真空液相重结晶法改善InSb薄膜的组织和性能

利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁迭射制得的ＩｎＳｂ薄膜进行热处理，Ｘ射线衍和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为ＩｎＳｂ，Ｉｎ，Ｓｂ各相的混合物；重结晶后，基本为ＩｎＳｂ单相，ＩｎＳｂ晶粒呈规则状外形长大，热处理后室温下的电子迁移率大大提高，由原来的１．３１×１０＾４ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）提高到４．４７×１０６４ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）（热蒸镀）和２．１５×１０＾３ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）提高     

薄膜型InSb霍尔器件

利用真空蒸发镀膜技术研制出灵敏度薄膜型ＩｎＳｂ霍尔器件，研究了影响ＩｎＳｂ薄膜电子迁移率的因素，俄歇电子能谱分析和扫电镜形貌像表明，制备的ＩｎＳｂ薄膜化学元素配比与所用蒸发源材料相同，表面光滑，晶粒尺寸μｍ级。室温下测得ＩｎＳｂ薄膜的电子迁移率为４００００ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ，ＩｎＳｂ薄膜霍尔器件输入输出电阻范围为２００－５００Ω，乘积灵敏度达到５０－１５０Ｖ／Ａ．Ｔ。     

激光开槽、埋槽电极硅太阳电池

报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在ＡＭ１．５，２５℃，１００ｍＷ／ｃｍ２的条件下，以面积为４５ｃｍ３的３６片硅片研制的硅太阳电池的输出参数的平均值为ＪＳＣ＝３６．１ｍＡ／ｃｍ２，Ｖ∞＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ．＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后分析了种高性能硅太阳电池的设计特点。     

锆钛酸铅铁电薄膜的MOD工艺制备及其性能研究

致密、纯钙钛矿结构的ＰＺＴ（５０／５０）铁电薄膜已用ＭＯＤ工艺（金属有机物热分解工艺）获得．通过优化原料的提纯和合成工艺，消除了原料中微量杂质离子，控制ＰＺＴ先体溶液合成时的环境温度，制得透明、稳定的锆钛酸铅先体溶液．采用多次甩胶成膜法，经４００～５００℃热处理，在Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制得ＰＺＴ（５０／５０）薄膜，膜厚５２０ｎｍ，其介电常数为２７０，损耗角正切为０．０３５（１ｋＨｚ，０．０５Ｖ测试电压），其绝缘电阻率为１０～１００ＴΩ·ｃｍ，剩余极化强度为２０．６μＣ／ｃｍ２，饱和极化强度为２７．７μＣ／ｃｍ２，矫顽场强为８０ｋＶ／ｃｍ     

背面氩离子轰击改善MOS系统界面特性和击穿特性

在室温下用低能量Ａｒ＾＋轰击ＭＯＳ电容器肾面，能改善ｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。轰击能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ＾２时的效果比在３５０ｅＶ和０．３ｍＡ／ｃｍ＾２时的好。     

Pb—Ag—Ca新型阳有在MnSO4—H2SO4溶液中腐蚀速度的测定

分别测定了ＰＡＣ电极（Ｐｂ－Ａｇ－Ｃａ新型阳极的简称）在ＭｎＳＯ４－Ｈ２ＳＯ４溶液中的阴极极化曲线及阳极极 线，从图中求得：ｉｃｏｒ＝１５．８５μＡ／ｃｍ＾２，ψωｒ＝－０．０９５Ｖ，Ｖｃｏｒ＝２．９５Ｋｇ／ｍ＾２ａｎｎ．７．９０％（电极重量每年消耗的百分数）ｉ。（２）＝５４．７０μＡ／ｃｍ＾２及ｉ。（３）＝１．１０μＡ／ｃｍ＾２；讨论了ＰＡＣ阳极的腐蚀机理即反应（２）受反应（３）的动力学参数所     

钠快离子导体Na_(3-x)Zr_(2-x)V_xSi_2PO_(12)系统的固相合成与表征

通过高温固相反应合成了钠快离子导体Ｎａ３－ｘＺｒ２－ｘＶｘＳｉ２ＰＯ１２系统的一系列合成物、其合成反应均可在低于１３７３Ｋ的温度下完成，且该系统的合成温度随ｘ增大而降低．Ｘ－射线衍射数据表明，当ｘ＜０．５时，其合成物为ＮＡＳＩＣＯＮ单纯相，其空间群为Ｃ２／ｃ，当ｘ＞０．５时，合成物开始玻璃化。系统合成物的有关晶胞参数随ｘ的增大而相应缩小，电性能测定结果表明，最好电导性的起始组成为ｘ－０．１．其导电率在室温时为５．４５×１０－４Ｓ·ｃｍ－１，在７２３Ｋ时为１．０４×１０－１ｓ·ｃｍ－１，其电导激活能为 ２３．４６ｋＪ／ｍｏｌ。     

