾３＋四种离子对鉴定Ｓｂ（Ｖ）的干扰的简便有效的方法。     

高离化态Si的束箔光谱的理论分析

用ＨＸＢ方法计算了Ｓｉ离子高离化态束箔光谱的跃迁波长、振子强度、跃迁几率以及能级寿命等．对不同束流能量入射下的Ｓｉ离子谱进行了具体分析．并将部分计算结果与有关文献中的实验值做了比较     

激光烧蚀铝等离子体的离子特性的实验研究

通过外加平行极极直流电场法，测定了准分子激光烧蚀Al靶产生微等离子体中离子形成的电流，研究了激光能量，气压以及电压等因素对等离子体中的离子特性的影响，并对离子产生的机制进行了讨论。     

低能Xe~(29+)入射Au靶Au M-X射线的产生机制研究

测定了动能为400~600keV的Xe29+离子入射Au靶产生Au的M-X射线谱,获得了射线产额与离子入射动能的实验关系.从两体碰撞过程的能量与角动量守恒出发,推导出了低能Xe29+离子与Au原子碰撞过程中Au M-X射线产额与离子动能的理论关系.结果表明,在该能量范围内,射线产额的理论值与实验结果符合得较好.     

MgSiO3的分子动力学模拟

使用分子动力学模拟ＭｇＳｉＯ３以研究它的相变和超离子态．模拟采用Ｇｏｒｄｏｎ－Ｋｉｍ势和一种新的检测离子运动的技术．这项技术可以清楚地表现Ｏ２－离子的子晶格的熔解和八面体ＳｉＯ６的旋转．研究表明,ＭｇＳｉＯ３必须经历几番相变才能进入立方相．特别是在正交相和立方相之间存在一个过渡相．ＭｇＳｉＯ３确实存在超离子态相和立方相．这个超离子态相存在于熔点之前约２００～７００Ｋ．超离子态起始温度Ｔｃ和晶体熔点温度Ｔｍ的比率Ｔｃ／Ｔｍ～０．９２     

Fe液中Bi蒸气溶解平衡及第三组元的影响

用密封反应室气液平衡法，测定了Ｂｉ蒸气在Ｆｅ液中的溶解平衡及第三组元Ｃｒ，Ｃｕ，Ｃ，Ａｌ和Ｓｉ对Ｂｉ溶解量的影响，得到Ｆｅ液中Ｂｉ蒸气溶解反应标准溶解吉布氏自由能与温度的关系式，以及１８７３Ｋ温度下Ｆｅ液中第三组元与Ｂｉ的活度相互作用系数。