铝合金牺牲阳极

试制了多种不含毒性元素Hg的铝合金,并测试它们作为牺牲阳极的性能,结果选出了Al—Zn—In—Sn系统,其电容量约为2300安-时/公斤,腐蚀产物疏松易脱落,表面腐蚀均匀,极化性能也好,适合于作为舰船船壳或其它海洋设施的阴极保护应用。     

一般性阳极处理

阳极处理是化成皮膜(Conversion Coating)技术的一种,本文对一般性阳极处理的目的、应用及制作技术进行了探讨。     

锗的阳极氧化

本文描述了对n一型锗进行阳极氧化的实验方法,得到了均匀的各种不同厚度的G_eO_2薄膜,采用了二种电解液:(1)醋酐65c.c.加上无水醋酸钠在醋酐中的饱和溶液5c、c;(2)醋酐500c、c加上21mgLiNO_3,实验证明采用后者得到较好的薄膜。膜的厚度测量是用光的干涉法得出。文章还叙述了阳极电位与时间的关系,氧化层厚度与时间的关系等规律,指出用这种方法可进行Ge扩散层中杂质浓度分布的研究,用适宜的条件,可以生长非常均匀的厚度达1000A以上的薄膜。     

铝电解预焙阳极原料配方对阳极过电位的影响

铝电解碳素阳极过电位高达400～600 mV,导致吨铝电耗和原铝的生产成本增加.作者通过不同原料配方(沥青量和残极添加量)工业试验预焙阳极取样,在实验室用"改进断电流法"进行阳极过电位测试,考察了铝用碳素阳极生产中粘结剂沥青含量和残极添加量对阳极过电位的影响.研究结果表明随着沥青量的增加,试验阳极的过电位变化不大,但略有降低;添加残极时带入的Na3AlF6,AlF3,Al2O3和NaF等杂质,可加速阳极过程的电化学和表面转化步骤,从而降低阳极过电位;阳极孔隙度过高可导致阳极过电位增大.     

圆筒形二极管中阴极阳极不同轴对阳极电流的影响

文中给出对於圆筒形二极管,阴极阳极不同轴所引起阳极电流数值改变的近似计算公式。 在研究圆筒形结构的二极管的静态特性时,发现只有在少数情况下实验结果真理论上按3/2次方定律计算的关系完全符合。一般阳极电流的数值与计算值相差10%左右。此误差部份地可以归咎于管内几何尺寸不正,例如阴极和阳极不同轴等。文中只分析一种情况即当阴极和阳极有一相对平行位移的不同轴情况。因系阴极阳极间有一平形位移故沿圆筒长度任一截面的电场分布是相同的。在此情况下二极管电极系统的相对位置如图一所示。 大家知道,在理论上,不计电子初速的影响,在…     

硫化镍阳极溶解动力学

以人工合成的纯Ni_3S_2为研究对象,采用多种电化学测试方法,考察其阳极溶解行为,求出阳极溶解动力学参数,推导溶解过程机理。     

阳极氧化电压对纳米孔阵列阳极氧化铝膜形貌的影响

阳极氧化铝是将金属铝进行阳极氧化处理后，在其表面上形成的一层氧化膜，可对金属铝起到装饰和保护的作用．20世纪末人们发现，铝在适当的阳极氧化条件下可以制得具有纳米孔阵列的阳极氧化铝膜．随着纳米科学的蓬勃发展，纳米孔阵列阳极氧化铝膜由于其具有大的比表面积、高纵横比、大小均     

汞阳极氧化的电化学

粗汞含有众多杂质金属，杂质多数以ＨｇｘＭｙ，ＨｇＭ化合物、合金状态溶于汞中，从而影响其在电解过程中的分离效果，利用杂质与汞形成的合金的化学特点和易氧化的特性，在特殊的电解条件下，杂质汞合金阳极氧化固态氧化物微粒与汞分离。实践表明汞阳极氧化法具有效果好、节省能源、减少废液对环境的污染等优点。以其代替汞阳极电解法，作为高纯汞、超纯汞制备过程中的前级提纯方法，能获得更好的效果与效益。     