稀土氧化物阴极的YSZ固体电解质燃料电池的制备

以稀土复合氧化物Ｌａ＿０．７Ｓｒ＿０．３ＣｏＯ＿３为阴极材料，ＹＳＺ为电解质，Ｐｔ为阳极，组装了Ｈ＿２－Ｏ＿２燃料电地．测试了电地的Ｖ－Ｉ特性曲线．结果表明，在１０００℃时电池的开路电压为１．０８Ｖ；最大输出功率密度的工作电压为０．５４Ｖ，电流密度为１５０ｍＡ／ｃｍ￣２．     

激光开槽,埋槽电极硅太阳电池

报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在ＡＭ１．５，２５℃，１００ｍＷ／ｃｍ＾２的条件下，以面积为４５ｃｍ＾２的３６片硅研制的硅太阳的输出参数的平均值为Ｊｓｃ＝３６．１ｍＡ／ｃｍ＾２，Ｖｏｃ＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ．＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后分析了这种高性能硅太阳电池的设计特点。     

多晶硅一维MIS结构光位敏探测器的研制

以横向光伏效应为工作模式，采用氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）的快速退火固相晶化工艺，我们成功地研制了一维ＭＩＳ结构的多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）光位敏探测器（ＰＳＤｓ）．测试结果表明：该器件光响应峰位在６６０ｎｍ附近，峰位处光谱灵敏度为１×１０－３μＡ／μＷ，在２０ｍＷ／ｃｍ２光功率密度下，对７８０ｎｍ的近红外光其平均位敏度约０．２８ｍＶ／ｎｍ，与未经退火的α－Ｓｉ：Ｈ器件相比，光响应最大光位敏度为０．４６ｍＶ／ｎｍ，峰位红移６０ｎｍ，光谱灵敏度提高了１－２个数量级。     

嘌呤的电化学还原及其形式电位E^0的计算

通过正交设计，选择最佳条件，使嘌呤的电极过程变为准可逆过程，利用简单准可逆过程的脉冲极谱理论，通过图解法，获得嘌呤的表观动力学参数．嘌呤二个峰的电子传递系数ａ分别为０．０８和０．１４，标准异相速度常数ｋｓ分别为３．５×１０－３ｃｍ／ｓ和２．２×１０－３ｃｍ／ｓ．结合循环伏安法，计算出嘌呤相应峰的形式电位Ｅ０＇分别为－１．１６Ｖ（ＶＳ．ＳＣＥ）和－１．３０Ｖ（ＶＳ．ＳＣＥ）．研究结果表明，Ｅ０＇与嘌呤浓度无关，而互ｐＨ值有关     

含钨的多元复合析氢电极

用复合镀法制得Ｎｉ－Ｗ－ＷＣ－ＷＯ３复合电极，在０．５ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４中的氢超电势比软钢降低２８０ｍＶ，ｉ０提高三个数量级，电极表面粗糙度为Ｎｉ电极的三倍。在３００ｍＡ／ｃｍ＾２的大电流密度下，进行的长期恒电流电解试验表明电极性能稳定。ＸＰＳ分析证明电极表面主要成分为Ｎｉ，Ｗ，ＷＣ，ＷＯ３等。     

国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究

研究了国产卫星用背场Ｓｉ太阳电池和ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能随质子辐照注量１×１０９ －５ × １０１３ ｃｍ－２的变化．实验表明,２种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势．背场 Ｓｉ太阳电池性能参数短路电流Ｉｓｃ和最大输出功率Ｐｍａｘ衰降变化快,辐照注量为２ × １０１０ｃｍ－２时, Ｐｍａｘ就已衰降为原值的７５％,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池对应相同的衰降辐照注量达８×１０１１ｃｍ－２,且 Ｉｓｃ和Ｐｍａｘ衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近３ × １０１２ ｃｍ－２时才迅速下降．背场Ｓｉ太阳电池性能 衰降与质子辐照引入的Ｅｖ＋０．１４ ｅＶ和Ｅｖ＋０．４３ ｅＶ深能级有关,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能衰降 与辐照产生的Ｅｃ－０．４１ ｅＶ深能级有关．     

离子束混合法制备Sm—Fe—N磁性薄膜

利用离子束混合方法在Ｓｍ质量分数为２０％的Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜中，当注入能量为６０ｋｅＶ的Ｎ离子时，成功地制备出Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ磁性薄膜．经透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析发现：当Ｎ离子的注入剂量为１×１０１７／ｃｍ２时，形成Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁性薄膜；而Ｎ离子的注入剂量为２×１０１７／ｃｍ２时，Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜转变成非晶磁性薄膜，而且Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁性薄膜和Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ非晶磁性薄膜的磁性（饱和磁性强度、矫顽力）与注入前的Ｓｍ－Ｆｅ薄膜相比有明显的提高     

