金刚石薄膜电容的欧姆接触

用本征金刚石薄膜制备的电容具有高储能，高击穿电压，耐高温，基本电阻可调节以及良好的化学稳定性等特点.金属与金刚石薄膜形成欧姆接触是电极金属的选取是制备金刚石薄膜电容的重要一步.本文主要研究金刚石薄膜的欧姆接触及其I-V曲线.     

多晶硅薄膜和金属铝接触的研究

研究了ｎ型多晶硅薄膜和铝的欧姆按触、整流接触。在掺杂浓度Ｎ≥２．９×１０１９ ｃｍ－３的情况下为欧姆接触：在掺杂浓度Ｎ≤２．９×１０１８ｃｍ－３的情况下为整流接触； 用ＴＬＭ方法测出了Ｎ＝２．９×１０１９ｃｍ－３时的接触电阻率ρｃ＝５．５４×１０－３Ω．ｃｍ２； 从理论上定量地分析了掺杂浓度（１．４×１０１７～２．９×１０１９）ｃｍ－３的Ｕ－Ｉ特性曲线．理 论计算结果和实验数据符合较好．讨论了肖特基势垒高度φｂ和晶粒间界势垒高度φｇ 随掺杂浓度变化的规律，φｂ不随Ｎ变化，保持为常数；而φｇ却有极值。在实验 方面．探讨了用Ｔｉ代替Ａ１实现低阻浅结欧姆接触的可能性。在掺杂浓度较低的情 况下，给出了制备欧姆接触的方法。     

类金刚石薄膜和金刚石薄膜的制备

本文介绍了类金刚石薄膜和金刚石薄膜的制备原理和4种方法,同时指出了它们的应用前景。     

多晶硅接触薄发射极欧姆接触电极的研究

提出了制备新型多晶硅接触薄发射极晶闸管薄发射极欧姆电极的新结构－Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｏｌｙｓｉ．结构。通过实验研究和对Ａｌ－Ｔｉ－Ｓｉ系统反应动力学的分析，解决了此结构的关键问题－Ｔｉ层厚度的确定方法及其制备工艺条件；对此结构的有效性和质量，即浅结的完整性以及欧姆接触电阻的大小进行了实验检查。采用此结构，已成功地制备出低损耗、快速薄发射极晶闸管管芯样品。     

Al金属多晶硅纳米膜欧姆接触的制作

利用低压化学气相淀积法(LPCVD)在表面有热氧化二氧化硅的(100)硅衬底上生长80nm厚多晶硅纳米膜,并对其界面进行表征.制作出单层Al金属的欧姆接触样品,在不同退火温度条件下对样片的电阻进行测量.结果表明,退火使欧姆接触的电阻率降低,接触电阻率可达到2.41×10-3Ω.cm2.     

欧姆接触电阻率测量方法的比较研究

根据材料的厚度对金属-半导体间的欧姆接触电阻率的测量方法做了分类,并分别介绍了各种方法的原理.分析了它们的误差形成原因以及对结果的影响,比较了它们的优劣,探讨了在不同情况下最合适的办法.     

欧姆接触电阻率测量方法的比较研究

根据材料的厚度对金属-半导体间的欧姆接触电阻率的测量方法做了分类,并分别介绍了各种方法的原理。分析了它们的误差形成原因以及对结果的影响,比较了它们的优劣,探讨了在不同情况下最合适的办法。     

通过改变费米能级钉扎效应制备6H-SiC欧姆接触的特性研究

作者通过氧化、刻蚀和沸水处理的方法，在n型6H－SiC的C面上制备了线性较好的欧姆接触。作者对C面和Si面的欧姆接触的退火特性进行了比较和研究；并对形成欧姆接触的物理机理进行了讨论，研究了这种欧姆接触在大密度电流下的特性。     

人造金刚石薄膜的合成及其应用

本文对人造金刚石薄膜的五种典型合成方法进行了比较,并对其应用范围、发展现状和前景做了较详细地阐述。     

GaN次接触层对SiC光导开关欧姆接触的改进研究

大功率SiC光导开关存在接触电阻过高、接触退化的问题.为此,在接触金属与sic基片之间增加一层n+-GaN次接触层,光导开关的导通电阻随之下降两个数量级,而光电流效率增加两个数量级.     