铝阳极极化特性研究

分别测量了在阻挡型和多孔型电解质溶液中,铝阳极的恒电压和恒电流极化曲线.根据铝阳极极化曲线的特点,讨论铝在阳极氧化过程中有关阻挡层的形成、部分溶解,以及转化为多孔层等过程与极化电压和电流的关系.提出了在低极化电压或电流下,孔胚按“慢少成孔”机理在高极化电压或电流下按“快多成孔”机理的观点.     

用于快速、无损检测阳极氧化铝阻挡层厚度的光谱方法

报道一种用于快速、无损检测阳极氧化铝（Anodic Aluminum Oxide,AAO）阻挡层的光谱方法.通过两步阳极氧化法制备了孔径均一,孔道相互平行的纳米孔氧化铝薄膜;用紫外-可见-近红外（UV-VIS-NIR）光谱仪研究了不同阻挡层厚度的样品的透射光谱;结果表明,在可见-近红外光范围内,有阻挡层的纳米孔氧化铝薄膜的透射光谱出现振荡波,而且其波峰（谷）的数目与AAO的阻挡层厚度成线性关系,其线性相关系数为0.99979.这一发现为快速无损检测AAO阻挡层厚度提供了一种简单而高效的方法.     

Nb约瑟夫森结中AlO_x阻挡层阳极氧化的研究

用阳极氧化电压谱图技术分析Ｎｂ／ＡｌＯｘ／Ｎｂ约瑟夫森结中ＡｌＯ２隧道阻挡层（绝缘层）与Ｎｂ电极之间的介面特征并测量谱图阻挡层阳极氧化的电压宽度，发现这种电压宽度与阻挡层厚度密切相关．通过阻挡层阳极氧化电压宽度Ｖｗ和沉积Ａｌ厚Ｄ的关系测量，证实Ａｌ上ＡｌＯｘ的生长只取决于氧化条件而与沉积的Ａｌ层厚度无关．本文还提出了一种由Ｖｗ估算Ａｌ上生长的ＡｌＯｘ厚度的方法．实验证明，阳极氧化电压谱图技术是监测约瑟夫森结的介面特性和临介电流密度的有用工具，对高温超导结及其超导器件的开发起着重要的作用．     

沉积条件对MOS2/Ti复合膜性能的影响

MoS2/Ti复合膜由直流磁控溅射方法制备,膜中Ti的原子分数x(Ti)和硬度Hv随着Ti靶溅射电流I(Ti)的增加而增加.FE-SEM(场发射扫描电子显微镜)对膜表面形貌观察发现,MoS2/Ti复合膜是由尺寸为几十到几百nm的颗粒组成,膜的致密性和膜中x(Ti)有关,x(Ti)越高,膜的致密性越好,从而膜的Hv也就越高.偏压Ub是影响膜性能的重要因素,随着Ub的增加,膜的Hv也增加,当Ub=-100 V时,膜的Hv达到峰值;进一步增加Ub,膜的Hv则下降.     

Evolution of insoluble eutectic Si particles in anodic oxidation films during adipic-sulfuric acid anodizing processes of ZL114A aluminum alloys

The effects of insoluble eutectic Si particles on the growth of anodic oxide films on ZL114A aluminum alloy substrates were investigated by optical microscopy (OM) and scanning electron microscopy (SEM). The anodic oxidation was performed at 25℃ and a constant voltage of 15 V in a solution containing 50 g/L sulfuric acid and 10 g/L adipic acid. The thickness of the formed anodic oxidation film was approximately 7.13 μm. The interpore distance and the diameters of the major pores in the porous layer of the film were within the approximate ranges of 10-20 nm and 5-10 nm, respectively. Insoluble eutectic Si particles strongly influenced the morphology of the anodic oxidation films. The anodic oxidation films exhibited minimal defects and a uniform thickness on the ZL114A substrates; in contrast, when the front of the oxide oxidation films encountered eutectic Si particles, defects such as pits and non-uniform thickness were observed, and pits were observed in the films.     