Al离子注入Al—SiO2的研究

在Ａｌ－ＳｉＯ２系统中进行Ａｌ离子注入以改善Ａｌ膜质量和提高其与ＳｉＯ２基底的结合力；注入能量为７０ｋｅＶ，注入剂量分别为５×１０１５／ｃｍ２和５×１０１６／ｃｍ２Ａｌ离子．结果表明注入后膜基结合力提高了１０倍以上，显微硬度也明显提高．然而，高剂量注入导致薄膜中拉应力的产生，降低了膜基结合力．Ａｌ离子注入还使薄膜晶粒细化，从而改善薄膜的韧性．     

提高供氧能力对土曲霉生产衣康酸的影响

本文研究了供氧能力对土曲霉ＩＦＯ－６３６５分批发酵生产衣康酸能力的影响。当通风比为０．５Ｖ．Ｖ．ｍ，搅拌叶轮末端线速度为１２５．７ｃｍ／ｓ时的最大衣康酸发酵产率分别是叶轮末端线速度为９４．２ｃｍ／ｓ和７８．５ｃｍ／ｓ的１．２８倍和３倍；当添加氧载体──正十二烷，叶轮末端线速度为７８．５ｃｍ／ｓ时，与对照相比，可提高产酸１４％，但在更高的叶轮末端线速度条件下，加入正十二烷，只能促进菌体的生长，对发酵产酸是抑制作用。     

铜（Ⅱ）配合物[Cu（C8H4O2SF3）2]的合成,表征和晶体结构

室温下，金属铜粉和２－噻吩甲酰三氟丙酮在甲醇溶剂中反应生成铜配合物［Ｃｕ（Ｃ８Ｈ４Ｏ２ＳＦ３）２］通过元素分析，红外光谱、热重、Ｘ－射线粉末衍射对其进行表征，并经Ｘ－射线单晶测试该配合物为单斜晶体，空间群为Ｐ２１／Ｃ，晶胞参数ａ＝１０．５８２（１），ｂ＝１１．１６９（２），ｃ＝８．０４４（３）；β＝１０４．６１（２）°；Ｖ＝９１６．７３；ｚ＝２；Ｄｃ＝１．８３３ｇ·ｃｍ－３；Ｒ＝０．０８２，Ｒｗ＝０．０９２。铜原子与四个氧原子配位，形成四方平面     

高性能InP／InP,InGaAs／InP体材料LP—MOCVD生长

给出利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ的条件，研究了ＩｎＰ／ＩｎＰ的生长特性、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的组份控制、生长特性及生长温度对ＩｎＧａＡｓ特性的影响．发现ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ最佳生长温度为６４０℃，得到ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ１６Ｋ光荧光（ＰＬ）谱全高半峰宽为３２．０ｎｍ，ＩｎＰ／ＩｎＰ室温霍尔迁移率为４３６０ｃｍ２／Ｖｓ，背景掺杂浓度为５×１０１４ｃｍ－３，Ｘ光双晶衍射全高半峰宽为２１＂．     

锇─钼酸盐──碱性染料显色反应的研究

在聚乙烯酸（ＰＶＡ）存在下，锇与铅酸铵和碱性染料（罗丹明Ｂ，了基罗丹明Ｂ，耐尔蓝）形成离子缔合物，不同碱性染料所形成的缔合物服从比耳定律的浓度范围和摩尔吸光系数分别是：０￣１．２μｇ／２５ｍｌ和ε５７０ｎｍ＝２．６２×１０６Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１（罗丹明Ｂ体系），０￣１．０μｇ／２５ｍｌ和ε５７０ｎｍ＝２．８６×１０６Ｌ·Ｃｍ－１（丁基罗丹明Ｂ体系）；０～１．８μｇ／２５ｍｌ和ε５８５ｎｍ＝２．８１×１０６Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１（耐尔蓝体系）研究了三个显色体系的光度特性和３０多种共存离子的影响，方法用于一些催化剂和冶金产品中锇的测定，结果满意．     

聚（N—甲基）苯胺作为蓄电池阴极活性材料的电化学性能研究

聚（Ｎ－甲基）苯胺作为一种新的二次电池阴极材料在酸性溶液中有很高的稳定性,由聚（Ｎ－甲基）苯胺膜电极Ｚｎ片,１．０ｍｏｌ／Ｌ,ＺｎＣｌ２水溶液（ｐＨ＝２．０１）构成的电池,其开路电压的１．３１Ｖ,在恒电流放电速率为０．１５ｍＡ／ｃｍ＾２（放电电压为０．９Ｖ,聚合物重量为２．０ｍｇ／ｃｍ＾２）聚（Ｎ－甲基）苯胺的容量密度和能量密度分别为９７．５Ａｈ／ｋｇ,９４．６Ｗｈ／ｋｇ,在上述充放电电流密度下,