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采用５～６Ｎ的高纯Ａｇ，Ｇａ，Ｓｅ单质按ＡｇＧａＳｅ２的化学配比配料，在１１００℃下合成了单相的ＡｇＧａＳｅ２多晶原料．用改进的布里奇曼法生长出２２ｍｍ×７０ｍｍ的ＡｇＧａＳｅ２单晶体，并对其品质进行了研究．结果表明：生长的晶体完整性好，具有较高的光学质量，用于对１０．６μｍ的ＣＯ２激光倍频，获得了８．２％的能量转换效率 相似文献
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硒镓银单晶体在ＡｇＣａＳｅ２粉末包裹下进行退火，差热分析和红外透过率的测量结果表明，晶体中富Ｇａ２Ｓｅ３第二相脱溶物被消除，显著地改善了ＡｇＧａＳｅ２晶体的透明度。 相似文献
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碘化汞室温X射线探测器的研制 总被引：2，自引：0，他引：2
碘化汞室温Ｘ射线探测器的研制李正辉，邹联隆，曹瑞钦，李伟堂（材料科学系）自本世纪７０年代初Ｗｉｌｌｉｎｇ等首先用碘化汞（ＨｇＩ２）晶体制成室温半导体核辐射探测器［１］以来，该晶体在生长和应用等方面都取得了很大的进展［２～４］．由于ＨｇＩ２晶体有效原子... 相似文献
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利用扩展休克尔方法,结合自包容子程序,计算了卤化银晶体的能带结构,得出了带隙和价带宽度。结果表明三种晶体皆为非直接带隙物质。 相似文献
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咪唑银晶体由三个不同方向的一维链缠绕在一起,这种缠绕在配位化合物中十分罕见。该聚合物为单斜晶系,其空间群为P212121,a 10.798(4),b 13.449(4),c 14.978(6) 牛琕 2175.1(4) ?,单位晶胞中的分子个数Z = 20。将其放在浓度为30%的氢氧化钠溶液中或者37%的盐酸溶液或10%硫氰酸铵或10%的乙二胺四乙酸中煮沸两个小时,这个无色的棱柱状晶系(1 1 2 mm)的结构保持不变。 相似文献
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该文研究了HgI2晶体表面状况对晶体电学性质的影响,主要探讨在不同的腐蚀条件下KI溶液腐蚀HgI2晶体时,得到不同的表面状况,从而对HgI2晶体电学性质产生的影响.扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)及微电流计分析表明,通过化学腐蚀,在0℃时,用浓度为10%～20%KI溶液,腐蚀时间2min左右,可以得到较好的晶体表面状况.上述工艺条件,能够很大程度上优化HgI2晶体的电学参数,从而提高HgI2核探测器的性能. 相似文献
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在中子管上加装α粒子探测器 总被引：2，自引：1，他引：1
讨论了在中子管上加装α粒子探测器的一些问题，给出了在中子管上加装α粒子探测器的具体方法：用在玻璃表面涂闪烁材料（ＺｎＳ（Ａｇ））的方法制成了适合中子管制作工艺条件的α粒子探测器；并对α粒子探测器和带α粒子探测器的中子管的性能做了讨论。 相似文献
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便携式Si（Li）X射线探测器的研制 总被引：1，自引：1，他引：1
报道了所研制的便携式Ｓｉ（Ｌｉ）Ｘ射线探测器，其能量分辩为１５３ｅＶ，液氮保持时间为４０ｈ，充满液氮后的重量为８．２ｋｆ，已用于携带式同位素激发Ｘ射线荧光分析仪中。 相似文献
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把4个直径5cm的复合晶体探测器(NaI/BaF_2,NaI/BGO,NaI/CsI和NaI/NaI)用气球载至36km高空,观测了它们的本底水平。无论是在符合或反符合状态工作,4个复合晶体探测器主晶体的积分计数率基本一致。NaI/BGO探测器的计数率微分谱低于NaI/CsI和NaI/NaI探测器的相应值;NaI/BaF_2探测器的符合计数率微分谱低于NaI/CsI和NaI/NaI,而反符合计数率微分谱不高于NaI/CsI和NaI/NaI的相应值。 相似文献
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成功地研制一种适用于带α粒子探测器中子管的聚束型离子源，它结构优化，工作稳定，完全符合带有α粒子探测器的中子管，在低气环境下输出较大束流，质子比相对较高，并且靶点小于φ５ｍｍ的要求。 相似文献
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用真空热迁移法，以高纯石墨作为加热元件，构成大面积均匀热板，并以纯铁为冷板，通过严格控制冷、热板的温度，形成稳定的热梯度场。采用高阻单晶硅作为探测器的基体材料，在硅片表面用激光来进行刻槽，在其表面上蒸铝后，置于热迁移场中进行热迁移。按照探测器的要求，蒸发钛－钯－银构成电极，经钝化处理后沉淀适当厚度的Ａｌ层作为窗口，构成垂直多重结Ｘ射线探测器。探测器具有良好的光谱响应，对Ｘ射线有较高的灵敏度，适于较 相似文献
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银纳米材料制备的新方法及其表征 总被引：6，自引：1，他引：5
聚乙二醇或聚乙二醇和水作溶剂,制备出银纳米颗粒和纳米级银链;用红外光谱(IR)、X-射线粉末衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)测试手段对其结构和形貌进行了表征,并分析银纳米链的形成机理. 相似文献