高性能InP／InP,InGaAs／InP体材料LP—MOCVD生长

给出利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ的条件，研究了ＩｎＰ／ＩｎＰ的生长特性、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的组份控制、生长特性及生长温度对ＩｎＧａＡｓ特性的影响．发现ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ最佳生长温度为６４０℃，得到ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ１６Ｋ光荧光（ＰＬ）谱全高半峰宽为３２．０ｎｍ，ＩｎＰ／ＩｎＰ室温霍尔迁移率为４３６０ｃｍ２／Ｖｓ，背景掺杂浓度为５×１０１４ｃｍ－３，Ｘ光双晶衍射全高半峰宽为２１＂．     

未掺杂SI—InP中缺陷的正电子寿命研究

在１０－３００Ｋ的温度范围内,测量了用液封直拉法（ＬＥＣ）生长的ｎ－ＩｎＰ经高温退火后形成的未掺杂ＳＩ－ＩｎＰ晶体的正电子寿命谱,用ＰＡＴＦＩＴ和ＭＥＬＴ两种技术分析了正电子寿命谱。常温下的结果表明,ＳＩ－ＩｎＰ中存在甸空位ＶＩｎ或与杂质的复合体缺陷。观察到在１０－２２０Ｋ之间正电子的平均寿命τｍ随温度的升高而减小,表明上述缺陷是带负电荷的铟空位ＶＩｎ的氢复合体;但是在低温下还存在正电子浅捕获态。     

InP／GaAs／InPⅡ型量子阱的光致发光研究

报道了用金属有机化合物化学气相沉积技术生长ＩｎＰ／ＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱结构，通过线性形变势理论计算表明该结构为Ⅱ型量子阱结构．低温光致发光测量结果与理论计算结果相符合     

应用LP—MOCVD方法研制InGaAs／InP应变量子阱LD

利用低压－金属有机化合物蒸汽沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）的方法研究在生长过程中温度和时间对ＰＮ结结位的影响,并用它来控制ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱激光器的ｐ－ｎ结结位．探讨在ＩｎＰ材料中使用ＤＥＺｎ和Ｈ２Ｓ做掺杂源时,Ｐ型和Ｎ型的杂质浓度和ＰＮ结控制的条件,得出在０．５％压缩条件下有源区阱层ＩｎＧａＡｓ和ＩｎＰ的应变量子阱激光器（ＬＤ）．当激光器实现室温脉冲激射时,可获得峰值功率＞１０６ｍＷ、阈值电流密度为２．６ｋＡ／ｃｍ２的应变量子阱激光器     

InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池结构的优化研究

用金属纳米粒子沉积在InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池表面,利用光散射来研究该电池改善后的光电性能。金属纳米粒子对量子阱太阳电池器件光电性能的作用结果是：用量子阱层与周围材料反射系数的差异来限制不同方向的入射光进入太阳电池器件侧面的传播路径。量子阱太阳电池通过这种结构优化设计,对于硅和 Au 纳米粒子,可以观察到短路电流密度分别增加了12.9%和7.3%,输出最大功率的转换效率分别增加了17%和1%。     

InP晶体材料中的杂质

本文给出了ＩｎＰ材料（１００）和（１１１）晶面的质谱分析结果，并对（１００）晶面做了光荧光分析．研究表明沾污主要来自硅     

差温生长法制备 1.55 μm InP/InGaAsP/InP 激光晶片

采用差温生长法制备了１．５５μｍＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光晶片．差温生长法是在高温（约６２６℃）状态下生长ＩｎＧａＡｓＰ有源层;然后降低温度,在低温（约６００℃）状态下生长Ｐ－ＩｎＰ上限制层．此方法有效地解决了这种结构长波区（λ＞１．４５μｍ）的回熔问题,并克服了其他方法的缺点．     

LP-MOCVD法制备高质量InP薄膜

本文报导以国产三甲基铟(TMIn)和进口的磷烷(PH_3)为源,采用低压金属有机化合物化学气相沉积(LP-MOCVD)方法,在InP衬底上生长高质量InP的工艺条件以及外延层的电学特性和光学特性.     

