极性晶体膜中的强耦合磁极化子

应用变分法研究了极性晶体膜中强耦合磁极化子的性质,给出基态和激发态的系统能量,重点研究了系统处于基态和激发态时的电子－表面声子相互作用能．计算结果表明,在磁场强度一定的条件下（Ｂ＝９Ｔ）,电子－表面声子相互作用能随着膜厚的增加而减小;在一定膜厚的条件下（Ｗ＝３ｎｍ）,电子－表面声子相互作用能随着磁场强度的增加先增大而后缓慢减小,当Ｂ＝３０Ｔ时,｜Ｖｅ－ＳＯ（１）｜和｜Ｖｅ－ＳＯ（０）｜之间的差最大．     

零温极性—极性晶体中界面磁极化子的性质

计入电子与纵光学（ＬＯ）声子和界面光学（ＩＯ）声子的互作用，进一步研究了界面磁极化子的性质，并给出了磁极化子的能级，重整化回旋质量和自陷能的表达式。结果表明，重整化回旋质量也依赖于纵向量子态和磁场强度，而自陷能也与横向量子态和磁场强度有关。     

零温极性－极性晶体中界面磁极化子的性质

计入电子与纵光学（ＬＯ）声子和界面光学（ＩＯ）声子的互作用，进一步研究了界面磁极化子的性质，并给出了磁极化子的能级，重整化回旋质量和自陷能的表达式．结果表明，重整化回旋质量也依赖于纵向量子态和磁场强度；而自陷能也与横向量子态和磁场强度有关．     

声子之间相互作用对慢速运动的二维磁极化子性质的影响

研究了极性晶体中电子与表面光学声子耦合弱的二维磁极化子的性质。采用改进的线性组合算符法及微扰法导出了极性晶体中慢速运动磁极化子的有效哈密顿量。当计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对二维磁极化子的自陷能和有效质量的影响。     

磁极化子的平均光学声子数

采用线性组合算符和么正变换方法,导出了磁极化子的平均光学声子数,讨论了平均光学声子数与磁场B和坐标Z的关系.     

纯二维极性晶体中磁极化子的光学声子平均数

研究了纯二维极性晶体中与光学声子相互作用的磁极化子的性质，采用幺正变换和线性组合算符法导出了在磁场的作用下，纯二维极性晶体中强、弱耦合电子周围光学声子的平均数．并以AgCl晶体为例进行了数值计算，讨论了纯二维极性晶体中磁极化子的振动频率及光学声子平均数的一些性质．     

有限温度下量子阱中的磁极化子

将半导体量子阱中界面磁极化子的自陷能分为ＬＯ和ＩＯ声子部分，研究自陷能的温度依赖性。     

极性半导体中表面磁极化子有效质量的性质

本文研究极性半导体中电子与表面光学声子和表面声学声子均为弱耦合时表面磁极化子的性质 ,讨论反冲效应中不同波矢声子之间相互作用对表面磁极化子有效质量的影响。     

极性半导体中表面磁极化子有效质量的性质

本文研究极性半导体中电子表表面光学声子和表面声学声子均为弱耦合时表面磁极化子的性质，讨论反冲效应中不同波矢声子之间相互作用对表面磁极化子有有效质量的影响。     

柱形量子线中的磁极化子性质

采用变分法,研究了柱形量子线中磁极化子在基态和激发态的系统能量,电子－表面声子相互作用能以及回旋共振频率．选用抛物型束缚势,在精确求解未微扰电子的波动方程的基础上,给出了系统的试探波函数．数值计算结果表明,随着量子线半径的增大,基态和激发态的电子－表面声子相互作用能都相应减小,回旋共振频率也随之减小．该结果对以前的研究结果有所改进     

极性晶体膜中极化子的性质

使用格林函数法研究在极性晶体膜中极化子自能的一些性质．对ＧａＡｓ进行了计算,结果表明：在绝对零度时,极性晶体膜中电子与体纵光学声子相互作用能的绝对值随极性晶体膜的厚度的增加而增加,随后几乎保持不变．     

极性膜中的中耦合极化子

采用微扰法在同时计及ＬＯ声子和ＳＯ声子的作用下，计算了极性膜的中耦合自由极化子的自能和有效质量。计算结果准确地考虑了电子在反冲效应中发射的虚声子间的相互作用。     

极性膜内的偏心杂质

本文用变分微扰法即论了极性膜中杂质位于偏心处束缚极化子,同时计及电子一体纵光学声子作用以及电子一面光学声子作用,导出了由电子一体(面)光学声子作用所产生的诱生势及束缚能与膜厚的关系,并讨论了变分参数随杂质位置变化而变化的物理意义。     

极性膜内束缚极化子的温度效应

本文同时计及电子一体纵光学声子及电子一面光学声子的作用,采用LLP变分法及变分微扰法,导出了膜内束缚极化子基态和激发态能量与温度的关系以及束缚极化子有效质量与温度的关系。     

GaAs晶体膜中弱耦合极化子的自陷能

本文采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法,研究了极性晶体膜内电子－声子弱耦合系统的基态能量,得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能,对ＧａＡｓ晶体计算了不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献。     

极性膜中弱耦合极化子自陷能的温度依赖性的研究

采用Huybrechts线性组合算符法和变分法，研究了极性膜中电子与LO声子和SO声子均为弱耦合极化子自陷能的温度依赖性。     

三元混晶板中的电子—声子作用

本文发展了三元混晶板中电子-声子作用的量子理论,给出了该系统声子的本征频率以及电子-声子作用的哈密顿算符.这一理论建立在无序位移独立位移(REI)模型和连续模型的基础上.     

极性晶体膜中的束缚极化子

采用格林函数法,讨论了极性晶体膜中电子与LO声子耦合的电子-声子相互作用系统的自能.得出了极化子自能及束缚势随膜厚变化的规律.对KCl材料进行数值计算的结果表明,束缚势影响自陷能的变化.