新型Ni－Cu－P／MoS_2固体润滑镀层优化试验研究

研制出一种新型Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ／ＭｏＳ２电刷镀固体润滑复合镀层。对影响镀层耐磨性的因素进行了正交设计;包括镀液中铜盐、次亚磷酸盐、二硫化钼及刷镀电压。对得到的９种镀层,进行了摩擦磨损试验,测量其磨损量及摩擦系数,最终优化出最佳的Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ／ＭｏＳ２镀层及相应的镀液。还对镀层的相结构及成分进行了测试,讨论了它们对镀层耐磨性的影响。结果表明,镀层中一定量的铜及亚稳间隙相对改善镀层的耐磨性及减磨性具有重要作用。     

交流电沉积条件对沉积Ni纳米线的影响

采用恒压40V二次阳极氧化方法制备了阳极氧化铝(AAO)模板,模板的孔径均匀有序。在二次阳极氧化的基础上阶梯降低电压至10V,可有效减薄阻隔层,有利于Ni纳米线的交流电沉积。利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对AAO模板以及Ni纳米线的形貌进行表征。探索了阶梯降低氧化电压、电源滤波以及电沉积频率对沉积Ni纳米线的影响。结果表明,阶梯降低氧化电压、适当的频率以及滤波可以明显提高电沉积效果,得到比较均匀有序的Ni纳米线。     

Formation of crystalline TiO2 by anodic oxidation of titanium

Formation of crystalline TiO2(anatase) films by anodic oxidation of titanium foils in ethylene glycol(EG) based electrolytes at room temperature has been investigated.By varying the anodizing parameters such as the amounts of water and NH4 F added,applied voltage and anodization time,anodic TiO2 films with different crystalline structures were obtained.Scanning electron microscopy(SEM),transmission electron microscopy(TEM),and X-ray powder diffraction(XRD) characterizations were employed to determine the morphologies and crystalline structures of as-prepared anodic TiO2 films.The results indicate that crystallization of anodic TiO2 films was generally facilitated by high fluoride concentration,high applied voltage and longer anodization time,and the formation of anodic TiO2 films with best crystallinity could only be achieved when optimized amounts of water were added.     

含氢类金刚石碳膜的拉曼光谱洛伦兹分解

利用射频等离子体增强化学气相沉积(rf PECVD)工艺在不锈钢基底上制备a-C:H膜,利用激光Raman光谱表征所沉积碳膜的微观结构,特别是通过对拉曼谱图进行洛伦兹分解来评价所沉积碳膜的sp3含量,分析了沉积电压和过渡层对a-C:H膜生长过程及膜中sp3含量的影响.结果表明,利用拉曼光谱的洛伦兹分解能够有效分析a-C:H的结构特性,碳膜沉积过程中沉积电压和过渡层对a-C:H膜的生长均具有重要影响.在本实验条件下,以Ti/TiN/TiC为过渡层沉积电压为2500 V时所制备的a-C:H膜中的sp3含量最高.     

铝的壁垒型阳极氧化膜的透射电镜观察

发现了(NH_4)_2MoS_4水溶液中可生成铝的壁垒型阳极氧化膜。用超薄切片,透射电镜结合离子注入惰性原子标记层的技术对膜的形貌、成分和生长过程中的离子迁移进行了观察和分析;用EDAX分析方法来探测到膜中含有溶液阴离子的成分,阳极氧化过程中膜在基体/膜界面和膜/溶液界面同时生长。阳极氧化的电流密度为1.0mA/cm~2时,Al~(3+)离子的表观迁移率为0.44。