准分子激光直接刻蚀InP半导体材料

利用准分子激光的光解剥离即APD(Ablative Photodecomposition)效应,可直接对某些材料实施刻蚀加工,因而在半导体微细加工领域中具有重要意义。适合于准分子激光直接APD刻蚀加工的材料,目前见请报导的仅限于高分子聚合物,和以聚合物或玻璃为基底的金属薄膜。 InP材料是光电集成器件的重要材料,对其微加工技术的研究,目前各国都予以足     

用微计算机绘制合金相图

原理、解非线性热力学方程组的数值计算方法以及相图绘制的具体步骤和计算机程序。利用 ＩＢＭ－ＰＣ微计算机绘制了 Ｍｏ－Ｒｕ、 Ｐｔ－Ｒｅ、 Ｎｂ－Ｏｓ、 Ｗ－Ｐｄ、 Ｍｏ－Ｉｒ等二元系统的共晶、包晶相图，以及 Ｍｏ－Ｗ－Ｏｓ、 Ｒｅ－Ｈｆ－Ｍｏ等三元系统的等温截面相图，并和实验相图进行了比较。     

基于WWW的铝电解体系相图检索系统

建立了一个以因特网为介质的铝电解体系多元相图检索系统。该系统利用Web中的网页制作技术,采用动画、图解等多媒体手段,将文献中记录的大量有关的相图以交互的方式提供给用户。该系统是铝电解冶金培训与咨询系统中的相图子系统,包括二元相图、三元相图、四元相图、立体相图等部分。与主要通过绘制等温线或剖面图来描述某一体系的部分特性不同,该子系统试图利用动画的方式来显示相图,使用者可以从不同的侧面来研究这些相图。     

变极绕组相位图分析中的一般问题

在研究采用槽号相位图分析变极绕组时,将相位图按是否含负槽号分为两类,并分别指定了变前极基准方案.在此基础上,对变前极每相槽号按变后极相位排列的分布情况,提出均匀型系数的概念和计算方法,将槽号分布类型的辨识归结为判断“等效极相组”间的相位重叠及其最小相位差的求取问题,从而获得分布类型的判别条件式,为利用相位图参数预测及处理变极方案中的一些问题提供了理论基础.     

磁性超晶格的静磁能和磁相图的唯像理论研究

计算了包含不同自旋取向的单畴粒子具有短程交换相互作用能,各向异性能及长程偶极相互作用能的磁性超晶格的静磁能,利用能面图和局域能量极小模型得到了磁相图和磁滞回线,研究了有限尺寸和温度效应,计算结果较好解释了在超薄磁性薄膜中观察到的两种磁相（磁化强度平行和垂直于薄膜平面）的转变行为。     

非均匀冷却的碳钢动态相图

建立了非均匀连续冷却时的碳钢温度———成分状态图，并将这种状态图定义为动态相图。给出了几种典型的动态相图，简要讨论了其特点。     

热分析法绘制相图

利用差热分析（DTA）或差热扫描量热法（DSC）绘制相图,能够省时,省力,省样品,且准确性好,以CA／PA为例,详细说明其绘制方法。     

Collins模型和二维三元固液相图的竖直截面图

用Collins模型计算了二维三元系统的Gibbs自由能,利用热力学理论,在给定某组分或组分比的情况下,数值计算出二维三元系统的竖直截面图,所得结果与三维实际情形十分相似.     

箭线网络图确定的几个结论

提出紧前工序部相重的同一不完全工序关系对应的最优网络图实工序子图相同的结论,总结完善由工序关系分析确定最优箭线网络图虚工序的几个结论。     

核电常规岛及BOP部分泵与风机逻辑图标准化设计的应用

分析了岭澳一期核电站"常规岛及BOP部分"泵与风机逻辑图设计存在的问题,在岭澳二期设计过程中,结合本期工程的设计原则,提出了逻辑图标准化设计的解决方案,使设计效率大大提高。     

CH4／CO2体系化学气相淀积金刚石的非平衡定态相图计算

用非平衡热力学耦合模型首次获得了由ＣＨ４／ＣＯ２体系化学气相淀积金刚石的相图。该相图与用经典平衡热力学得 结果不同,相图中出现了１个金刚石的生长区,相图中的金刚石生长区是实现金刚石气相生长的热力学基础,它的存在体现了超平衡氢原子等激活粒子对石墨的激活和对金刚石的稳定作用。