NaI晶体能态密度的研究

ＥＨＭＯ方法结合特殊点方案，利用自包容子程序，计算了ＮａＩ晶体的态密度，确定了价级位置，得出了其能隙和价带宽度。     

准周期光子晶体的态密度

本文研究了准晶光子晶体的局域态密度和全态密度.结果表明,准晶光子晶体的局域态密度分布具有和准晶光子晶体完全相同的对称性,带隙内光子晶体中的态密度很小,不同的准晶光子晶体的局域态密度随介电材料的占空比的变化是不同的,这对构造准晶光子晶体是非常重要的.准晶光子晶体的全态密度所显示的带隙和透过率显示的带隙的一致性表明准晶光子晶体在某种程度上是各向同性的.     

液态态密度的计算

本文较详细地叙述了液态态密度的计算方法，并报道了该方法应用于熔融ＲｂＣｌ的一些计算结果。     

等价的非晶硅隙态密度分布

本文证明:在某些条件下,描述非晶硅隙态密度的三种基本分布模型,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算非晶硅隙态过剩电子密度、解金属/非晶硅势垒区泊松方程和计算势垒区静态电容时是等价的。这就暗示不能从上述分析确定唯一的非晶硅隙态密度分布形式。     

NaI晶体能态密度的研究

EHMO方法结合特殊点方案,利用自包容子程序,计算了NaI晶体的态密度,确定了价级位置,得出了其能隙和价带宽度。     

非磁性杂质对碳纳米管态密度的影响研究

针对非磁性杂质对碳纳米管的影响问题作了系统理论的分析,为设计和实现具有优良性能的基于碳纳米管的量子器件提供理论依据.应用格林函数方法计算态密度的结果表明,单个点缺陷在碳纳米管中引起准束缚态;给出准束缚态能级和峰宽的解析公式,分析它们与碳纳米管手型和直径之间的关系;逐点计算局域态密度发现,在实空间准束缚态是一个非常局域化...     

非磁性杂质对碳纳米管态密度的影响研究

针对非磁性杂质对碳纳米管的影响问题作了系统理论的分析,为设计和实现具有优良性能的基于碳纳米管的量子器件提供理论依据.应用格林函数方法计算态密度的结果表明,单个点缺陷在碳纳米管中引起准束缚态;给出准束缚态能级和峰宽的解析公式,分析它们与碳纳米管手型和直径之间的关系;逐点计算局域态密度发现,在实空间准束缚态是一个非常局域化的效应,离开缺陷即迅速衰减.同时,缺陷在碳纳米管中会引起Friedel振荡,其方向与碳纳米管手型有关.     

面心立方结构光子晶体中方向性局域态密度快速计算研究

基于点群变换方法推导出局域态密度的平均可积函数,研究了面心立方结构的方向性局域态密度. 提出一种点群操作法,简化在第一布里渊区的计算量,在相同计算精度下,计算速度提高将近360倍.     

重费米子系统态密度

本文将Slave-boson平均场方法应用于Kondo晶格模型,计算了低温下重费米子系统的电子态密度。结果表明:在极低温度下费米面存在赝能隙;在较高温度下此赝能隙将为态密度峰所取代。     

量子阱中电子扩展态态密度与分离求和向连续积分过渡的问题

本文分析了现有文献中关于量子阱中电子扩展态态密度计算的几种结果的差异性和原因,从而论证了我们采用的格林函数方法所得结果的正确性．     

卤化钠晶体能态密度的研究

扩展休克尔方法结合特殊点方案,利用自包容子程序,计算了卤化钠晶体的能态密度．确定了价级位置,得出了能隙和价带宽度,与实验数据及其他理论计算结果比较表明,该方法不但简便,而且所得结果与实验数据符合较好．     

冲击振子混沌态的几率密度与赝温度

用相空间表示点的运动来描写混沌态的赝随机变化。根据Ｆｏｋｋｅｒ Ｐｌａｎｃｋ方程计算出了冲击振子混沌态的几率密度，并以之作为混沌态“乱中有序”的一种标志。同时提出用计算得到的“赝温度”公式来表征混沌态的赝随机程度。     

量子阱中电子扩展态态密度与分离求和向连续积分过 …

本文分析了现有文献中关于量子阱中电子扩展态态密度计算的几种结果的差异性和原因，从而论证了我们采用的格林函数方法所得结果的正确性。     

非正态随机向量分布密度函数的一个刻划

本文给出了所有边际分布是正态分布而联合分布不是正态分布的随机向量（ξ1,ξ2,…，ξn）的分布密度函数的一个刻划。     

ZC36微电流测试仪测量非晶硅有效隙态密度

首次报告了用国产的廉价的ＺＣ３６型微电流测试仪测量非晶硅有效隙密度的原理和结果，其结果与美国生产的昂贵的４０６１Ａ型半导综合测试仪测量结果相一致。     

金属／非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布

本文证明:在一定条件下,描述非晶硅隙态密度分布的三种基本函数,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算金属/非晶硅势垒低频电容时也是等价的.并通过测量室温时低频势垒电容,得到了隙态密度分布函数模型等价的标准.     

自洽法计算非晶硅的带隙态密度

本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任何假设,采用电子占据局域态的费米统计分布和占据扩展态的玻耳兹曼分布,应用自洽的原理,能够在较大的能量范围内计算出a-Si:H的带隙态密度分布,运算过程中以电势V为自变量,减少了对电势、电场和电荷密度等量空间分布的计算,简化了分析,提高了精度,减少了运算量。应用该法计算出了a—Si:H样品的带隙态密度在费米能级以上0.1eV到0.45 eV能量范围内的分布,它的最小值在费米能级附近,约为10~(16)cm~(-3)·eV~(-1)。     

KSi能带结构及态密度的第一性原理研究

采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对KSi的电子结构进行了理论计算,计算表明KSi是一种准直接带隙半导体,禁带宽度为1.42 eV.详细讨论了KSi在费米面附近的价带与导带的电子态密度的结构.