微波等离子体CVD金刚石薄膜的显微结构

用扫描电镜（ＳＥＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）对６种微波等离子体ＣＶＤ金刚石薄膜的表面形貌和显微结构进行了研究，结果表明：在金刚石晶粒长大过程中，（１１１）面方向长大时产生密度很高的微挛晶缺陷，而（１００）面方向长大时产生的晶体缺陷较少。     

金刚石膜和氢化非晶碳膜电阻率测量的对比研究

对金刚石膜和氢化非晶碳膜的电阻率测试方法进行了对比研究，即对金刚石膜采用“大”尺度电极，氢化非晶碳膜采用“大”尺度电极和小尺度电极测量I－V曲线进行对比分析和讨论，得出了有意义的结果。     

V掺杂对类金刚石薄膜性能的影响

通过磁控溅射的方法,使用石墨靶、V靶复合拼接靶,以氩气作为辅助气体,成功制备了不同原子分数的V掺杂类金刚石薄膜。采用拉曼光谱仪、电子探针X射线显微分析仪、X射线光电子能谱仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜、纳米压痕仪、薄膜应力仪、往复摩擦磨损试验机等设备研究了V掺杂对类金刚石薄膜微观结构、力学性能、摩擦学性能的影响。结果表明,V掺杂提高了类金刚石薄膜的力学性能,当薄膜中V的原子分数为54.28%时,薄膜的硬度和弹性模量分别为14.1 GPa和147.6 GPa。掺杂V后,薄膜中生成了V₂O₅,降低了薄膜的耐磨性能。这主要是因为V促进了sp³杂化C数量的增加,并且在摩擦过程中,薄膜中的sp³杂化C的数量进一步增加,导致其硬度升高,耐磨性能下降。     

合成金刚石薄膜生长工艺的研究

采用一种快速生长金刚石薄膜的直流等离子体弧焰合成法，进行生长金刚石薄膜的实验。讨论了生长金刚石薄膜时各种工艺条件对成膜形态的影响。ＳＥＭ照片与拉曼光谱分析表明，在工艺条件合适时，可快速生长金刚石薄膜。     

金属与PTC半导体陶瓷之间的欧姆接触机理的研究

本文提出金属与PTC半导体瓷之间的欧姆接触模型，通过实验证实了这个模型是正确的．并研究了金属电极与PTC半导体瓷形成欧姆接触的方法，满足了生产需要．     

基体预处理方式对合成类金刚石薄膜的影响

研究了不同的钛基体预处理方式对先驱聚合物合成类金刚石薄膜的影响,结果表明8字形研磨和平行研磨方式处理的基体上都长出了类金刚石薄膜,但是其表面形貌有很大的差别,平行研磨方式处理基体表面所引入的缺陷有利于金刚石相形成：引入中间过渡层镍Ni,可以增强薄膜与不锈钢基体的结合力,有利于金刚石的生成,XRD谱中可以看到弱的金刚石衍射峰;讨论了类金刚石薄膜中金刚石晶体生长的机制。     

金刚石薄膜的制备及其性能研究概述

金刚石薄膜是工业界继高温超导材料之后又一研究热点，近年来的研究工作已经取得了重大进展，文章对国内外学者在金刚石薄膜的制备，特性，生长机理以及摩擦特性等方面的研究进行了综合论述，以推动国内外金刚石薄膜基础研究和应用的发展，并提出要重视金刚石薄膜在摩擦学领域中的应用研究，使之为人类社会带来巨大的经济效益。